朱开贵
- 作品数：31 被引量：38H指数：3
- 供职机构：北京航空航天大学物理科学与核能工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>
- 在铝的阳极氧化过程中氧化铝纳米线的生长
- 2011年
- 在两步法制备多孔阳极氧化铝模板过程中,观察到氧化铝纳米线的生长.这种纳米线生长过程不同于通常的化学腐蚀生成过程,电场和应力的共同作用是导致氧化铝纳米线形成的主要原因,同时抛光后铝箔表面的纳米压痕也是导致纳米线形成的重要因素.
- 朱开贵程竞然常明超王武魏文博葛广路
- 一种无机全固态电致变色元件及其制备方法
- 本发明提供一种无机全固态电致变色元件及其制备方法，该元件的结构为：在掺锡氧化铟玻璃基片上依次沉积的氧化钨薄膜、偏硼酸锂和硫酸锂混合物薄膜、镍氧化物薄膜、掺锡氧化铟薄膜；其制备方法的步骤如下：将掺锡氧化铟导电玻璃切割出适合...
- 王聪杨海刚刁训刚王怀义朱开贵王天民
- 文献传递
- Mo覆盖层对MgO/CoFeB/Mo结构磁各向异性的影响
- 2015年
- 研究了Mo覆盖层厚度对MgO/CoFeB结构磁各向异性的影响.研究发现,加平行磁场生长出来的MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,并且随着CoFeB的厚度减小,面内各向异性逐渐减弱;在CoFeB厚度减小到1.1nm时,仍可以保持面内各向异性,垂直方向的外加饱和场逐渐减少;厚度在0.9nm及以下的情况下,面内各向异性消失.改变Mo覆盖层厚度,当tMo=1.6nm时,垂直方向的饱和场最小.当生长过程的磁场变为垂直磁场时,不同厚度的Mo覆盖层对MgO/CoFeB的磁各向异性影响不同.Mo厚度在1nm及以下时MgO/CoFeB/Mo样品表现为面内各向异性,Mo覆盖层厚度在1.2和5nm之间时样品出现了垂直磁各向异性;并且垂直方向的矫顽力也发生了变化,Mo覆盖层厚度为1.4nm时样品的磁滞损耗会大一些.
- 于涛刘毅朱正勇钟汇才朱开贵苟成玲
- 关键词：覆盖层垂直磁各向异性
- 直流磁控溅射技术制备TiNxOy薄膜
- 2008年
- 利用直流磁控溅射技术在玻璃衬底上制备了TiNxOy薄膜样品。发现薄膜的颜色、晶体结构、光学性质等都强烈依赖于反应气体的流量。利用光电子能谱（XPS）、X射线衍射（XRD）、UV—Vis分光光度计、扫描电子显微镜（SEM）等测试手段对样品进行表征。结果表明：随着O2流量的逐步增加，薄膜逐渐呈现非晶态，晶粒逐渐变小。薄膜结构从TiN到TiNxOy再向TiO2过渡。透射光谱显示从TiN的不透明逐渐增加到透明度为80％，且吸收阈发生蓝移。
- 陈尔东王聪杨海刚朱开贵
- 关键词：直流磁控溅射吸收光谱微观形貌
- 一种含铂中间层的锑掺二氧化锡电极的制备方法
- 本发明公开了一种含铂中间层的锑掺二氧化锡电极的制备方法，涉及到涂层钛电极的制备领域。本发明的特点是先在预处理好的钛基体上镀一层铂中间层，再涂覆锡锑活性层。钛基体的预处理包括打磨、碱洗、酸洗三个步骤，通过磁控溅射等方法在处...
- 朱开贵邵彩茹
- 文献传递
- 一种高稳定性钛基二氧化锡阳极氧化电极的制备方法
- 本发明公开了一种高稳定性钛基二氧化锡阳极氧化电极的制备方法。将碱洗过的钛基片在盐酸中刻蚀30分钟，得到预处理后的基片。将此基片在置于气氛退火炉中，控制升温温度，升温到一定温度后，在氩氧混合气中保温处理一段时间，自然冷却到...
- 朱开贵闫波
- 文献传递
- W掺杂Ti-SnO_2电极制备及性能研究
- 2016年
- 利用溶胶凝胶-旋涂的方法制备得到3%、6%和9%不同W掺杂量的Ti-SnO_2电极。W掺杂的SnO_2涂层均匀的覆盖在基片上,电极表面无明显的龟裂纹。W掺杂能提高Ti-SnO_2电极的导电性,同时会降低涂层电极的析氧过电位,3%W掺杂的Ti-SnO_2电极的析氧过电位约为2.3V。利用计时电位法测定电极的寿命,3%W掺杂的Ti-SnO_2电极寿命最长,导致W掺杂Ti-SnO_2电极失效的主要原因是致密TiO2层的形成。
- 闫波陈阿青朱开贵
- 关键词：DSA
- 一种制备单根超长Cu纳米线并测量其电学性能的方法
- 本发明公开了一种制备单根超长Cu纳米线、并在其两端简单有效地制备电极用于测量其电学性能的方法。该方法主要包括以下步骤：（1）单根超长Cu(NO<Sub>3</Sub>)<Sub>2</Sub>/PVA前驱纳米纤维的制备。...
- 朱开贵王武
- 文献传递
- 磁控溅射钨薄膜在氦辐照下的起泡行为
- 钨材料具有很高的熔点、较低的溅射阈值、较高的热导率以及不与氢发生反应等优点，被人们视为面对等离子体材料(PFM)最有希望的候选材料之一。人们认为具有纳米结构的材料具有良好的抗辐照效应，因此研究具有纳米结构的钨材料的抗辐照...
- 俞坚钢韩文佳陈哲朱开贵
- 关键词：钨起泡
- 镶嵌在SiO_2薄膜中的纳米InSb颗粒的制备被引量：11
- 1998年
- 用射频磁控测射的方法制备了镶嵌在SiO2 薄膜中的纳米InSb颗粒 .透射电子显微镜观察表明 ,纳米InSb颗粒均匀地镶嵌在SiO2 介质中 .通过控制热处理的条件 ,可以得到具有不同颗粒尺寸的InSb纳米颗粒 .InSb颗粒的尺寸与热处理温度和时间成正比 ,但是并不满足t1/3 的关系 .另外 ,还通过X射线衍射以及X射线光电子能谱对InSb SiO2
- 朱开贵石建中魏彦峰张立德
- 关键词：磁控溅射二氧化硅薄膜锑化铟
