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李中波

作品数：18 被引量：0H指数：0
供职机构：中国科学院合肥物质科学研究院更多>>
相关领域：一般工业技术文化科学化学工程更多>>

合作作者

文献类型

  • 18篇中文专利

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇化学工程
  • 1篇文化科学

主题

  • 8篇氧化铝模板
  • 8篇纳米
  • 7篇活性基
  • 5篇银纳米颗粒
  • 5篇银
  • 4篇阳极氧化法
  • 4篇有序阵列
  • 4篇离子溅射
  • 4篇溅射
  • 3篇阵列
  • 3篇联苯
  • 3篇金膜
  • 3篇衬底
  • 2篇导电
  • 2篇导电玻璃
  • 2篇电池
  • 2篇电解
  • 2篇对硫磷
  • 2篇修饰
  • 2篇氧化硅薄膜

机构

  • 18篇中国科学院合...

作者

  • 18篇李中波
  • 18篇孟国文
  • 10篇朱储红
  • 8篇黄竹林
  • 4篇张倬
  • 4篇唐海宾
  • 3篇梁婷
  • 3篇汪志伟
  • 3篇刘菁
  • 2篇胡小晔
  • 2篇唐朝龙
  • 2篇张欣瑞
  • 2篇陈斌
  • 2篇王美玲
  • 2篇侯超
  • 1篇赵志飞

年份

  • 3篇2017
  • 1篇2016
  • 6篇2015
  • 4篇2014
  • 2篇2013
  • 1篇2012
  • 1篇2011
共 18 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种原电池机理诱导生长银纳米片阵列的制备方法及其SERS效应应用
本发明公开了一种原电池机理诱导生长银纳米片阵列的制备方法及其SERS效应应用，通过组装的铜-银原电池在蒸金后的导电玻璃上制备银纳米片阵列，由该方法制备的银纳米片阵列，具有较强的均匀的表面增强拉曼散射，即SERS效应。应用...
李中波孟国文朱储红张倬梁婷
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金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途
本发明公开了一种金纳米颗粒-银纳米半球阵列及其制备方法和用途。阵列为置于衬底的银膜上附有银纳米半球组成的有序阵列，银纳米半球的球直径为85～95nm、球间距≤10nm，其上修饰有粒径为5～10nm的金纳米颗粒；方法为先对...
唐海宾孟国文李中波朱储红黄竹林张倬
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银纳米柱簇阵列及其制备方法和用途
本发明公开了一种银纳米柱簇阵列及其制备方法和用途。阵列由覆于金膜上的银纳米柱簇阵列组成，其中，组成银纳米柱簇阵列的银纳米柱簇由顶端聚集的20根以上的柱直径为55～75nm、柱长为750～850nm、柱根中心距为130～1...
朱储红孟国文李中波
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银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底的制备方法
本发明公开了一种银纳米颗粒修饰的聚丙烯腈纳米结构阵列柔性衬底的制备方法，属于SERS衬底制备领域。该方法包括：制备薄膜：在硅衬底上制备有序排列的纳米凹坑模板，将聚丙烯腈溶液旋涂在所述纳米凹坑模板上，之后进行烘干，冷却后获...
李中波孟国文胡小晔汪志伟
表面构筑有金、银纳米丝的金纳米管阵列及其制备方法和用途
本发明公开了一种表面构筑有金、银纳米丝的金纳米管阵列及其制备方法和用途。阵列为组成阵列的金纳米管的内外壁上构筑有沿其管径向生长的金、银纳米丝，其中，金纳米管的管外径为60～80nm，金、银纳米丝的丝长均为6～10nm、丝...
侯超孟国文黄竹林陈斌朱储红李中波
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形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途
本发明公开了一种形貌可控的银纳米片组装结构阵列的制备方法及其产物的用途。方法为先对惰性导电基底蒸金，再于其上涂敷正性光刻胶并干燥，得到其上覆有正性光刻胶和金膜的惰性导电基底，接着，先将具有有序阵列透光图案的光刻板覆盖于其...
李中波孟国文赵志飞梁婷
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银纳米颗粒-氧化锌多孔纳米片-碳纤维布复合衬底及其制备方法和用途
本发明公开了一种银纳米颗粒-氧化锌多孔纳米片-碳纤维布复合衬底及其制备方法和用途。衬底为由氧化锌纳米颗粒组成的氧化锌多孔纳米片竖立于碳纤维布上，且其表面修饰有银纳米颗粒，其中，氧化锌多孔纳米片的片高为11～12μm、片宽...
汪志伟孟国文李中波周琪涛刘菁
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海胆状银纳米半球阵列及其制备方法和用途
本发明公开了一种海胆状银纳米半球阵列及其制备方法和用途。阵列为热熔胶衬底上的银膜上依次附有按六方有序排列的银六方底边锥台和银半球，银膜、银六方底边锥台和银半球的表面修饰有银纳米颗粒；方法为先用二次阳极氧化法得到通孔氧化铝...
唐海宾孟国文李中波朱储红黄竹林
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银‑锗‑硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途
本发明公开了一种银‑锗‑硅异质分级结构阵列及其制备方法和用途。阵列为六方排列的硅微米六棱柱阵列，组成六方排列的硅微米六棱柱阵列的硅微米六棱柱上置有其表面修饰有银纳米颗粒的锗纳米锥；方法为先将硝酸镍溶液和氧化石墨烯溶液混合...
刘菁孟国文李中波
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掺杂芴甲氧羰酰氯的氧化硅薄膜及其制备方法和应用
本发明公开了一种掺杂芴甲氧羰酰氯的氧化硅薄膜及其制备方法和应用。薄膜为氧化硅薄膜中掺杂有芴甲氧羰酰氯，芴甲氧羰酰氯与氧化硅间的质量比为0.0048～0.0067∶1；方法为先将正硅酸乙酯、乙醇和去离子水按照0.5～1.5...
唐朝龙孟国文黄竹林张欣瑞李中波王美玲
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