李旻奕
- 作品数：6 被引量：1H指数：1
- 供职机构：湖北大学物理学与电子技术学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金教育部“新世纪优秀人才支持计划”更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- CaCu3Ti4O12的C-V反常特性研究
- CaCu3Ti4O12材料具有很高的介电常数及较好的频率和温度稳定性,可满足介质元件微型化与集成化的要求,特别是在动态随机存储器(DRAM)中有广泛的应用前景.CaCu3Ti4O12巨介电性能的起源仍倍数争议,被广泛接受...
- 徐玲芳杨靖鹏成涛李旻奕冯人綦杨昌平
- P型和N型Cu_2O薄膜的电化学制备
- 2014年
- 以FTO玻片为基底,在不同pH值下采用恒电位电化学沉积法制备Cu2O样品.利用XRD、SEM、EDS对样品的相组成、晶体结构、微观形貌和化学成分进行了表征,并对Cu2O薄膜的光电性质和载流子类型进行了测量和分析.结果表明Cu2O薄膜的半导体性质与所用电解液的酸碱度有关,在酸性条件下,如pH=4,5时制备的Cu2O薄膜为N型半导体,在中性和碱性条件下,如pH=6,7,8,9,10,11时,制备的Cu2O薄膜为P型半导体.实验结果对制备N型Cu2O以及Cu2O的PN型同质结提供了一种有效方法.
- 阚芝兰石大为吴美玲李旻奕肖海波杨昌平
- 关键词：CU2O电化学沉积光电性质
- 氧含量对CaCu_3Ti_4O_(12)巨介电常数和介电过程的影响被引量：1
- 2012年
- 本文研究了在真空、空气和氧气中烧结制备的三种CaCu_3 Ti_4O_(12)陶瓷材料的介电特性.交流阻抗测量结果表明在10-300 K温度范围,三种样品的介电温谱中均出现三个平台,其电阻实部和电容虚部在相应温度出现损耗峰,真空条件烧结的样品具有较高的介电平台和较明显的电阻实部与电容虚部峰值,表明氧含量和氧空位对CaCu_3Ti_4O_(12)的介电性质具有重要影响,介电温谱出现的三个平台分别源于晶粒、晶界及氧空位陷阱.温谱分析表明晶粒的激活能与烧结气氛有较大关系,氧空位引起的电子短程跳跃及跳跃产生的极化子是晶粒电导和电容的主要起源.氧空位陷阱的激活能基本与烧结气氛无关,约为0.46 eV氧空位对载流子的陷阱作用是CaCu_3Ti_4O_(12)低频高介电常数的重要起源.
- 杨昌平李旻奕宋学平肖海波徐玲芳
- 关键词：CACU3TI4O12巨介电常数氧空位
- CaCu3Ti4O12陶瓷的巨介电特性与阻抗谱研究
- 罗晓婧徐玲芳李旻奕成涛杨昌平
- 氧空位有关的CaCu3Ti4O12陶瓷C-V反常研究
- 徐玲芳齐鹏博成涛李旻奕冯人綦杨昌平
- CaCu3Ti4O12陶瓷的巨介电特性与阻抗谱研究
- 由于介电陶瓷具有较高的介电常数,可满足介质元件微型化与集成化的要求,特别由于在动态随机存储器(DRAM)中存在的广泛应用前景,使得对它们的研究日益受到重视.CaCu3Ti4O12体系由于具有特别高的介电常数(～104),...
- 罗晓婧徐玲芳李旻奕成涛杨昌平
