杨克涛 作品数:8 被引量:33 H指数:4 供职机构: 北大先行泰安科技产业有限公司 更多>> 发文基金: 国家自然科学基金 更多>> 相关领域: 一般工业技术 化学工程 电子电信 电气工程 更多>>
BN纤维/Nylon1010复合电子基板材料的制备与性能 被引量:5 2005年 采用挤压注塑法制备BN/N y lon1010复合电子基板材料,研究了不同BN纤维填充量的复合基板材料的微观组织结构和复合电子基板材料的介电性能及导热性能。结果表明,当BN纤维体积含量小于40%时,BN纤维基本上以孤岛形式分布在N y lon1010基体上;当BN纤维体积含量大于40%时,BN纤维开始形成连续网络。复合基板的介电常数随着BN纤维含量的增加而线性增加,介质损耗则随着BN纤维含量的增加而线性降低,复合基板的热导率随BN纤维的加入量增加而增大,但起初变化较小。当BN纤维体积含量大于40%时,热导率开始迅速增加。 傅仁利 杨克涛 李淑琴 韩艳春关键词:介电性能 热导率 AlN薄膜的研究进展 被引量:10 2005年 AlN薄膜是宽带隙绝缘材料,在热、电、光和机械等方面具有非常良好的综合性能。本文对近些年来AlN薄膜的制备方法和性能研究作了简要的回顾介绍。 杨克涛 陈光辉关键词:ALN薄膜 金属铝基板表面微弧氧化绝缘化处理与介电性能 本文采用微弧氧化的方法对金属铝基板表面进行绝缘化处理.通过XRD、SEM对膜层进行了研究分析,并测试了膜层的绝缘性能和介电性能.研究结果表明:绝缘膜层主要由α-Al2O3和γ-Al2O3两相组成,微弧氧化膜层的绝缘电阻率... 韩艳春 杨克涛 何洪 宋秀峰 沈源 傅仁利关键词:表面微弧氧化 绝缘性能 介电性能 文献传递 绝缘金属铝基板的制备及介电性能研究 被引量:6 2006年 采用阳极氧化的方法分别在浓度2%和4%的草酸体系下对金属铝基板表面进行了绝缘化处理。通过SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:浓度4%的草酸体系下得到的绝缘膜表面存在直径80nm左右的针状物,它可能是膜表面形成的Al(OH)3水合物。较大浓度的草酸电解液的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的介电性能。 杨克涛 傅仁利关键词:铝基板 草酸 阳极氧化 介电性能 铝基板阳极氧化成膜温度与膜层结构 被引量:10 2005年 对铝基板在草酸体系下阳极氧化成膜温度进行了研究,发现膜的起始破坏温度为32.5℃,而与草酸电解液的浓度关系不大。通过XRD、SEM对膜层进行了分析,并测试了膜层的绝缘性能。结果表明:氧化膜层是以非晶态形式存在的,膜表面存在直径80nm左右的针状物,形成Al(OH)3水合物。较高溶液温度下,草酸的溶解作用加剧了膜层断面开裂、膜质疏松等缺陷,严重影响着膜层的绝缘性能,温度不超过32.5℃,能得到均匀、致密的膜层。 杨克涛 傅仁利关键词:复合材料 铝基板 阳极氧化 草酸 氮化铝陶瓷低温烧结过程中的液相迁移与表层晶粒生长 被引量:3 2004年 对YF3 CaF2烧结助剂体系的氮化铝(AlN)低温烧结过程中液相向表面迁移的现象和表层晶粒生长进行了研究,同时分析讨论了液相迁移的机制。AlN低温烧结过程中液相向表面的迁移,有利于减少晶界相,提高其热导率。然而,液相向表面过量迁移和富集则导致了表层晶粒的异常生长,坯体内部由于缺乏液相烧结助剂不能实现致密化,这一现象也造成陶瓷基板的翘曲。AlN陶瓷坯体在烧结起始阶段的快速收缩和坯体内部AlN晶界两面角大于72.5°都有助于液相向表面迁移。低温烧结后陶瓷表面的主要物相是AlN和Y2O3,Y2O3的出现并被碳热还原生成可挥发的YN可能是表面呈现蓝紫色的原因。表面Y2O3的产生与钇铝酸盐(Y3Al5O12,Y4Al2O9)液相迁移至AlN陶瓷表面并与炉中碳气氛发生碳热还原有关。 傅仁利 杨克涛 熊党生 乔梁 周和平关键词:晶粒生长 氮化铝 绝缘金属基板表面绝缘薄膜的制备和介电性能研究 本文分别采用阳极氧化法、微弧氧化法和磁控反应溅射沉积氮化铝薄膜的方法对功率电子器件用金属铝基板表面进行绝缘化处理。采用x射线衍射仪(XRD)对表面绝缘薄膜的物相组成进行了分析,扫描电子显微镜(SEM)对表面绝缘薄膜的微观... 杨克涛关键词:阳极氧化法 介电性能 文献传递 氮化铝薄膜的制备及介电性能研究 被引量:1 2007年 采用直流磁控反应溅射的方法在金属铝基板表面沉积AlN薄膜。通过XRD、SEM对绝缘膜层进行了研究分析,并测试了膜层的介电性能。结果表明:在靶基距和溅射功率分别为5cm、150W,衬底温度在室温25℃~300℃内制备的AlN薄膜为六方晶型,沿c轴平行于衬底表面的(100)和(110)晶面生长。AlN薄膜表面有很多蠕虫状形态的晶粒随机地分布在膜平面内,这可能是200℃的衬底温度下AlN薄膜介电性能较好的原因。 杨克涛 傅仁利关键词:直流磁控反应溅射 ALN薄膜 介电性能