温智超
- 作品数：3 被引量：5H指数：1
- 供职机构：华南理工大学电子与信息学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省自然科学基金中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 氧化锌薄膜晶体管的制备及其性能研究
- 单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT).该薄膜晶体管呈现出较好的...
- 刘玉荣任力飞温智超扬任花游晓梅洪浩高姚若河
- 关键词：场效应晶体管氧化锌薄膜电特性稳定性
- 氧化锌薄膜晶体管的制备及其性能研究
- 以硅单晶片作为衬底且充当栅电极,在衬底上热生长二氧化硅薄膜作为栅介质层,磁控溅射制备的氧化锌薄膜作为半导体活性层,真空蒸镀铝作为源、漏电极,成功地制备出底栅顶接触型氧化锌薄膜晶体管(ZnO TFT)。该薄膜晶体管呈现出较...
- 刘玉荣任力飞温智超扬任花游晓梅洪浩高姚若河
- 关键词：薄膜晶体管氧化锌薄膜稳定性
- 退火温度对ZnO薄膜晶体管电特性的影响被引量：5
- 2011年
- 针对非晶硅和有机薄膜晶体管的低迁移率问题,以高纯Zn为靶材,反应磁控溅射沉积、且在不同温度下退火的ZnO薄膜作为半导体活性层,成功地制备出基于ZnO材料的薄膜晶体管(ZnO-TFT),研究了退火温度对ZnO-TFT电特性的影响.结果表明:ZnO-TFT的载流子迁移率随退火温度的升高而明显增大,700℃退火的样品迁移率为8.00cm2/(V.s),阈值电压随退火温度的升高而明显减小,在较高温度下退火处理制备的ZnO-TFT呈现出较低的关态电流.结合X射线衍射谱、原子力显微镜和X射线光电子能谱对ZnO薄膜的微结构及组分的分析,发现ZnO-TFT性能随退火温度升高的改善来源于退火温度的升高使ZnO薄膜的晶粒尺寸增大且更均匀、外形更规整、表面更光滑,氧含量更少.
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- 关键词：薄膜晶体管氧化锌电特性退火温度
