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李传义: 作品数：29 被引量：18H指数：4; 供职机构：北京大学物理学院人工微结构与介观物理国家重点实验室更多>>; 发文基金：国家自然科学基金国家教委资助优秀年轻教师基金国家教育部博士点基金更多>>; 相关领域：理学电子电信一般工业技术电气工程更多>>

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半连续金属膜在中断蒸镀后的电阻弛豫研究: 1997年; 在超高真空的环境中蒸镀半连续铌（Ｎｂ）膜和银（Ａｇ）膜，中断蒸镀后，立即原位测量样品电阻在１０ｍｉｎ内随时间的变化（弛豫现象）。发现Ｎｂ膜和Ａｇ膜分别表现出电阻升高和降低的不同行为，而且基底温度和膜厚对弛豫强度都有较大的影响。分析表明。; 吴军桥王志军吴克张金龙李传义尹道乐; 关键词：金属膜

高温超导体霍尔电阻和霍尔角在涡旋玻璃相变附近的普适标度律及统一霍尔电阻方程: 2009年; 发现了一个钉扎效应影响霍尔电阻ρxy和霍尔角θH的普适标度律.同时,根据纵向电阻ρxx的扩展幂律形式和对霍尔电导σxy的微观分析,给出了一个对有一次或多次霍尔反号的高温超导体都适用的霍尔电阻方程.; 贺丽胡翔尹澜许恒毅徐晓林郭建栋李传义尹道乐; 关键词：高温超导体

Nb／C_（60）／p型Si结构的特性被引量：4: 1994年; 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１．; 陈开茅金泗轩贾勇强吴克李传义顾镇南周锡煌; 关键词：电学特性异质结

固体C_（70）／P型Si接触的电学性质: 1995年; 我们制成固体Ｃ７０／ｐ型Ｓｉ单晶半导体异质结电流电压（Ｊ－Ｖ）测量表明该结具有强整流作用，当偏压为±２Ｖ时，其整流比大于１０４倍电流温度（Ｊ－Ｔ－１）测量表明结的正向电流与温度的倒数呈指数关系，从中可得接触势垒的有效高度为０．２７ｅＶ．; 陈开茅贾勇强吴克金泗轩李传义周锡煌顾镇南; 关键词：电学性质硅碳70 P型异质结

固体C_(60)/Si异质结的电学表征——整流特性、能带模型与温偏效应: 1996年; 研究了非掺杂固体C_(60)与n-Si和与p-Si接触的电学性质,电流-电压(J-V)特性测量表明两种接触的导电极性相反,且都具有很强的整流作用,表明在两种接触界面附近存在着阻挡载流子输运的、性质不同的势垒.电流-温度(J-T)测量表明,电流与温度的倒数呈指数依赖关系,从中估算出C_(60)/n-Si和C_(60)/p-Si异质结的有效势垒高度分别为0.30和0.48eV.引进异质结的能带模型,成功地解释了上述测量结果,由能带模型和测量数据估算出以硅为衬底的固体C_(60)膜的电子亲合能为3.92eV,禁带宽度小于1.72eV,高频电容-电压(C-V)测量表明:温偏对异质结的C-V特性有严重影响,用C_(60)膜中的可动负离子效应成功地解释了这一现象,并估算出负离子浓度为3.1×10^(12)cm^(-2).用高频C-V测量准确确定了C_(60)的相对介电常数,在300—370K温度范围内其值为3.7±0.1.; 陈开茅贾勇强金泗轩吴克李传义顾镇南周锡煌; 关键词：碳60 异质结电学性质

研究C_(60)-金属相互作用的一种新方法被引量：1: 1996年; 通过在超薄金属层上蒸镀C_(60)时的电阻原位测量,我们发现在平均厚度约一个C_(60)单层范围内样品电阻有明显可观测的变化,电阻变化的方向和幅度与金属层厚度以及金属材料的种类有关。这一新的现象揭示出有可能利用宏观物理性质测量来间接研究C_(60)-金属界面相互作用,从而对常规微观谱测量的结果给出旁证和补充。; 赵文兵吴军桥陈军吴克张金龙李传义尹道乐顾镇南周锡煌金朝霞; 关键词：相互作用电阻测量碳60 金属

固体C_(60)/n-GaN接触的电学性质被引量：4: 1999年; 本文通过在ＧａＮ衬底上生长固体Ｃ６０膜制成了Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ接触，并对其电学性质作了测量．我们发现该接触是理想因子接近于１的强整流接触异质结．在偏压为±１Ｖ时，其整流比高达１０６．在固定正向偏压条件下，异质结电流是温度倒数的指数函数，通过求激活能得出异质结的有效势垒高度为０．５３５ｅＶ．本文还发现，固体Ｃ６０／ｎ－ＧａＮ样品中Ｃ６０的电导随着正向偏压的增加而迅速变大．这种现象被认为起因于ｎ－ＧａＮ对Ｃ６０的电子注入．; 陈开茅孙文红秦国刚吴克李传义章其麟周锡煌顾镇南; 关键词：氮化镓电学性质