杨燕
- 作品数：11 被引量：8H指数：1
- 供职机构：国家知识产权局更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术电气工程更多>>
- 底发射OLEDs的ITO阳极构造研究进展
- 2014年
- 透明导电氧化物是底发射OLEDs所常采用的阳极材料,是影响OLEDs器件性能的重要因素之一。氧化铟锡(ITO)作为最常采用的透明导电氧化物材料,其性能将直接影响OLEDs的器件性能。本文从ITO的表面粗糙化、表面纳米结构以及电极形状三个方面对其进行介绍,使得研究者们能够详细了解近年来OLEDs器件ITO构造的研究状况。
- 杨燕韩颖姝裴亚芳
- 关键词：氧化铟锡
- OLED电极研究进展被引量：1
- 2014年
- 有机发光二极管(OLED)由于具有众多优点而越来越受到人们关注。电极——阳极和阴极是影响OLED器件性能的重要因素。从透明导电氧化物等6方面介绍阳极材料,从合金阴极等4方面介绍阴极材料,以使研究者详细了解近年OLED器件的阳极和阴极材料的研究状况。摘要:
- 杨燕韩颖姝裴亚芳
- 关键词：OLED阳极阴极透明导电氧化物
- OLEDs阳极/有机界面特性研究进展被引量：1
- 2014年
- 有机发光二极管(OLED)由于具有众多优点而越来越受到人们关注。阳极/有机界面特性影响器件的性能和寿命。从阳极修饰和阳极构造两方面介绍电极/有机界面的研究进展,以使相关研究者详细了解近年来电极/有机界面的研究状况。
- 韩颖姝杨燕裴亚芳
- 关键词：OLED阳极
- 相变存储器专利技术现状和趋势分析被引量：3
- 2013年
- 选择相变存储器作为主题,通过标准的检索方式,使用关键词并结合国际专利分类号,对中国专利检索数据库中的中国发明专利申请进行了全面的检索,得到相关的发明专利申请,对上述数据进行细致的手工筛选分类,并作了深入的研究分析,揭示了中国相变存储器领域内发明专利申请的当前状况和未来的发展趋势。
- 范崇飞杨燕张思秘王丽
- 关键词：相变存储器
- 用于照明的OLEDs阴极/有机界面特性研究进展被引量：1
- 2014年
- 电极/有机界面特性是影响OLEDs器件性能的重要因素,而提高阴极和有机界面之间的载流子注入,能够改善OLEDs的发光效率以及工作电压。本文从阴极修饰和阴极构造两个方面介绍阴极/有机界面的研究进展,以期对阴极/有机界面的研究给出指导。
- 杨燕韩颖姝裴亚芳
- 关键词：OLEDS阴极
- 白光LED研究进展被引量：1
- 2014年
- 从单芯片无荧光粉和多芯片无荧光粉两方面介绍不使用荧光粉的白光LED;从单芯片加荧光粉和多芯片加荧光粉两个方面介绍使用荧光粉构造的白光LED,供研究者详细了解近年白光LED的研究状况。
- 韩颖姝杨燕裴亚芳
- 关键词：白光LED荧光粉单芯片多芯片
- 低噪声CMOS图像传感器的重点专利分析被引量：1
- 2013年
- 随着大规模集成电路设计和信号处理技术的提高,CMOS图像传感器日益受到重视,成为固态图像传感器的研究热点,但是噪声仍是制约CMOS图像传感器发展的重要因素之一。针对低噪声的CMOS图像传感器技术领域的专利文献,给出了该领域主要申请人的申请量分布图,并对该领域的重要专利进行分析,介绍了前5位重要专利的技术特点。
- 杨燕陆然武建刚裴亚芳张思秘
- 关键词：固态图像传感器CMOS低噪声
- 顶发射OLEDs阴极研究进展
- 2014年
- 顶发射有机发光二极管具有众多的优点,而阴极的材料和结构是影响顶发射OLEDs器性能的重要因素。本文从金属叠层等四个方面介绍阴极材料,微透镜等四个方面介绍阴极结构,使得研究者能够详细了解近年来顶发射OLEDs阴极的研究状况。
- 韩颖姝杨燕裴亚芳
- 关键词：OLEDS阴极
- CMOS图像传感器专利分析——针对申请人以及目标国的分析被引量：1
- 2013年
- 随着集成电路设计技术和工艺水平的进步,CMOS图像传感器已逐渐占据了主导地位。针对CMOS图像传感器技术领域的专利文献,分析了该领域主要申请人以及目标国的分布情况,使得申请人能够清楚了解该技术领域的专利状况。
- 杨燕陆然韩颖姝颜庙青马圆
- 关键词：CMOS图像传感器专利申请人
- CMOS图像传感器的关键专利分析被引量：1
- 2013年
- CMOS图像传感器具有低成本、低功耗、易集成和读取高速灵活等优点,随着近年来CMOS图像传感器技术的发展,CMOS图像传感器正逐渐取代传统的CCD图像传感器的主流地位。针对CMOS图像传感器领域的专利文献,基于专利文献的引用频次,对该领域的关键专利进行研究和分析,总结了关键专利的技术要点。
- 陆然杨燕王晓华张思秘
- 关键词：图像传感器CMOS
