您的位置： 专家智库 > >

潘文辉

作品数：1 被引量：25H指数：1
供职机构：清华大学信息科学技术学院电子工程系更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电性质
  • 1篇氧化铟
  • 1篇氧化铟锡
  • 1篇溅射
  • 1篇光学
  • 1篇光学性
  • 1篇光学性质
  • 1篇ITO

机构

  • 1篇清华大学

作者

  • 1篇潘文辉
  • 1篇史月艳
  • 1篇殷志强

传媒

  • 1篇真空科学与技...

年份

  • 1篇1994
共 1 条 记 录，以下是 1-1
全选 清除 导出
排序方式：
氧化铟锡(ITO)膜的光学及电学性能被引量：25
1994年
在基片加热状态下，利用直流平面磁控反应溅射技术制备重掺杂In2O3：Sn薄膜，研究其光学及电学性能。从光谱测量出发计算了膜的折射率及消光系数，并确定了膜的有效禁带宽度为4．25eV，比未掺杂的In2O3有更宽的禁带宽度。测量In2O3：Sn．膜的霍耳系数，并从介电常数的计算获得了膜的电子浓度约1020／cm3。
史月艳潘文辉殷志强
关键词：溅射ITO光学性质电性质
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0