毛旭峰
- 作品数：11 被引量：9H指数：2
- 供职机构：昆明物理研究所更多>>
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- 相关领域：电子电信金属学及工艺更多>>
- 一种用于碲镉汞液相外延用石墨舟磨合的自动化装置
- 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延用石墨舟磨合的自动化装置，包括位于工作台面上的底座夹具单元、磨合行程控制单元、磨合力度控制单元和喷淋单元以及位于其正面的总控制器；磨合行程控制单元、磨合力度控制单元和自动喷淋单元分别与总...
- 杨岸宋魏华宋林伟李达毛旭峰木胜万志远向学文杨翔杨之光
- 文献传递
- 可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法
- 本发明提供了一种可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法，该石墨舟包含盖板、工字块、滑块、垫块和基座；滑块用于放置垫块，液相外延生长时衬底放置于垫块上；基座、滑块、工字块、盖板四个部分从下向上依次组装在一起；工...
- 宋林伟孔金丞万志远李达李培源毛旭峰杨岸宋巍华朱辉陆骏
- 可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法
- 本发明提供了一种可自动取片的水平推舟式碲镉汞液相外延用石墨舟及方法，该石墨舟包含盖板、工字块、滑块、垫块和基座；滑块用于放置垫块，液相外延生长时衬底放置于垫块上；基座、滑块、工字块、盖板四个部分从下向上依次组装在一起；工...
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- 文献传递
- 碲镉汞(MCT)富汞液相外延技术综述
- 2019年
- 富汞LPE是唯一能以生长方式实现As掺杂并直接激活成受主的外延技术,可在富Te水平外延生长的外延薄膜之上生长出高组分厚度为1um-3um的p型覆盖层(Cap层)形成p-on-n型组分梯度异质结构碲镉汞材料,实现碲镉汞p-on-n型组分梯度异质结构的优化设计生长。从而优化碲镉汞探测器的性能,提高碲镉汞焦平面探测器的工作温度,降低组件的体积、重量和功耗,提高可靠性,为高性能红外热像仪的应用创造更多的领域。
- 毛旭峰宋林伟吴军张阳
- 液相外延碲镉汞材料组分均匀性改善被引量：7
- 2014年
- 由碲镉汞薄膜材料的厚度不均匀性入手,改进水平滑舟液相外延工艺,从而改善了碲镉汞薄膜材料组分均匀性,使距薄膜边缘1.5 mm(衬底边缘2.5 mm)以内的薄膜材料组分均匀性得到了长足的提高,增大了薄膜材料用于制备焦平面器件的利用率。中波碲镉汞材料(?1/2(77 K)=4.8?m)?x≤0.001,与国外水平相当。
- 吴军毛旭峰万志远李沛韩福忠
- 关键词：碲镉汞LPE
- 一种碲镉汞液相外延材料生长方法
- 本发明公开了一种碲镉汞液相外延材料生长方法，针对碲镉汞和碲锌镉衬底之间不可避免存在的失配应力导致碲镉汞薄膜质量降低的问题，通过调整液相外延过程中的生长速率，在液相外延生长前段适当提高生长速率，使由于碲镉汞和碲锌镉之间晶格...
- 宋林伟孔金丞万志远方东王文金杨岸毛旭峰起文斌李沛姬荣斌
- HgCdTe材料器件中的热处理技术被引量：1
- 2016年
- 热处理技术在整个HgCdTe材料器件工艺中有着重要地位。在一定的热力学条件下对HgCdTe材料进行热处理,可通过原子的热运动,调整材料电学性能和掺杂原子的占位形态、降低材料缺陷密度,以达到改善HgCdTe材料器件性能的目的。从热处理与电学性能、热处理与缺陷密度、掺杂材料中的热处理技术以及器件工艺中的热处理技术等几方面进行了总结论述。
- 宋林伟吴军李沛张阳毛旭峰李东升
- 关键词：HGCDTE位错密度电学性能
- 一种用于碲镉汞液相外延用石墨舟磨合的自动化装置
- 本发明公开了一种用于碲镉汞液相外延用石墨舟磨合的自动化装置，包括位于工作台面上的底座夹具单元、磨合行程控制单元、磨合力度控制单元和喷淋单元以及位于其正面的总控制器；磨合行程控制单元、磨合力度控制单元和自动喷淋单元分别与总...
- 杨岸宋巍华宋林伟李达毛旭峰木胜万志远向学文杨翔杨之光
- 一种碲镉汞液相外延生长源定量合成的装置
- 本实用新型属于红外探测器制造领域，涉及一种碲镉汞液相外延生长源定量合成的装置，该装置包括石墨模具和石英管，石墨模具是由模具A和模具B紧固扣合而成的密闭空腔，模具A为槽型结构，开设有合成槽；模具B内设置有数个定量槽和导流槽...
- 李东升李沛郭建华万志远黄元晋宋林伟木胜毛旭峰张阳陆骏
- 文献传递
- 利用液相外延制备HgCdTe薄膜晶体的研究
- 当前红外探测器用的碲镉汞薄膜材料由于成本高、生长效率低、质量不高和国外技术封锁等原因，严重制约着红外探测器的应用和发展。富碲水平石墨舟法液相外延技术，成本低、工艺简单、技术成熟，是国内外研究生长碲镉汞薄膜材料的热点。但要...
- 毛旭峰
- 关键词：液相外延红外探测器
