张建芹
- 作品数：6 被引量：31H指数：3
- 供职机构：中国兵器工业集团更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划山东省博士后创新项目国家自然科学基金更多>>
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- KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展的研究
- 2004年
- 目前在KDP/KD*P晶体的实际生长过程中,仍以传统降温法为主.在传统降温速度的基础上适当提高降温速度,可以加快KDP/KD*P晶体的生长速度,但与此同时有可能产生柱面扩展.为此,我们对不同生长环境下的KDP/KD*P晶体生长过程中柱面扩展进行了一系列研究.实验中所用KDP原料和去离子水均与生长大口径KDP晶体相同,其它各项条件也尽量模拟大口径KDP晶体生长过程中的实际情况.在晶体生长实验过程中通过研究不同条件下KDP/KD*P晶体的柱面扩展情况来研究柱面扩展对KDP/KD*P晶体光学质量影响的共同特点.通过分析和研究实验数据及晶体生长过程,我们认为在正常生长条件下引起柱面扩展的主要因素有两个:溶液的过饱和度和籽晶柱面存在的缺陷.扩展部分的晶体的光学质量与本体部分差别较大,扩展部分对光的透过率在紫外部分下降很快,明显低于本体部分在这一波段的透过率.本体部分和扩展部分对光的透过率在其它波段差别不十分突出.
- 李云南房昌水孙洵顾庆天王圣来王坤鹏王波刘冰张建芹
- 关键词：生长习性透过率KDP晶体
- 阴离子掺杂对KDP晶体生长及其性能影响的研究
- KDP/DKDP晶体是一种光学性能非常优良的非线性晶体,其生长研究已经有70多年的历史,是一种经久不衰的水溶性晶体之一;被广泛应用于激光变频、电光调制和快速光开关等领域。近些年来,随着ICF的迅速发展,高激光损伤阈值特大...
- 张建芹
- 关键词：KDP晶体晶体生长光散射透过率电导
- 文献传递
- 硫酸盐掺杂对KDP晶体生长的影响被引量：15
- 2005年
- SO42-是KDP原料中一种常见的杂质离子,通过传统降温法和“点籽晶”快速生长法研究了掺杂K2SO4的KDP晶体的生长。实验表明,硫酸根低浓度掺杂时可提高溶液的稳定性,促进晶体的生长,造成柱面扩展;高浓度时溶液稳定性遭到破坏,出现杂晶,晶体生长速度变慢,晶体出现开裂,柱面发生“楔化”。
- 张建芹王圣来房昌水孙洵顾庆天李毅平王坤鹏王波李云南刘冰
- 关键词：硫酸根KDP晶体晶体生长
- 典型阴离子杂质对KDP晶体电导特性的影响
- 2010年
- 针对KDP晶体生长过程中常出现的SO24-,NO3-和Cl-杂质,采用传统法和快速法掺杂生长了一系列KDP晶体,研究了不同阴离子杂质掺杂对KDP晶体X和Z向的电导率的影响。结果表明,X向的电导率比Z向电导率高;未掺杂时,快速生长的KDP晶体比传统法生长的KDP晶体具有更高的电导率;SO42-的掺杂增大了晶体在两个方向的电导率,且随着掺杂浓度的增加,晶体的电导率也相应增大;NO3-和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大。分析认为,快速生长的KDP晶体具有更高的缺陷浓度,从而增大了晶体的电导率;SO42-具有与PO34-结构的相似性,从而能够取代部分PO43-进入晶格,从而产生H+空位。H+空位的定向移动能增大晶体的电导率。而NO3-和Cl-与PO34-结构差异较大,很难取代进入PO34-晶格,因此NO3-和Cl-对KDP晶体的电导率影响不大。
- 丁建旭张建芹王圣来牟晓明许心光顾庆天孙云刘文洁刘光霞
- 关键词：KDP电导率晶体缺陷
- 金属离子对KDP晶体生长的影响被引量：5
- 2004年
- 回顾了过去几年人们对金属离子对KDP晶体生长影响的研究进展,并报道了我们对Fe3+和Sn4+在不同条件对KDP晶体生长影响的定量研究结果.在低过饱和度下,Fe3+掺杂浓度＜3.0×10-5可以提高溶液的稳定性,并且对KDP晶体的生长形态和光学质量基本没有影响.同时,研究发现即使少量Sn4+的加入都可以显著地提高溶液的稳定性,但Sn4+掺杂浓度为1.0×10-5时,晶体就已经严重楔化.
- 王波王圣来房昌水孙洵顾庆天王坤鹏李云南张建芹刘冰
- 关键词：KDP晶体金属离子生长习性
- 阴离子掺杂对KDP晶体光散射的影响被引量：11
- 2007年
- 选用硫酸钾、硝酸钾和氯化钾作为掺杂剂,采用传统降温法和“点籽晶”快速法生长了磷酸二氢钾(KDP)晶体,利用超显微法对KDP晶体中的散射颗粒进行了观察,研究了SO42-、NO3-和Cl-三种阴离子掺杂对晶体中光散射的影响．结果表明,掺杂后SO42-造成晶体光散射的轻度增加;而NO3-和Cl-离子掺杂后,对于传统降温法所得晶体,散射明显加重,对于“点籽晶”快速法所得晶体的散射影响不大．
- 张建芹王圣来房昌水孙洵顾庆天
- 关键词：掺杂剂KDP晶体光散射
