杨玉琨
- 作品数：10 被引量：9H指数：2
- 供职机构：吉林大学材料科学与工程学院超硬材料国家重点实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 热壁外延制备的n－PbTe／p－Si异质结特性研究被引量：1
- 1995年
- 本文报道了首次用热壁外延（ＨＷＥ）方法，在Ｓｉ（１００）衬底上，制备ｎ－ＰｂＴｅ／ｐ－Ｓｉ异质结的工艺及测试结果．由Ｘ－射线衍射谱确认，ＰｂＴｅ外延层是单晶，Ｉ－Ｖ曲线表明，该异质具有良好的整流特性．由Ｃ－Ｖ测量得到异质结的内建电势差．最后算出能带偏移．
- 杨玉琨李文明于磊杨易徐立兴熊欣王善力黄和鸾
- 关键词：碲化铅异质结热壁外延
- PbTe单晶薄膜的热壁外延被引量：2
- 1992年
- 介绍了一种简单的HWE装置和利用这一装置在BaF_2(111)面上生长PbTe单晶外延层的工艺。扫描电镜、X-光衍射和霍尔测量表明,PbTe单晶外延层是完美的。
- 杨玉琨吴连民杨易唐万新赵斌
- 关键词：单晶PBTE外延层
- 含镧金属富勒烯不同溶剂的高温高压提取被引量：3
- 1998年
- 将金属原子或离子置于以Ｃ６０、Ｃ８２为代表的富勒烯笼内形成金属富勒烯包合物是目前富勒烯研究的热点课题［１～３］．合成的金属富勒烯常伴随生成较难分离的空心富勒烯，传统的索氏提取法效率又较低，使得金属富勒烯的深入研究受到限制［１，２］．本文采用改进的高温...
- 刘冰冰刘子阳徐文国杨海滨高春晓李冬妹杨玉琨刘淑莹邹广田
- 关键词：镧金属富勒烯高温富勒烯衍生物
- 热壁外延（HWE）制备PbTe／PbSnTe异质结和超晶格被引量：1
- 1996年
- 本文于国内首次报导，利用简化的热壁外延（ＨＷＥ）装置在ＢａＦ＿２（１１１）衬底上生长了Ⅳ—Ⅵ族半导体单晶外延层，制备了ＰｂＴｅ／ＰｂＳｎＴｅ异质结和具有２０个周期的超晶格．测试结果表明，所制备的外延层的晶体结构完美，异质结具有良好的整流特性．通过Ｘ—光衍射求出了超晶格的周期．超晶格样品（２２２）衍射峰的卫星峰不对称，说明样品内有应变．
- 杨玉琨李文明熊欣于磊于泳杨易吴连民徐跃徐立兴
- 关键词：热壁外延异质结超晶格碲化铅
- 热壁外延制备n-PbTe/p-Pb_(1-x)Sn_xTe异质结
- 1995年
- 用改进的HWE装置，在BaF2衬底上制备n－PbTe／p－Pb_（1-x）Sn_xTe反型异质结的工艺及测试结果。SEM，XRD检测表明它是单晶异质结，I－U曲线表明它具有良好的整流特性。此外用C－U截距法测定了它的内建电势差Ud。
- 杨玉琨李文明于磊杨易吴连民徐跃徐立兴熊欣
- 关键词：热壁外延异质结
- 热壁外延与Ⅳ-Ⅵ族半导体红外器件
- 1999年
- 文章介绍了热壁外延（ＨＷＥ） 技术及其应用．主要介绍了用热壁外延技术制作的几种Ⅳ－ Ⅵ族半导体红外探测器和激光器，介绍了这方面国际上近年来的一些新进展。
- 杨玉琨李冬妹陈海勇于三邹广田
- 关键词：热壁外延红外探测器
- HWE生长PbTe单晶薄膜及生长机理的研究被引量：4
- 1992年
- 本文介绍了一种简单的热壁外延(HWE)装置,和利用它在BaF_2(111)衬底上生长PbTe(111)单晶薄膜的工艺,并讨论了生长机理.
- 杨玉琨杨易赵斌吴连民姜亦忠刘岩峰
- 关键词：热壁外延单晶碲化铅
- CdTe单晶薄膜的热壁外延被引量：1
- 1991年
- CdTe不仅是制作核辐射探测器的重要材料,而且还可用来制作太阳能电池,是外延Hg1-zCdzTe的理想衬底。由于很难获得大块完美的单晶,为此,人们对CdTe单晶外延层的生长进行了广泛的研究。 热壁外延（Hot Wall Epitaxy,缩写为HWE）是一种真空沉积薄膜的方法。其主要特点是在蒸发源和衬底之间加了一个套筒,并加热,成为热壁。目的在于能生长出完美的单晶外延层,形成一个很接近热力学平衡的沉积系统,迫使从蒸发源出来的原子或分子指向衬底。
- 杨玉琨孟庆巨杨慧吴连民赵永生郑大方
- 关键词：单晶热壁外延CDTE真空沉积
- 热壁外延被引量：1
- 1990年
- 本文介绍了热壁外延的原理。
- 杨玉琨孟庆巨吴连民
- 关键词：热壁外延单晶
- 热壁外延ZnSe单晶薄膜
- 1991年
- 介绍了一种结构更加简单的热壁外延装置,以及用该装置在GaAs(100)面上生长ZnSe单晶外延层的工艺。扫描电镜和X射线衍射分析表明用该装置生长的ZnSe单晶外延层是比较理想的。
- 杨玉琨吴连民孟庆巨王海峰杨慧孙明岩
- 关键词：热壁外延硒化锌单晶
