汤莉莉
- 作品数：4 被引量：6H指数：2
- 供职机构：华南师范大学物理与电信工程学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信文化科学更多>>
- (Ga，In)(N，As)半导体合金物性的第一性原理研究
- 本文采用基于第一性原理的Materials Studio软件模拟了在半导体合金材料发展过程中具有代表性的三种材料即GaInAs、GaInNAs和GaInN的一些物理性质，所得结果对工艺的改进具有一定的参考价值。
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- 汤莉莉
- 关键词：第一性原理合金微结构
- 文献传递
- 退火后无应变Ga_(1-x)In_xN_yAs_(1-y)/GaAs量子阱的带隙被引量：2
- 2008年
- 针对快速热退火引起的N最近邻原子环境的变化,建立了热平衡态下Ga1-xInxNyAs1-y合金中各二元化合键的统计分布模型.并将理论计算得到的N周围平均In原子数r引入到BAC经验模型中,对退火后的Ga1-xInxNyAs1-y体材料带隙进行了计算.最后,利用讨论BAC模型中电子波函数边界条件的方法,计算了无应变Ga1-xInxNyAs1-y/GaAs量子阱的带隙.
- 文于华唐吉玉赵传阵吴靓臻孔蕴婷汤莉莉刘超吴利锋李顺方陈俊芳
- 关键词：带隙退火
- Ga1-xInxNyAs1-y体系中平均键长的统计模型
- 2008年
- 提出了Ga1-xInxNyAs1-y材料中组分比为整数且x∶y≥4时,直接生长和完全退火后各二元化合键平均键长的统计模型。该模型首先计算特定组分超单胞的键统计分布。然后结合前人实验采用Guass分布拟合各N最近邻原子团簇的存在几率,并总结出平均键长的公式。最后,用基于第一性原理的Material Studio软件中的DMol3模块计算并读取Ga28In4N1As31超单胞在不同N最近邻原子环境下的最优化键长,实现该组分条件下平均键长和应变的计算。结果表明,退火后局域应变和体系总应变均呈减少趋势,这与前人实验结果具有较好的一致性。
- 汤莉莉马远新唐吉玉文于华黄伟刘超吴利锋
- 关键词：第一性原理退火
- 基区重掺杂对InGaAs/InAlAs突变HBT电流输运的影响被引量：4
- 2009年
- 基区重掺杂产生禁带变窄效应(BGN),从而导致HBT突变异质结界面的势垒高度发生改变,这会严重影响载流子的电流输运.该文基于Jain-Roulston禁带收缩模型及电流输运机理,对电子的传输进行了深入的分析,并与实验数据进行了比较,结果表明:在基区重掺杂的条件下,考虑BGN对电流输运的影响,对于准确描述电流的输运现象是非常有必要的.
- 吴利锋唐吉玉文于华汤莉莉刘超
- 关键词：重掺杂
