方云英
- 作品数：5 被引量：19H指数：1
- 供职机构：上海大学更多>>
- 发文基金：上海市教委科研基金上海市科委纳米专项基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信金属学及工艺更多>>
- 采用高分子自组装ZnO纳米线及其形成机理被引量：19
- 2005年
- 介绍了一种能在各种晶面的硅衬底上制备垂直于衬底取向生长的ZnO纳米线阵列的新方法.该法采用高分子络合和低温氧化烧结反应,以聚乙烯醇(PVA)高分子材料作为自组装络合载体来控制晶体成核和生长.首先通过PVA侧链上均匀分布的极性基团羟基(—OH)与锌盐溶液中的Zn2+离子发生络合作用,然后滴加氨水调节络合溶液pH值为8.5±0.1,使络离子Zn2+转变为Zn(OH)2,再将硅片浸入此溶液中,从而在硅衬底表面得到较均匀的Zn(OH)2纳米点,随后在125℃左右Zn(OH)2纳米点通过热分解转化为ZnO纳米点,其后在420℃烧结过程中衬底上的ZnO纳米点在PVA高分子网络骨架对其直径的限域下逐渐取向生长成ZnO纳米线,并且烧结初期PVA碳化形成的碳通过碳热还原ZnO为Zn,再在氧气氛中氧化为ZnO的方式在纳米线顶端形成了催化活性点,促进了纳米线顶端ZnO的吸收.烧结后碳逐渐氧化被完全去除.采用场发射扫描电镜(FE-SEM)、透射电镜(TEM,HR-TEM)和X射线衍射(XRD)对纳米线的分析结果表明,ZnO纳米线在硅衬底上分布均匀,具有六方纤锌矿结构,并且大多沿[0001]方向择优取向生长,直径为20～80nm,长度可从0.5至几微米.提出了聚合物控制ZnO结晶和形貌的网络骨架限域模型以解释纳米线的生长行为.
- 贺英王均安桑文斌吴若峰颜莉莉方云英
- 关键词：分子自组装ZN^2+溶液PH值纤锌矿结构络合作用
- 硅衬底上氧化锌纳米线的自组装生长及其光致发光性能
- 本文介绍了一种在硅衬底上自组装生长ZnO纳米线的方法,新方法以高分子材料作为自组装络合载体,采用离子络合转换方法和聚合物网络骨架限域模型,制备出生长在硅衬底上的ZnO纳米线晶体。对ZnO纳米线结构和光致发光性能进行了分析...
- 贺英桑文斌王均安吴若峰支华军颜莉莉方云英
- 关键词：ZNO纳米线自组装光致发光
- ZnO纳米结构自组装研究
- 桑文斌贺英闵嘉华方云英王均安藤建勇钱永彪王斌张奇刘洪涛
- ZnO的晶格结构（六方纤锌矿）和禁带宽度(3.37eV)上都与GaN很相似，在紫外波段存在着受激发射和大的激子束缚能，室温下ZnO的激子束缚能高达60meV，比室温下的热离化能（26meV）大很多，激子不会被电离，大大降...
- 关键词：
- 关键词：ZNO自组装
- ZnO纳米棒的制备及光学性质研究
- 氧化锌是一种宽禁带(3.3eV)半导体材料。由于纳米氧化锌室温下激子束缚能高达60meV，保证了其在室温下较强的紫外发射，因而被认为是制作的蓝—紫外发光二极管和激光器的最合适的材料。特别是室温下在氧化锌纳米线中发现光泵紫...
- 方云英
- 关键词：氧化锌纳米棒光致发光气相沉积法
- 文献传递
- 化学气相沉积法制备ZnO纳米棒及其发光性能研究
- 本文采用低温化学气相沉积法在500-570℃硅衬底上直接生长出了ZnO纳米棒.所得ZnO纳米棒在硅衬底上分布均匀,平均直接为150nm,长度约为3-5μm,具有六方纤锌矿结构,并且沿(002)方向定向生长.样品的吸收峰在...
- 方云英桑文斌贺英闵嘉华滕建勇郭昀
- 关键词：氧化锌纳米棒化学气相沉积法光致发光
- 文献传递
