杨梅君
- 作品数：25 被引量：26H指数：3
- 供职机构：武汉理工大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划湖北省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：一般工业技术化学工程电子电信电气工程更多>>
- 一种ZrC‑ZrB<Sub>2</Sub>‑SiC三元共晶复合陶瓷材料及其制备方法
- 本发明公开了一种ZrC‑ZrB<Sub>2</Sub>‑SiC三元共晶复合陶瓷材料，它以ZrC、ZrB<Sub>2</Sub>、SiC粉末为原料，采用定向凝固工艺制备而成，各原料所占摩尔百分比为：ZrC 10‑30％，Z...
- 涂溶肖冰章嵩李其仲杨梅君张联盟
- 文献传递
- 一种在石英玻璃表面沉积碳化硅涂层的方法
- 本发明涉及一种在石英玻璃表面沉积碳化硅涂层的方法，具体步骤如下：1)抽真空使沉积腔内压强降到10Pa以下；2)向沉积腔内通入氢气，调节沉积腔内压强为200～2000Pa，加载激光对石英玻璃表面进行刻蚀；3)将沉积腔内抽真...
- 章嵩徐青芳杨梅君涂溶张联盟
- 一种冷凝器自动除尘的高低温测试设备
- 本实用新型公开了一种冷凝器自动除尘的高低温测试设备，包括内循环系统、外循环系统、控制系统和冷凝器自动除尘系统；内循环系统和外循环系统共用一换热器；冷凝器除尘系统包括设置在冷凝器上的灰尘传感器、用于喷洒清洗剂清洗冷凝器的水...
- 李其仲廖连科杨梅君章嵩涂溶
- 文献传递
- Mg2Si同质纳微米复合材料的制备及其热电性能
- 以平均晶粒尺寸约3μm及20nm的Mg2Si粉末为原料，采用放电等离子体烧结方法制备出不同纳米、微米含量的Mg2si纳微米复合块体材料，系统研究了纳微米结构对材料热电性能的影响。结果表明：随复合材料中纳米颗粒含量的增加，...
- 杨梅君罗卫军沈强张联盟
- 关键词：热电性能
- 一种碳化硅光学反射镜及其增材制造方法
- 本发明公开了一种碳化硅光学反射镜及其增材制造方法。该方法包括以下步骤：将炭黑粉、碳化硅粉与粘结剂混合，得到复合粉末；采用激光选区烧结成型技术将复合粉末成型为反射镜生坯；采用酚醛树脂溶液对反射镜生坯进行循环浸渍‑碳化处理，...
- 刘凯孙策任科研章嵩涂溶杨梅君叶家豪
- Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6)超微粉体的制备及机理研究
- 2015年
- 以高纯Mg,Si,Sn粉为原料,采用固相反应合成方法制备得到单相Mg_2Si_（0.4）Sn_（0.6）固溶体粉体,再采用机械球磨的方法对粉体进行细化。利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对不同工艺条件下球磨后的粉体进行形貌及物相分析,研究Mg_2Si_（0.4）Sn_（0.6）固溶体球磨过程中颗粒尺寸及组分的变化,认为球磨转速为370 r/min,20∶1的球料比,以正己烷为球磨介质,选用WC材质的球磨罐和硬质球,球磨时间30 h,可以得到颗粒尺寸为4~5μm左右的单相Mg_2Si_（0.4）Sn_（0.6）粉体。随着球磨时间的延长,氧化现象加剧,固溶体出现分相,出现Mg O和Sn的衍射峰。
- 杨梅君童吉楚
- 关键词：热电材料分相
- Si(111)基片上Mg_2Si薄膜的脉冲激光沉积被引量：2
- 2014年
- 采用脉冲激光沉积方法在Si(111)基片上制备了Mg2Si薄膜。研究了激光能量密度、退火气氛及压强、退火温度、退火时间等工艺条件对Mg2Si薄膜生长的影响。用X射线衍射仪分析了Mg2Si薄膜的物相,用原子力显微镜、高分辨场发射扫描电镜表征了薄膜的形貌。实验结果表明:在激光能量密度为2.36 J/cm2,Si(111)基片上室温、真空(真空度10-6Pa)条件下沉积,在Ar气压强为10 Pa,500℃,30 min条件下原位退火得到了纯相、结构均匀、表面平整、厚度约为900 nm的Mg2Si多晶薄膜。
- 杨梅君王传彬沈强
- 关键词：脉冲激光沉积多晶薄膜
- 一种具有激光可焊性的高导热电子封装壳体的制备方法
- 本发明涉及一种电子芯片封装壳体的制备方法。一种具有激光可焊性的高导热电子封装壳体的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)壳体底板的制备；2)梯度框架的制备；3)梯度框架与壳体底板的焊接；4)后处理，得产品。本发明利用脉...
- 张东明张联盟顾晓峰杨梅君
- 文献传递
- SiC_p/Al复合材料的SPS烧结及热物理性能研究被引量：8
- 2006年
- 采用纯粉末,通过SPS烧结制备了组织均匀、致密且体积分数高的SiC_p/Al电子封装材料．通过对SPS烧结现象的研究,认为该复合材料的SPS烧结过程属于反应性烧结,大部分收缩在极短时间内完成；另外对SiC体积分数和SiC颗粒尺寸对热导率、热膨胀系数的影响进行了研究,发现SiC体积分数越高,复合材料的热导率和热膨胀系数越低；SiC颗粒粒径增大,复合材料的热导率增高,而热膨胀系数减小．
- 顾晓峰张联盟杨梅君张东明
- 关键词：电子封装SPS热导率热膨胀系数
- 纳米Mg_2Si材料的制备及热电性能研究
- 2016年
- 以高纯Mg,Si粉合成得到的Mg_2Si微米粉体为原料,采用机械球磨方法制备纳米Mg_2Si粉体。对球磨过程中球磨介质、球料比、转速及球磨时间进行分析,发现:通过机械球磨微米Mg_2Si的方法,以正己烷为球磨介质,选取WC球和罐,在球料比为20:1、转速为370r/min、球磨70h时即可获得平均晶粒尺寸约为十几纳米的Mg_2Si纳米粉体。采用放电等离子体烧结(SPS)烧结纳米Mg_2Si粉体,块体晶粒长大,但仍在100nm左右;由于晶界散射作用,纳米块体Mg_2Si热导率明显降低,电导率、Seebeck系数一定程度下降,综合热电三因素,纳米Mg_2Si块材在800K时获得最大ZT值,为0.36,明显优于微米块体材料。
- 杨梅君
- 关键词：MG2SI机械球磨纳米粉体热电性能
