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方聪聪

作品数:9 被引量:11H指数:2
供职机构:昆明理工大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术理学机械工程更多>>

文献类型

  • 5篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇学位论文

领域

  • 2篇电子电信
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程
  • 1篇理学

主题

  • 2篇单片
  • 2篇单片机
  • 2篇多尺度
  • 2篇压痕
  • 2篇显示器
  • 2篇芯片
  • 2篇纳米
  • 2篇纳米压痕
  • 2篇各向异性
  • 2篇AVR单片机
  • 1篇单晶
  • 1篇弹簧
  • 1篇弹性模量
  • 1篇电池
  • 1篇电池容量
  • 1篇电器
  • 1篇电源总开关
  • 1篇电阻
  • 1篇电阻应变片
  • 1篇多尺度分析

机构

  • 9篇昆明理工大学

作者

  • 9篇方聪聪
  • 7篇杨晓京
  • 2篇刘艳荣
  • 2篇杨小江
  • 1篇戈振扬
  • 1篇郑旭颖
  • 1篇于英杰
  • 1篇彭华林

传媒

  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇农业机械学报
  • 1篇物理学报

年份

  • 1篇2015
  • 3篇2014
  • 4篇2013
  • 1篇2012
9 条 记 录,以下是 1-9
排序方式:
一种基于AVR单片机的红外线遥控直流电机调速器
本实用新型涉及到一种基于AVR单片机的红外线遥控直流电机调速器,属于微控制器的电路及程序控制的技术领域。红外遥控直流电机调速器包括红外线遥控器、红外线接收器、AVR单片机、电机驱动芯片、直流电机、显示器件;红外线遥控器与...
杨晓京方聪聪
文献传递
球形压头与单晶铝材料纳米接触过程的多尺度分析被引量:1
2013年
采用准连续介质多尺度理论及排斥力场函数,建立了刚性球形压头与单晶铝材料表面纳米接触与脱离过程的跨尺度分析模型,得到载荷-位移响应曲线、原子变化状态图及位移云纹图.研究了接触与脱离过程中单晶铝材料微观变形时原子的排列情况以及压头形状对位错的形核和发射产生的影响.从微观角度分析了接触变形机理.结果表明,随着接触深度的增加,球形压头下部两侧的原子受力方向不断变化,使得载荷-位移响应曲线出现不同于方形压头的阶梯状.由于压头形状的影响,压头两侧的密排原子面实现部分滑移形成了肖克利不完全位错.脱离过程中,原子紧贴压头向上移动,实现部分弹性恢复,残余位移为0.3 nm,非常接近单晶铝单位位错的伯格斯矢量的模0.285 nm.
杨晓京方聪聪
关键词:位错
一种具有记录功能的称重器
本实用新型涉及到一种具有记录功能的称重器,属于自动化控制技术领域。电阻应变片通过运算放大器与基于I2C传输的ADC芯片相连接,基于I2C传输的ADC芯片与基于I2C传输的EEPROM芯片通过I2C总线与51单片机的两个I...
杨晓京方聪聪
文献传递
一种开穴器
本实用新型涉及一种开穴器,包括触土部件、限位装置、动力轴、类凸轮机构、弹簧调节螺母、弹簧Ⅰ、连杆、机架、连杆凸台、弹簧Ⅱ、连杆侧杆、连杆上端螺纹、连杆下端铰接孔;触土部件上端设有限位装置,动力轴与类凸轮机构连接,弹簧调节...
戈振扬吴旺旺郑旭颖于英杰方聪聪
文献传递
晶体铝纳米接触与摩擦行为的多尺度与有限元分析研究
微机电系统(MEMS)中广泛存在的微纳米接触与摩擦问题表现出不同于宏观接触问题的新特性,而纳米尺度的接触摩擦问题对微机电系统、微/纳器件的设计、制造、使用寿命等至关重要。然而,在埃量级的原子尺度下,材料发生变形和破坏过程...
方聪聪
关键词:有限元分析原子力显微镜
文献传递
单晶锗各向异性力学性能实验被引量:9
2014年
通过纳米压痕实验对单晶锗(100)、(110)、(111)晶面进行各向异性力学性能的分析研究。根据纳米压痕过程中获得的载荷-位移曲线并结合Oliver-Pharr理论对材料的弹性模量和硬度进行考察。实验结果表明:单晶锗在纳米压痕过程中发生明显的塑性变形,并且(110)晶面塑性最好,(100)晶面其次,(111)晶面塑性最差;硬度与弹性模量变化趋势相一致,在压入深度较小时,材料受表面效应的影响,硬度和弹性模量发生明显波动,而且由于单晶锗各个晶面上的原子密度以及晶面间距有较大的差异,单晶锗表现出稳定的各向异性,硬度和弹性模量大小依次为:(111)晶面、(110)晶面、(100)晶面。随着压入深度增加,硬度和弹性模量逐渐趋于稳定,大小依次为:(110)晶面、(100)晶面、(111)晶面。
杨晓京刘艳荣杨小江方聪聪
关键词:纳米压痕晶面各向异性弹性模量
纳米尺度单晶锗各向异性摩擦磨损性能试验研究被引量:3
2015年
利用纳米压痕仪和原子力显微镜,分别对单晶锗Ge(100)、Ge(110)、Ge(111)3种晶向的表面进行纳米尺度下的摩擦磨损试验。在较大载荷的条件下,3种不同晶面取向的单晶锗磨损情况均呈现沟槽形式,沟槽两侧出现明显的碎屑堆积现象。在划痕试验过程中,单晶锗的磨损性能受晶面取向影响较小;单晶锗的摩擦力随着滑动速度的增加而增加。而且,随着滑动速度的增大,晶体表面出现严重的磨损-沟槽损伤,沟槽两侧碎屑堆积的体积也越来越大,沟槽的深度也逐渐增大;单晶锗在较低载荷下,摩擦力基本保持稳定,但随着载荷的增大,单晶锗的摩擦力呈非线性增长,载荷增大一定值时,晶体表面发生明显的由塑性变形向脆性破坏转变的脆塑转变过渡过程,导致单晶锗表面发生脆性剥离,形成沟槽两侧碎屑堆积。
杨晓京刘艳荣杨小江方聪聪
关键词:纳米压痕各向异性磨损
一种液晶显示器的防视疲劳装置
本实用新型涉及到一种液晶显示器的防视疲劳装置,属于微控制器的电路及程序控制的技术领域。液晶显示器的防视疲劳装置包括51单片机、时钟芯片、主动式红外感应器、达林顿管、继电器、LED指示灯;时钟芯片、主动式红外感应器、LED...
杨晓京方聪聪
文献传递
一种基于AVR单片机的智能充电器
本实用新型涉及一种基于AVR单片机的智能充电器,属于电子技术领域。本实用新型所述AVR单片机的PWM端口OC1A与OC1B通过整流滤波电路与充电电池的正极连接,AVR单片机的ADC0口与充电电池的正极、整流滤波电路连接、...
杨晓京方聪聪彭华林
文献传递
共1页<1>
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