武淑兰
- 作品数：12 被引量：8H指数：2
- 供职机构：中国科学技术大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国科学技术大学青年基金国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术机械工程更多>>
- 氦原子光学振子强度的高分辨dipole(e,e)研究被引量：2
- 1996年
- 利用高分辨快电子能量损失谱仪,采用高分辨的dipole(e,e)方法对氦原子的光学振子强度进行了研究.它避免了光学测量中的困难,提高了实验精度.在21～26 eV的能量损失范围内测量得到了氦的I^1S→n^1P中跃迁以及电离过程的光学振子强度谱,并在59～67eV和 69～74eV的能量损失范围内对氦的自电离共振过程的光学振子强度谱进行了研究,所得结果与前人的工作进行了比较.
- 凤任飞杨炳忻武淑兰邢士林张芳钟志萍郭学哲徐克尊
- 关键词：氦原子光学振子强度碰撞
- 氢分子电子态b^1П_u及其振动态的微分截面和振子强度
- 1994年
- 在电子入射能量300 eV条件下,测量了氮分子在不同散射角下的12—14 eV能区的能量损失谱,散射角范围为2.75°—10.25°。得到了电子态b^1∏_u振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推k^2至零的方法得到了b^1∏_u及其振动能级v’=1—4的散射微分截面和广义振子强度,并通过外推K^2主零的方法得到了b^1∏_u及其振动能级v’=1—4的光学振子强度。
- 徐克尊钟志萍武淑兰凤任飞S.OhtaniT.TakayanagiA.Kimota
- 关键词：氮分子光学振子强度
- 高分辨快电子能量损失谱仪的信号探测和控制获取系统
- 凤任飞武淑兰
- 关键词：高分辨率信号探测电子能谱仪控制系统
- 氮分子价壳层光学振子强度的高分辨偶极(e,e)研究
- 1997年
- 氮气是地球大气层中含量最高的气体,氮分子光学振子强度的研究在大气物理、空间物理和环境科学中有着非常重要的意义. 这些结果在其他领域如等离子体物理、氮激光器的研究中也有其广泛的应用.但目前有关氮分子的绝对光学振子强度的理论计算据我们了解都还停留在电子态的水平,尚未深入到振动态的层次,因而从实验上精确测量氮分子电子振动态的绝对光学振子强度对理论工作的深入开展也具有重要的推动作用.
- 张晓军凤任飞钟志萍暨青朱林繁武淑兰徐克尊
- 关键词：氮分子光学振子强度价壳层
- 氧分子的价壳层光学振子强度研究
- 1997年
- 在入射电子能量为１５００ｅＶ、平均散射角为０°、能量分辨为６０ｍｅＶ条件下，得到了氧分子在５７—２８５ｅＶ能量区间的光学振子强度密度谱，获得了氧分子Ｅ３－ｕ的ν′＝０，１，２和２３Πｕ的ν′＝０，１各振动能级的绝对光学振子强度，同时检验了我们的ＢｅｔｈｅＢｏｒｎ转换因子外推到低能端的可靠性．
- 朱林繁钟志萍暨青张晓军武淑兰凤任飞徐克尊
- 关键词：氧分子价壳层光学振子强度
- 高分辨快电子能量损失谱仪和(e，2e)电子动量谱仪
- 徐克尊杨炳忻凤任飞陈向军武淑兰
- 项目属仪器科学研制和原子分子物理领域。自行研制成功在原子分子物理实验研究中起着最重要作用的具有国际先进水平的两台大型装置--高分辨快电子能量损失谱仪和(E，2E)电子动量谱仪，这两种装置国内原属空白。高分辨快电子能量损失...
- 关键词：
- 氩原子近LⅡ,Ⅲ边结构和振子强度密度被引量：2
- 1997年
- 在入射电子能量２５００ｅＶ，平均散射角为０°的条件下测量了氩原子内壳层２ｐ电子激发和电离的高分辨电子能量损失谱，确定了分立态的有效量子数和电离边的能量．同时确定了两组分立跃迁和电离连续区的振子强度密度．
- 凤任飞武淑兰刘颖辉暨青徐克尊
- 关键词：氩原子内壳层
- 一个高分辨快电子能量损失谱仪供电系统的物理设计和应用
- 本文介绍一个高分辨快电子能量损失谱仪的供电系统的设计思想、供电方案及主要电源的设计指标。实践证明这个设计是可行的、先进的。
- 邢士林徐克尊凤任飞武淑兰
- 关键词：供电系统
- 文献传递
- 一氧化碳分立跃迁的光学振子强度和微分散射截面研究
- 1998年
- 在电子入射能量１５００ｅＶ、平均散射角为０°和能量分辨为６０ｍｅＶ条件下，得到了一氧化碳在７—２１ｅＶ能量区间的绝对光学振子强度密度谱，获得了电子态Ａ１Π，Ｂ１Σ＋，Ｃ１Σ＋及Ｅ１Π的各振动能级的绝对光学振子强度，通过与已发表的各实验和理论数据作比较，分析了差异的原因，并讨论了偶极（ｅ，ｅ）方法确定光学振子强度的局限性．同时还给出在电子入射能量１５００ｅＶ时上述四个电子态的各振动能级的绝对微分散射截面．
- 钟志萍武淑兰徐征朱林繁张晓军凤任飞徐克尊
- 关键词：分子一氧化碳光学振子强度散射截面
- AI/GaAs界面微结构的慢正电子束研究被引量：3
- 1993年
- 基于正电子扩散方程,对于线形全吸收型等特殊的界面模型,求得了正电子湮没辐射多普勒展宽S参数与单能慢正电子入射能量E之间函数关系S(E)的解析表达式。测量不同膜厚、不同退火条件下Al/GaAs的S(E),用所得解析式拟合实验数据,发现Al/GaAs界面系统与线形全吸收型界面模型符合得很好。通过拟合,得出了界面S参数S_1及其与膜厚和退火温度的关系,由此对界面微结构及其动力学特性作了讨论。
- 翁惠民周先意徐纪华孙式军朱警生武淑兰韩荣典
- 关键词：显微结构
