彭自安
- 作品数：16 被引量：59H指数：6
- 供职机构：北京真空电子技术研究所更多>>
- 相关领域：电子电信理学自然科学总论更多>>
- 硅场发射显示器的结构和工艺流程设计
- 根据场发射显示器（FED—Field Emitter Display）的工作原理，设计了显示面积为10.8×10.8mm＜＇2＞的研究性器件。设计的FED为矩阵形、受信号调制进行寻址工作，所以对开发实用的Si-...
- 范忠薛臻周江云李琼彭自安
- 关键词：场致发射场发射显示器硅
- 真空微电子学在微波和毫米波中的应用前景被引量：6
- 1995年
- 真空微电子学是近年来发展的一门新学科，它将会引起微波管技术的重大革新。本文介绍了在冷阴极、微三极管、感应输出放大器、分布放大器等方面的发展情况，相信在近几年内这方面的应用研究会获得突破性进展。
- 彭自安冯进军
- 关键词：场致发射阵列真空微电子学微波毫米波
- 真空微电子学与微波毫米波器件
- 1992年
- 早在40年代,K.R.Shoulders就提出了真空微电子器件的一些新设想.1961年发表了真空微电子器件的系统的论证文章.其后SRI开展了系统的研究工作,直到 1988年6月在美国召开了首届国际真空微电子学会议.它标志着一个新学科—真空微电子学的诞生.目前这一领域强烈地吸引着各国科学家的注意,掀起了一个研究的热潮.人们认为,这是继电子管,半导体器件之后的第三代新型电子器件.它将成为21世纪初的重要电子器件之一,对未来电子技术的发展有着深远的影响.
- 彭自安柯春和李庠
- 关键词：真空微电子学微波毫米波冷阴极曲率半径场致发射分布放大器
- 场发射平板显示器件被引量：7
- 1994年
- 综述近年来一些先进国家利用真空微电子技术开展场发射平板显示器件研究的情况。概述这类器件的结构、工作原理、制作工艺、性能特点与发展水平，市场竞争与预测。
- 柯春和彭自安冯进军李兴辉
- 关键词：真空微电子学平板显示器
- 场致发射显示器技术分析被引量：6
- 1999年
- 本文给出了场致发射显示器的基本工作原理、性能优势和应用前景。对目前的发展状况及研究。
- 冯进军杨崇峰廖复疆彭自安
- 关键词：场致发射显示器场发射阴极阳极
- 脉冲激光沉积制备场发射碳膜
- 冲激光沉积法已在单个钼尖锥发射体和蓝宝石衬度上生成场发射体碳膜。对沉积在单个钼尖锥上的碳膜进行了电流-电压特性测量，并与未涂碳膜的单个钼尖锥发射体的场发射进行了比较。对沉积在蓝宝石衬底上的场发射体碳膜进行了其他性能测量。...
- 张甫权彭自安朱宝华王亦曼冯进军丁素广李兴辉
- 关键词：场发射碳膜
- 钼场致发射阵列阴极的性能研究
- 本文利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,在真空系统中对所得到阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值,对发射稳定性和失效机理进行了实验研究和分析,为进一步开...
- 冯进军丁明清张甫权李兴辉白国栋彭自安廖复疆
- 关键词：场致发射阵列钼阴极发射
- 文献传递
- 钼场致发射阵列阴极的性能研究
- 本文利用微细加工技术和薄膜沉积技术对钼场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究,在真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试,得到了一定的场致发射电流密度值,对发射稳定性和失效机理进行了实验研究和分析,为进一步开展应用...
- 冯进军丁明清张甫权李兴辉白国栋刘自彭自安廖复疆
- 文献传递
- 钼尖场致发射阵列阴极的性能研究被引量：13
- 2002年
- 利用微细加工技术和双向薄膜沉积技术对钼尖场发射阵列阴极的工艺进行了较为细致的研究 ,并在专用的真空系统中对所得阵列阴极的发射性能进行了测试 ,得到了一定的场致发射电流密度值。测试中采用数据采集系统监测栅极电压、阳极电压、阳极电流和栅极电流 ,测量了阴极阵列的发射稳定性和发射噪声。对发射的失效机理进行了实验研究和分析 ,认为发射失效的主要原因在于栅极和基底之间的漏电 ,尖锥和栅极孔间的暗电流 ,电极间的放电和放气 ,以及环境真空度和尖锥的不均匀性等。
- 冯进军丁明清张甫权李兴辉白国栋彭自安廖复疆
- 关键词：平板显示射频器件显示器件
- 场发射阴极在微波管中的应用
- 一、前言早在二十年代人们就已经知道导体表面在强电场(约10V/cm)作用下,可以产生场发射电子.长期以来,由于技术上的原因,只有在高电压下,导体尖端才会达到这样高的电场,因此场发射阴极一直没有能用于电子器件中去.薄膜场发...
- 彭自安李兴辉
- 文献传递
