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汤丽娟

作品数:7 被引量:16H指数:2
供职机构:安徽工业大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金安徽省高校省级自然科学研究项目更多>>
相关领域:电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 5篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇专利

领域

  • 4篇电子电信
  • 2篇金属学及工艺

主题

  • 6篇化学机械抛光
  • 6篇机械抛光
  • 3篇抛光
  • 3篇抛光液
  • 3篇极化曲线
  • 3篇
  • 1篇电路
  • 1篇阴离子
  • 1篇抛光速率
  • 1篇去除速率
  • 1篇无机纳米
  • 1篇无机纳米粒子
  • 1篇离子
  • 1篇离子对
  • 1篇磷酸
  • 1篇磨料
  • 1篇纳米
  • 1篇纳米金刚石
  • 1篇金刚石
  • 1篇金刚石磨料

机构

  • 7篇安徽工业大学

作者

  • 7篇汤丽娟
  • 6篇董永平
  • 6篇储向峰
  • 4篇朱小华
  • 4篇乔红斌
  • 1篇陈同云
  • 1篇张王兵
  • 1篇吴芳辉
  • 1篇白林山
  • 1篇李秀金
  • 1篇乔红兵

传媒

  • 2篇金刚石与磨料...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇现代制造工程
  • 1篇微纳电子技术

年份

  • 1篇2013
  • 5篇2012
  • 1篇2011
7 条 记 录,以下是 1-7
排序方式:
阴离子对铜化学机械抛光的影响被引量:2
2011年
在化学机械抛光过程中,抛光液的组成对抛光速率和表面质量有重要影响。利用自制抛光液,研究了在过硫酸铵体系抛光液中不同阴离子(硝酸根离子、溴离子、氯离子)对抛光速率的影响;采用动电位极化扫描技术对各抛光液在金属表面的成膜性能进行分析。结果表明,硝酸根离子的加入加快了阳极溶解反应,低浓度硝酸根离子的加入对抛光速率影响的波动性较大,随着浓度的增加抛光速率逐渐趋于初始值;随着氯离子(≥1mmol/L)或溴离子浓度的增加,抛光液的氧化性能降低,抛光速率不断降低;当溴离子浓度为0.1mmol/L时,Icorr值最小,抛光时对金属铜表面腐蚀程度较小。
汤丽娟储向峰董永平吴芳辉白林山
关键词:化学机械抛光过硫酸铵阴离子抛光速率
HCl-(NH_4)_2S_2O_8体系抛光液中钌的化学机械抛光研究
2012年
金属钌(Ru)有可能作为集成电路中铜互连阻挡层材料,作为阻挡层必须具有低的表面粗糙度。化学机械抛光技术已经成为集成电路制造中实现局部平面化和全局平面化的关键技术,因此对钌的化学机械抛光研究具有重要意义。利用自制抛光液,研究了在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中盐(KCl)的浓度、络合剂浓度、pH值和抑制剂(BTA)等对钌的去除速率的影响。实验发现,在HCl-(NH4)2S2O8体系抛光液中,金属钌在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和10mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,抛光速率为10.8nm/min。电化学实验发现,在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和1mmol/L KCl,pH值为4.0的抛光液中,金属钌表面化学反应受抑制;在1wt.%SiO2、1wt.%过硫酸铵、1wt.%酒石酸、1mmol/L BTA和1 mmol/L KCl,pH值为9.0的抛光液中,金属钌表面钝化膜较致密、较厚。
储向峰李秀金汤丽娟董永平乔红兵
关键词:化学机械抛光
一种用于固结磨料抛光垫的纳米金刚石-高分子复合磨料
本发明提供一种制备金刚石-高分子复合磨料的制备方法,复合磨粒的内核为通过机械粉碎法,爆炸合成法或静压法制备得到的金刚石粉体,其粒径范围在1~100nm,上述粉体作为内核通过硅烷偶联剂改性形成中间过渡层,最后用环氧树脂和聚...
储向峰乔红斌董永平张王兵陈同云汤丽娟朱小华
文献传递
金属铜和锇的化学机械抛光研究
在超大规模集成电路(ULSI)中,铜被广泛应用于互连材料,锇有可能作为阻挡层新材料。化学机械抛光(CMP)技术能实现全局平坦化,因此被广泛应用于ULSI制造中互连材料和阻挡层材料的加工。在CMP过程中,抛光液的组成对抛光...
汤丽娟
关键词:化学机械抛光极化曲线去除速率超大规模集成电路
文献传递
化学机械抛光在光学晶体加工中的应用被引量:11
2012年
晶体材料的深入研究加速了现代科学技术的发展,其需求量也迅速增加。在很多应用领域要求晶体的表面超光滑,因此晶体表面处理和加工成为目前研究的热点。介绍了几种典型光学晶体(蓝宝石晶体、铌酸锂晶体、三硼酸锂晶体、碲锌镉晶体、氧化镁晶体、碳化硅晶体和锑化铟晶体)化学机械抛光的最新研究成果,并探讨了光学晶体化学机械抛光存在的问题及发展趋势。
储向峰汤丽娟董永平乔红斌朱小华
关键词:晶体化学机械抛光
锇在醋酸体系抛光液中化学机械抛光研究
2012年
锇有可能作为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料。本研究利用自制的醋酸体系抛光液对金属锇片进行抛光,研究了双氧水(H2O2)、醋酸(CH3COOH)和苯丙三氮唑(BTA)对腐蚀效果的影响。结果表明,CH3COOH能够在抛光液中起到酸剂、络合剂和抑制剂的作用;在CH3COOH体系抛光液中,H2O2主要通过促进阴极反应的进行从而增强抛光液对金属锇的化学作用,H2O2浓度的增加虽然提高了对金属锇化学腐蚀的能力,但不利于金属表面钝化膜的形成;BTA的加入促进金属锇表面钝化膜的生成,因此降低了腐蚀电流,且金属锇表面钝化膜的厚度随BTA浓度的增加而增加。
储向峰汤丽娟董永平乔红斌朱小华
关键词:化学机械抛光醋酸极化曲线
锇在磷酸体系抛光液中化学机械抛光研究被引量:3
2013年
(锇有可能作为大规模集成电路铜互连扩散阻挡层新材料。)利用自制的抛光液对金属锇片进行抛光,研究在双氧水-磷酸体系抛光液中H2O2浓度和抛光液pH值对抛光速率的影响。结果表明,当抛光液中主要成分仅为氧化剂H2O2时,并不能在金属锇表面达到好的腐蚀效果。在磷酸体系抛光液中,H2O2能够通过促进阴极反应的进行从而增强抛光液对金属锇的化学作用;低浓度H2O2通过增强抛光液对金属锇的化学腐蚀能力,从而增加了抛光速率值;较高浓度H2O2的加入对抛光速率值影响较小。H3PO4能够在抛光液中起到抑制剂、pH调节剂和络合剂的作用。当抛光液pH值为4.0时,金属锇表面生成的钝化膜最致密。当pH值为4.0或5.0时,金属锇表面生成的钝化膜OCP值大于金属锇的OCP值,且此条件下的抛光速率值较高。
储向峰汤丽娟董永平乔红斌朱小华
关键词:化学机械抛光磷酸极化曲线
共1页<1>
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