- p-型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究
- 本工作以高纯Zn0为靶材，氩气为溅射气体，利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌Zn0薄膜。薄膜沿择优取向生长，厚约为1.2 μm,呈现电绝缘特性。将溅射的Zn0薄膜在10-3Pa，510-1000K的温...
- 杨通崔海峰邢国忠关丽秀姚斌
- 关键词：射频磁控溅射退火温度
- 文献传递
- p型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成和性能研究被引量：1
- 2006年
- 以高纯ZnO为靶材,氩气为溅射气体．利用射频磁控溅射技术在石英衬底上生长出纤锌矿结构的富锌ZnO薄膜．薄膜沿（002）择优取向生长，厚约为1．2μm．呈现电绝缘特性．将溅射的ZnO薄膜在10^-3Pa·510～1000K的温度范围等温退火1h，室温Hall测量结果表明ZnO薄膜的导电性能经历了由绝缘-n型-p型-n型半导体的变化．XPS测试表明ZnO薄膜的Zn／O离子比随退火温度的升高而降低．但一直是富锌ZnO．说明未掺杂的富锌ZnO也可以形成P型导电．P型未掺杂富锌ZnO薄膜的形成可归因于Vzn。受主浓度可以克服Vo和Zn本征施主的补偿效应．
- 杨通崔海峰邢国忠关丽秀丛春晓谢玉鹏姚斌
- 关键词：ZNO薄膜磁控溅射导电性能
- 铟磷共掺杂p型氧化锌薄膜形成机理和性质(英文)被引量：2
- 2009年
- 利用射频磁控溅射在石英衬底上生长出铟磷共掺氧化锌薄膜(ZnO:In,P),所用靶材为掺杂五氧化二磷(P2O5)和氧化铟(In2O3)的氧化锌(ZnO)陶瓷靶,掺杂质量分数分别为1.5%和0.3%,溅射气体为Ar和O2的混合气体。原生ZnO薄膜是绝缘的, 600℃退火5 min后导电类型为n型,而800℃退火5 min后为p型。p型ZnO薄膜的电阻率、载流子浓度和霍尔迁移率分别为12.4Ω.cm, 1.6×1017cm-3和3.29 cm2.V-1.s-1。X射线衍射测量结果表明所有样品都只有(002)衍射峰,并与相同条件下生长的未掺杂ZnO相比向大角度方向偏移,意味着In和P都占据Zn位。XPS测试结果表明在共掺ZnO薄膜中P不是取代O而是取代Zn。因此,铟磷共掺ZnO薄膜中,In和P都取代Zn,并且PZn与2个锌空位(VZn)形成PZn-2VZn复合受主,薄膜表现为p型。
- 陈足红姚斌郑昌佶杨通赵婷婷单崇新张振中李炳辉张吉英申德振
- 关键词：氧化锌共掺射频磁控溅射XPS
- P型ZnO薄膜的制备及其结构、光学和电学性质的研究
- ZnO是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料,其室温下的带隙宽度为3.37eV,激子束缚能高达60 meV。此外,ZnO还具有来源丰富、价格低廉的优点,使其在短波长的光电子器件方面具有极好的应用前景以及很高的开发和应用价值...
- 杨通
- 关键词：磁控溅射P型ZNO薄膜
- 文献传递
