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曹林洪

作品数：109 被引量：198H指数：7
供职机构：西南科技大学更多>>
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相关领域：一般工业技术理学电气工程化学工程更多>>

合作作者

文献类型

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领域

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主题

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  • 6篇介电性能
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  • 5篇激光
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作者

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传媒

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年份

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  • 7篇2007
  • 5篇2006
  • 1篇2005
共 109 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
Fe3O4/MgO(100)薄膜外场诱导电阻变化特性被引量：1
2012年
采用激光分子束外延(L-MBE)方法,以MgO(100)为基底生长了Fe3O4单晶薄膜,研究了Fe3O4/MgO(100)薄膜外场(温度、磁和激光场)诱导电阻变化特性。X射线衍射(XRD)分析表明Fe3O4薄膜是沿MgO(200)晶面外延生长的单晶薄膜;反射高能电子衍射(RHEED)强度振荡曲线分析表明Fe3O4薄膜表面平整,而且生长模式为2维层状生长;原子力显微镜(AFM)分析表明Fe3O4薄膜表面粗糙度为0.201 nm,说明薄膜表面达到原子级平整度。外场作用下Fe3O4薄膜的电阻测试表明:薄膜样品的电阻在120 K(Verwey转变温度)出现一峰值,略微下降后继续增大,展现出半导体型的导电特性;在激光作用下,整个测量温度范围内薄膜样品的电阻减小,样品展示出瞬间光电导的特性;从降温曲线可以看出,Verwey转变温度由无激光作用时的120 K上升到有激光作用时的140 K;光致电阻变化率随着温度的降低而增大,这主要是由于激光作用导致电荷有序态的退局域化。
曹林洪吴卫东唐永建王雪敏
关键词：反射高能电子衍射磁电阻
Ag纳米阵列嵌埋单斜相二氧化钒复合薄膜的制备及光/电性能
2020年
基于六角密排聚苯乙烯(PS)模板,采用电子束蒸镀法在石英基片上制备了Ag纳米阵列嵌埋的单斜相二氧化钒复合薄膜(Ag NPAs/VO2(M)),研究复合薄膜的微观结构、相变特性及光透过率。结果表明:复合薄膜中同时存在VO2(M)和Ag两相。复合薄膜相变温度(TC)低至55℃,通过能带模型分析揭示了Ag纳米颗粒的嵌入使得复合薄膜中自由电子浓度升高,诱发相变在较低温度处发生。相对于纯的VO2薄膜,在590~750 nm波段的透射率明显减弱,归因于复合薄膜中Ag NPAs对590~750 nm波段的可见光共振吸收,使得VO2薄膜固有的棕黄色被削弱。
周章洋熊政伟曹林洪吴卫东
关键词：二氧化钒透过率银纳米颗粒
外延生长四方相Pb(Zr_(0.65)Ti_(0.35))O_3薄膜被引量：1
2011年
以SrRuO3(SRO)为缓冲层和底电极,利用射频溅射法在LaAlO3(LAO)单晶基片上制备了Pb(Zr0.65Ti0.35)O3(PZT)薄膜。X射线衍射分析显示PZT薄膜与基底有以下外延取向关系:(001)[010]PZT‖(001)[010]SRO‖(001)[010]LAO。虽然PZT薄膜组分位于菱方相区域,但由于基底的夹持效应,透射电子显微镜观察表明PZT薄膜呈现四方相。对以Pt或SRO为上电极的PZT薄膜的电性能分别进行了研究,结果显示两种样品都具有抗疲劳性,并且Pt/PZT/SRO薄膜电容与SRO/PZT/SRO薄膜电容相比具有更大的漏电流。氧化物基片和底电极的引入使得PZT薄膜的居里点与块材相比有所下降。电容-温度测试曲线表现出典型的居里-外斯定律特征,薄膜损耗随着温度上升而下降。当温度接近PZT薄膜相转变点的时候,由于夹持应力的解除导致薄膜损耗急剧下降。
刘敬松李惠琴曹林洪徐光亮
关键词：射频磁控溅射漏电流损耗
同质外延生长ZnO单晶结构及光电性能的研究被引量：1
2021年
本文报道了同质外延生长氧化锌(ZnO)单晶在高温氧气气氛退火前后的结构及光电特性。利用化学气相输运(CVT)法生长了红棕色的ZnO单晶,且进行高温氧气气氛退火处理后的ZnO单晶呈现无色透明状。通过X射线衍射仪(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、能谱仪(EDS)和拉曼(Raman)光谱测试分析了高温氧气气氛退火前后的ZnO单晶结构,讨论了退火对单晶内部缺陷类型及结构的影响。XRD测试表明ZnO单晶的生长方向为(002)方向。退火前后ZnO单晶的ω摇摆曲线半高宽分别为59″和31″,表明退火后单晶内缺陷显著减少;XPS和EDS能谱分析了退火前后ZnO单晶的成分和元素价态,结果表明高温氧气气氛处理后单晶内Zn和O元素含量比更接近理论值;通过Raman光谱分析了高温氧气气氛处理前后ZnO单晶的不同拉曼振动模式;通过紫外光谱数据分析,得到了退火前后ZnO单晶的光学禁带宽度分别为3.05 eV和3.2 eV;最后,通过Hall测试分析了高温氧气气氛退火处理前后ZnO单晶的电学性能参数,并深入讨论了退火前后ZnO单晶的低温电输运特性。
刘振华樊龙符亚军王进曹林洪吴卫东
关键词：ZNO晶格氧禁带宽度载流子浓度
一种压电极化装置
本发明提供一种压电极化装置，包括：高压电源、多通道电流测量装置、极化夹具、加热装置、控温装置、安全防护装置；所述高压电源与极化夹具连接用于极化夹具上固定的试样；所述多通道电流测量装置与极化夹具连接用于测量极化夹具中各个极...
李延波曹林洪周晓慧王军霞吴浪刘桂香温建武
文献传递
多孔阵列聚合物模板及铜微/纳米线的可控制备被引量：1
2018年
金属纳米线阵列材料是最具潜力的高时空分辨X射线强辐射源材料之一。采用集束热拉伸法,通过尺寸设计和参数控制,制备了包埋高度取向的聚苯乙烯微纳米线有序阵列结构的聚甲基丙烯酸甲酯复合丝,通过后续包埋、切片、溶解等处理过程,获得孔径/孔间距约为1∶1的多孔聚甲基丙烯酸甲酯模板。通过光学显微镜和扫描电镜(SEM)观察,二级模板的孔径及孔间距尺寸约十几微米,三级模板的孔径及孔间距尺寸约500 nm。利用电化学沉积技术在制备的模板上成功地生长了铜微/纳米线,铜纳米线长度超过10μm。该研究为特定尺寸要求的金属微纳米线阵列的制备提供了技术支持。
李洋曹林洪杨波周秀文刘旭东牛高
关键词：金属纳米线
脉冲电场下ZnO压敏陶瓷动态击穿过程研究被引量：5
2019年
陶瓷电击穿问题涉及热、光、电多场耦合效应,一直是非平衡物理学研究的重点和热点。本工作在不同烧结温度下制备了晶粒尺寸大小不同的氧化锌陶瓷,采用脉冲高压发生装置对陶瓷进行击穿实验,通过对陶瓷击穿过程的分析和对比,研究了ZnO陶瓷体击穿的时间步骤。结果显示,不同晶粒大小的陶瓷击穿过程均在7μs 之内,典型的压降曲线分为三个阶段。第一个阶段对应于材料中的气孔击穿和击穿通道初步形成;第二阶段对应于晶界击穿;第三个阶段是导电通道的完全形成。研究数据显示,晶粒击穿过程的持续时间最长,晶界次之,气孔的击穿时间最短。不同烧结温度下,样品晶界和晶粒的击穿时间以及气孔的击穿速度均存在差异。
祝志祥张强朱思宇卢成嘉刘艺杨佳吴超峰曹林洪王轲高志鹏朱承治
关键词：多晶材料脉冲电压
基底温度对三氧化钨薄膜光电化学性能的调控研究被引量：2
2021年
由于环境友好性、高的地球丰度和稳定的物理化学性质,三氧化钨在光电响应、光催化领域应用潜力巨大,受到了人们的广泛关注。薄膜形态的光催化材料能够避免粉体材料的团聚问题,并且在转移、回收再利用方面优势明显,因此制备用于光催化的三氧化钨薄膜是当前的研究前沿。本文通过磁控溅射在石英玻璃基底上沉积三氧化钨薄膜,研究了不同基底温度对薄膜结构和形貌的影响。采用X射线衍射、X射线光电子能谱、场发射扫描电镜、紫外可见吸收光谱、电化学工作站、光催化自组装平台对薄膜的成分形貌、光电化学性能、光催化活性进行表征。测试结果表明:基底温度为500℃时制备的单斜相三氧化钨薄膜具有较好的结晶性和更少缺陷,在500℃的基底温度下,新出现的(002)晶面取向的晶粒导致薄膜表面粗糙度和表面能增加,提升了光生电子空穴分离效率。光降解实验进一步证实此条件下制备的样品表现出最佳的光降解效率。可见,基底温度对磁控溅射制备的三氧化钨薄膜的光电化学性能有明显的调控作用。
杨镜鑫赵佳萍郭佳兴熊彪林永乐王进曹林洪熊政伟符亚军
关键词：基底温度磁控溅射三氧化钨光电响应光催化薄膜
泡沫铜及其制备方法和应用
本发明提供了一种泡沫铜及其制备方法和应用，涉及泡沫铜制备技术领域，上述泡沫铜的制备方法首先以聚氨酯泡沫为基体依次进行预处理、化学沉积、电沉积将金属铜沉积于聚氨酯泡沫上；随后进行热还原处理去除聚氨酯泡沫，得到泡沫铜；其中，...
王进吕雪玲曹林洪黄亚文符亚军
文献传递
低T_g双功能型光折变聚合物的合成及其光致发光特性
2013年
以不同比例的重氮盐分别与聚双(N-羟基己氧基咔唑)磷腈(P-1)进行偶合反应,得到了一组以咔唑和对硝基偶氮咔唑为官能团的双功能型光折变聚合物P-2,P-3和P-4,用31 P NMR,1 H NMR,IR,TG,DSC和UV-Vis光谱对该组聚合物进行表征和分析,以325nm的激发波长对P-1,P-2,P-3和P-4进行固体荧光稳态发射光谱的测试。结果表明,该组聚合物具有良好的热稳定性(Td≈300℃)和较低的玻璃化温度(Tg≈30～40℃),P-1具有良好的荧光活性,硝基的引入,导致P-2,P-3和P-4的荧光发生不同程度的猝灭,咔唑与对硝基偶氮咔唑的数量及其空间分布排列的都会对其荧光性能产生影响。
屈玉峰方瑜许良孙连来杨睿戆罗炫曹林洪刘红婕黄进蒋晓东
关键词：咔唑聚磷腈光折变光致发光猝灭
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