李蓓
- 作品数：13 被引量：24H指数：3
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学建筑科学更多>>
- ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)被引量：5
- 2004年
- 采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。
- 叶志镇李蓓黄靖云袁国栋赵炳辉
- 关键词：ZNO薄膜
- ZnO肖特基二极管
- 本实用新型的ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本实用新型的ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造...
- 叶志镇李蓓黄靖云张海燕
- 文献传递
- 一种ZnO肖特基二极管
- 本发明的ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本发明的ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联...
- 叶志镇李蓓黄靖云张海燕
- 文献传递
- 在薄硅外延片上制备高频肖特基势垒二极管被引量：7
- 2003年
- 采用超高真空化学气相沉积技术 ,在 n型重掺 Si衬底上生长了轻掺的薄硅外延层 ,利用扩展电阻和原子力显微分析对外延层进行了检验 .结果表明 ,重掺 Si衬底与薄硅外延层之间的界面过渡区陡峭 ,外延层厚度在亚微米级 ,掺杂浓度为 10 1 7cm- 3.在此外延片上制备了高频肖特基二极管的原型器件 。
- 张海燕叶志镇黄靖云李蓓谢靓红赵炳辉
- 关键词：肖特基势垒二极管硅外延层截止频率
- 高频肖特基二极管
- 本发明的高频肖特基二极管包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片，欧姆接触电极，周边围有二氧化硅的金属阻挡层和金属电极，其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm，外延层掺杂浓度为1×10<Sup>15</Sup...
- 叶志镇张海燕黄靖云李蓓
- 文献传递
- 肖特基二极管相关材料生长及器件研究
- 该文以降低器件的串连电阻为目的,采用半导体薄膜材料作有源层.利用我们自行研制的超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)技术外延了亚微米级的Si薄膜,成功的制作了具有整流特性的高频薄硅肖特基二极管的原型器件.此后又对用新型材...
- 李蓓
- 关键词：肖特基二极管半导体薄膜材料化学气相沉积ZNO薄膜
- 文献传递
- 二次退火对Al/Ti/n-GaN/Si欧姆接触的影响
- 2003年
- 采用热壁外延的方法在硅衬底上生长出n-GaN晶体,制成了Ti/Al双层电极的欧姆接触。通过对不同退火条件下的I-V特性曲线、X射线衍射及二次离子质谱分析,揭示了界面固相反应对该接触的影响,并提出了一种新的二次退火的方法。结果表明,经过二次退火后,Al、Ti、GaN发生了界面固相反应,其接触性能明显提高。
- 邵庆辉李蓓李嘉炜黄靖云叶志镇
- 关键词：欧姆接触氮化镓界面固相反应
- 高频肖特基二极管
- 本发明的高频肖特基二极管包括由重掺杂硅衬底和硅外延层构成的硅外延片,欧姆接触电极,周边围有二氧化硅的势垒金属和金属电极,其特征是所说的硅外延层的厚度为0.4μm～1μm,外延层掺杂浓度为1×10<Sup>15</Sup>...
- 叶志镇张海燕黄靖云李蓓
- 文献传递
- 一种ZnO肖特基二极管
- 本发明的ZnO肖特基二极管是在衬底的正面自下而上依次沉积第一金属电极层、ZnO晶体膜外延层和第二金属电极层而构成。本发明的ZnO肖特基二极管，由于欧姆接触与肖特基接触的电极直接在ZnO外延层的两侧，可避免因衬底造成的串联...
- 叶志镇李蓓黄靖云张海燕
- 文献传递
- AlGaN/GaN基HEMT器件的研究进展(英文)被引量：2
- 2003年
- 由于AlGaN具有高的击穿电场(3 MV/cm,是GaAs的7.5倍),且在AlGaN/GaN异质结处存在高浓度的极化诱导二维电子气,AlGaN基高电子迁移率晶体管是目前最适合应用于微波大功率放大领域的器件。着重对影响高频大功率AlGaN/GaN性能的材料结构和器件制作进行了阐述。
- 邵庆辉李蓓叶志镇
- 关键词：电子迁移率晶体管二维电子气
