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徐现刚: 作品数：487 被引量：430H指数：10; 供职机构：山东大学更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划更多>>; 相关领域：电子电信理学化学工程一般工业技术更多>>

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一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法: 本发明涉及一种SiC衬底上可选择性单面生长石墨烯的方法。该方法包括：将SiC衬底平放在石墨坩埚内，C面朝下或者Si面朝下，再将一盖片叠盖在所述SiC衬底朝上的面上，所述盖片为Si原子供体或C原子吸收体；将加热炉腔室抽真空...; 徐现刚陈秀芳张福生赵显

基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法: 基于激光器的SiC衬底LED大面积可控表面粗化刻蚀方法，属于发光二极管技术领域。本发明利用半导体材料对于波长小于其带边吸收波长的大功率激光强吸收发生气化，实现对SiC衬底以及LED半导体材料的表面粗化。高速振镜或者精密位...; 左致远刘铎徐现刚何京良; 文献传递

SiC晶体生长设备考察: 2002年; 根据晶体所发展规划,鉴于SiC作为第3代半导体器件的重要材料,以及与台湾富士康公司合作的第2批捐款投资方向的考虑,晶体材料研究所拟决定研究和开发SiC单晶材料。受晶体所的委托,徐现刚教授、胡小波副教授一行两人对瑞典Epigress公司的SB50型SiC单晶生长炉进行了为期一周的考察。首先,我们访问了Linkoping大学物理系,该系与Epigress公司有长期的合作项目,3年前购买了一台SB50单晶炉,主要从事6H-SiC晶体的生长,并成功地获得了直径为35mm的6H-SiC单晶,但对4H-SiC晶体生长的工作进行得较少,至目前为止,他们还未曾尝试过2"SiC单晶的生长。众所周知,对于高完整性单晶的生长,温场的分布十分重要。; 徐现刚胡小波; 关键词：SIC 半导体材料单晶生长

晶格畸变检测仪研究碳化硅晶片中位错缺陷分布被引量：1: 2021年; 利用晶格畸变检测仪研究了SiC晶片位错分布情况,通过对熔融KOH腐蚀后的SiC晶片进行全片或局部扫描,从而得到完整SiC晶片或局部区域的位错分布。与LEXT OLS40003D激光共聚焦显微镜扫描腐蚀图进行比较,晶格畸变检测仪扫描腐蚀图可以将晶片上位错腐蚀坑信息完全呈现出来,且根据腐蚀坑呈现的颜色及尺寸大小,可以分辨出三种不同类型的穿透型位错,其中黑点腐蚀坑对应螺位错,小尺寸白点腐蚀坑对应刃位错,大尺寸白点腐蚀坑对应混合型位错。采用晶格畸变测试仪研究了4英寸(101.6 mm)N型4H-SiC晶体不同生长时期的位错密度及分布情况,结果表明随着晶体生长,位错密度呈现逐渐降低的趋势,生长后期晶片的总位错密度降为生长前期晶片总位错密度的近1/3,有利于反馈位错缺陷在SiC晶体生长过程中的延伸和转化特性信息,以指导SiC晶体生长工艺改进。; 尹朋涛于金英杨祥龙陈秀芳谢雪健彭燕肖龙飞胡小波徐现刚; 关键词：4H-SIC 位错位错密度

4H-Si_(1-y)C_y合金的生长及特性: 2008年; 用化学气相淀积(CVD)法,在6H-SiC衬底上同质外延生长SiC层,继而外延生长了Si1-yCy合金薄膜,用XRD、扫描电子显微镜、电化学腐蚀测电容-电压(ECV)方法,以及俄歇电子能谱(AES)等方法对所得的样品进行了表征测量。XRD衍射谱表明合金薄膜晶体取向单一;SEM结果显示Si1-yCy合金薄膜表面平整,晶粒大小均匀。利用ECV方法得到样品中的载流子浓度分布,由衬底至表面呈n型导电。外延层中(表面除外)的载流子浓度分布是与C的深度分布相关的,表面部分的载流子浓度分布则与背景非故意掺杂相关。; 俞斐吴军韩平王荣华葛瑞萍赵红俞慧强谢自力徐现刚陈秀芳张荣郑有炓; 关键词：化学气相淀积

高可靠性无铝有源层808 nm半导体激光器泵浦源: 2021年; 针对高功率808 nm激光器泵浦源的应用需求,设计并制备了InGaAsP/GaInP材料体系的无铝有源区半导体激光器。使用双非对称的限制层及波导层结构,降低了P侧材料的热阻及光吸收。优化了金属有机化学气相沉积(MOCVD)中As和P混合材料的生长条件,制备出界面陡峭的四元InGaAsP单晶外延薄膜。制作的激光器室温测试阈值电流为1.5 A,斜率效率为1.26 W/A,10 A下的功率达到10.5 W,功率转换效率为58%。连续电流测试最大功率为23 W@24.5 A,准连续电流测试最大功率为54 W@50 A,没有产生灾变性光学损伤(COD)。在15 A电流加速老化下,激光器工作4200 h未出现功率衰减及COD现象,说明制备的无铝有源区808 nm激光器具有高可靠性的输出性能。; 刘鹏朱振陈康王荣堃夏伟徐现刚; 关键词：高可靠性 INGAASP 泵浦源

一种降低AlN籽晶应力的粘接方法: 本发明属于氮化铝晶体生长技术领域，具体涉及一种降低AlN籽晶应力的粘接方法。所述方法步骤：将AlN原料进行一次烧结；一次烧结料经破碎后进行二次烧结；二次烧结料破碎后与无机高温胶均匀混合后涂抹于籽晶托表面，粘接籽晶，然后退...; 张雷曹文豪王国栋王守志俞瑞仙刘光霞徐现刚

一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具及其应用: 本发明涉及一种用于打磨碳化硅单晶定位边的夹具及其应用，该夹具包括底板、第一定位板、第二定位板和螺栓固定板；第一定位板、第二定位板垂直设置在底板的两个相邻边上，第一定位板、第二定位板垂直设置；螺栓固定板设置在第一定位板和第...; 陈秀芳徐现刚胡小波; 文献传递

具有阻尼的晶体旋转提拉装置: 本发明提供了一种具有阻尼的晶体旋转提拉装置，由法兰盘，柔性圆盘、锥面转盘、摩擦锥、籽晶杆、支撑外壳和电机组成，法兰盘与电机轴连接在一起，法兰盘的下端面与锥面转盘的上端面之间各固定有一个柔性圆盘，两圆盘之间保持一定压力；摩...; 王继扬刘宏高磊张怀金徐现刚蒋民华吴建波秦晓勇朱怀烈; 文献传递

MOCVD生长GaAs/AlGaAs清晰超薄异质外延材料: 1992年; 一、引言 GaAs/AlGaAs作为较理想的晶格匹配Ⅲ-V族半导体异质结构材料,具有较大的能带不连续性,因而其异质结及量子阱和超晶格已在许多新型微电子及光电子器件物理研究领域得到广泛的应用,如量子阱激光器(QWLD)、高电子迁移率晶体管(HEMT)、量子阱红外探测器(QWIRPD)等.MOCVD具有普适性、重复性、均匀性和大面积生产的特点,已成为制备高质量外延材料的重要手段.; 刘士文任红文刘立强徐现刚黄柏标蒋民华; 关键词：MOCVD GAAS 异质结