李驰平
- 作品数：5 被引量：18H指数：2
- 供职机构：北京工业大学材料科学与工程学院更多>>
- 发文基金：北京市优秀人才培养资助国家自然科学基金北京市教育委员会科技发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程更多>>
- 新一代栅介质材料——高K材料被引量：10
- 2006年
- 介绍了微电子工业的发展趋势和Si O2作为CMOS栅介质减薄所带来的问题,从而引出对高K材料的需求,简单介绍了作为栅极介质的各种高介电常数材料的性能的比较及制备高K薄膜的主要方法,总结了一些高K材料的研究现状,论述了目前有待进一步解决的问题,并展望了高K材料的发展趋势。
- 李驰平王波宋雪梅严辉
- 关键词：高K材料介质材料高介电常数材料微电子工业SIO2
- ZnO薄膜p型掺杂的研究进展被引量：6
- 2007年
- ZnO薄膜作为一种多功能半导体材料,近年来一直受到广泛关注。然而,如何制备高质量的p型ZnO薄膜是实现其实用化的关键。概括了p型掺杂困难的原因,并指出Ⅲ-Ⅴ族元素共掺杂可能是p型掺杂的最好方法。简单回顾了ZnO薄膜p型掺杂的研究现状,并对今后的发展趋势进行了展望。
- 李驰平张铭宋雪梅王波李彤严辉
- 关键词：ZNO薄膜P型掺杂
- ZnO半导体薄膜的制备及其掺杂特性的研究
- ZnO是一种具有纤锌矿晶体结构的直接宽带隙半导体材料。由于ZnO薄膜在压电、光电、热电、铁电等诸多方面都具有优异的性能，被广泛应用于声表面波器件、体声波器件、气敏元器件、变阻器、透明电极等，成为继GaN之后半导体光电领域...
- 李驰平
- 关键词：ZNO薄膜半导体材料P型共掺杂P-N结磁控溅射
- 文献传递
- La_(1-x)Sr_xMnO_3/TiO_2(x=0.2,0.15,0.04)异质pn结的整流特性被引量：2
- 2007年
- 采用磁控溅射法制备的La1-xSrxMnO3(LSMO)/TiO2异质pn结表现出很好的整流特性.室温电流电压特性曲线显示随着Sr掺杂的增加,扩散电压增大,这可能由于Sr掺杂的增加导致载流子浓度增大所致.电流电压变温特性曲线显示随着测量温度的降低,扩散电压增大,这可能由于随着测量温度的变化导致界面电子结构的变化所致.值得提出的,异质pn结电阻随温度变化曲线表现出单层LSMO的金属绝缘相变特性,并且在低测量温度时表现出随着测量温度的降低结电阻增大,这可能是由于宽带隙的TiO2的引入导致.
- 李彤李驰平张铭王波严辉
- 关键词：异质结整流特性
- SrMnO_3阻挡层对La_(0.8)Sr_(0.2)MnO_3/Si异质结整流特性的改善
- 2006年
- 对用磁控溅射方法在硅基上直接沉积La0.8Sr0.2MnO3和引入SrMnO3(SMO)阻挡层后沉积La0.8Sr0.2MnO3进行了比较。对薄膜结构用X射线衍射试验表征,并分析了薄膜取向生长的原因。卢瑟福背散射实验结果表明,SMO阻挡层的引入显著地削弱了LSMO和Si界面层处的元素互扩散。电学测试表明LSMO/SMO/Si结构比LSMO/Si结构具有更好的p-n结整流特性,而且随SMO缓冲层的增厚,整流特性反而削弱。
- 李彤李驰平王波宋雪梅张铭严辉
- 关键词：阻挡层整流特性
