狄国庆
- 作品数：47 被引量：100H指数：6
- 供职机构：苏州大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省高校自然科学研究项目国家重点实验室开放基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电气工程化学工程更多>>
- 超高密度磁存储的展望被引量：12
- 2001年
- 磁性存储是最常用的海量存储技术，其记录密度越来越高，发展也越来越快。本文通过对信息记录、读出和存储三个过程的分析，对比了硬磁盘记录、垂直磁记录和磁光记录的优缺点，指出了采用垂直记录模式、非晶结构合金薄膜或铁氧体薄膜介质是实现超高密记录的方向，光辅助磁记录是很有希望的记录技术。同时，还指出量子磁盘技术是未来极高密记录的方向。
- 马斌沈德芳狄国庆杨正魏福林
- 关键词：垂直磁记录磁光记录
- 前驱气体CH_4、N_2的流量比对CH_x膜Raman谱的影响
- 1998年
- 沉积在Ｓｉ（１００）基片上的ＣＮｘ膜是用微波等离子体化学气相沉积法（ＭＷＰＣＶＤ）制备的。本文着重探讨了ＣＨ４、Ｎ２的流量比对ＣＮｘ膜的Ｒａｍａｎ谱的影响，并采用了Ｘ－射线光电子能谱（ＸＰＳ）方法分析了ＣＮｘ膜的化学状态。
- 辛煜范叔平狄国庆沈明荣甘肇强
- 关键词：拉曼光谱CVD
- 基片表面的磁场对磁控溅射法制备Fe-N薄膜特性的影响被引量：1
- 2001年
- 利用反应磁控溅射方法制备了Fe N薄膜。发现未退火的薄膜基本处于非晶或微晶状态 ,退火或在沉积时对基片施加一磁场 ,可使晶粒变大 ,并出现对应内部存在应力的γ′ Fe4N的 (110 )晶面的择优取向。特别是外加的磁场使得Fe N薄膜具有明显改善的磁性能。
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛杨海峰
- 关键词：磁场磁性能
- 梯度磁场中薄膜厚度梯度被引量：2
- 2002年
- 通过在基片的下方放置磁铁 ,在放电空间中引入了纵向的磁场梯度。在这种情况下 ,辉光外貌发生显著收缩。同时 ,沉积的薄膜在平面内存在明显的厚度梯度。利用磁场中带电粒子的运动理论解释了此种薄膜的形成机制。
- 朱炎狄国庆陈亚杰赵登涛
- 关键词：磁控溅射辉光
- 反应RF磁控溅射法制备氧化铝薄膜及其介电损耗被引量：8
- 2000年
- 在氧气和氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射铝靶制备了非晶氧化铝薄膜 ,其直流介电强度为 3～ 4MV/cm。当固定氩气流量 (压力 ) ,改变氧分压时 ,薄膜沉积速率先减小 ,再增大 ,然后又减小。适当的低工作气压和溅射功率下 ,薄膜的介电损耗可以达到 0 4% ,小于已报道的关于非晶氧化铝薄膜的损耗。从 1 0 0Hz到 5MHz。
- 赵登涛朱炎狄国庆
- 关键词：介电损耗氧化铝薄膜
- 微波等离子体化学汽相沉积法沉积CN_x膜的研究被引量：2
- 1998年
- 对用微波等离子体化学汽相沉积法沉积在Ｓｉ基片上的ＣＮｘ膜分别进行Ｒａｍａｎ散射、Ｘ射线光电子能谱、Ｘ射线衍射和扫描电子显微镜等技术的分析与测试．Ｒａｍａｎ散射的研究结果表明在ＣＨ４与Ｎ２的流量比低于１∶８时，ＣＮｘ膜的散射谱中以非晶石墨峰的形式出现．当流量比为１∶８时，则表现为较尖锐的Ｃ≡Ｎ键（２１９０ｃｍ－１）的特征峰；从Ｘ射线光电子能谱的分析结果可以看出Ｃ，Ｎ成键的方式主要是Ｃ≡Ｎ键和Ｃ—Ｎ键，但Ｘ射线衍射谱中并没有对应于βＣ３Ｎ４相的衍射峰出现；气压对膜的沉积速率有影响．
- 辛煜范叔平狄国庆沈明荣甘肇强
- 关键词：MWPCVD微波等离子体CVD
- 一种溅射镀膜的方法
- 本发明公开了一种溅射镀膜方法，采用磁场辅助溅射方式镀膜，靶材和基片平行设置于两电极之间的电场中，靶材位于阴极表面，基片位于阳极，使靶材和基片之间形成等离子区，离子轰击靶材产生溅射，溅射出的靶材成分粒子沉积在基片上形成薄膜...
- 狄国庆
- 文献传递
- 外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响被引量：18
- 2003年
- 通过在基片上直接放置一块永久磁铁来研究外加磁场对磁控溅射靶利用率的影响。实验发现 ,外加磁场的引入改变了靶表面附近的磁场分布 ,因而靶的刻蚀环的位置、宽度和深度均发生了明显的变化 ,靶的利用率在S S构型和S N构型中均比无外加磁场时要高。利用空间模拟磁场成功的解释这一实验现象。在S S构型和S N构型中 ,后者靶的刻蚀深度轮廓线比较平坦 ,相对刻蚀深度值更大 。
- 赵新民狄国庆朱炎
- 关键词：磁控溅射靶利用率外加磁场磁控溅射等离子体模拟磁场
- 反应溅射制备非晶Al_2O_3薄膜的介电特性被引量：9
- 2000年
- 在氧气、氩气的混合气氛中 ,利用反应射频磁控溅射制备了厚度在 1 0 0到 1 0纳米的非晶氧化铝薄膜。通过 Al-Al2 O3 -Al电容器研究了此非晶薄膜的介电性质。
- 赵登涛狄国庆朱炎
- 关键词：介电性质非晶氧化铝薄膜
- 一种溅射镀膜的方法
- 本发明公开了一种溅射镀膜方法，采用磁场辅助溅射方式镀膜，靶材和基片平行设置于两电极之间的电场中，靶材位于阴极表面，基片位于阳极，使靶材和基片之间形成等离子区，离子轰击靶材产生溅射，溅射出的靶材成分粒子沉积在基片上形成薄膜...
- 狄国庆
- 文献传递
