王庆祥
- 作品数：10 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 一种高输出幅度的X射线图像传感器
- 本发明提供一种高输出幅度的X射线图像传感器，包括时序控制电路、像素单元电路、采样保持电路和输出缓冲电路，所述图像传感器中像元电路的电荷收集元与复位开关管合二为一。复位开关管采用PMOS晶体管结构，在P型衬底上制作的PMO...
- 孟丽娅王庆祥袁祥辉
- 文献传递
- CMOS工艺APS阵列的近红外响应及参数分析
- 2014年
- 采用DevEdit3D构建了5×5的像元结构模型,在基于Lnuminous 1μm的近红外的照射下,利用Silvaco TCAD仿真了像元中心距、阱深、衬底掺杂浓度等工艺参数对其电荷收集量和像元串扰程度的影响。仿真测得电荷收集量随像元中心距和阱深的增大而增大,随衬底掺杂浓度的增大而减小;像元间串扰程度与像元中心距的大小以及阱深的深度成反比,与衬底掺杂浓度的大小成正比。最后对以上影响的成因进行了理论分析。
- 王庆祥孟丽娅刘泽东王成
- 基于虚拟仪器的图像传感器辐射成像系统设计被引量：1
- 2014年
- 针对0.5μm标准CMOS工艺设计了X射线直接成像用240位有源像素图像传感器(APS)阵列。搭建了移动采集平台,完成了时序信号匹配,采用NI PCI 6115DAQ多功能数据采集卡对80kV 250μA X射线辐射下的移动目标进行数据采集,一帧图像采集数据量为240×400。选取LabVIEW8.6作为软件平台,完成了对数据的存储,实现了电压信号到灰度信号的转化,并通过vision函数组实现灰度信号成像。
- 孟丽娅王庆祥喻依虎闫旭亮
- 关键词：数据采集
- CMOS工艺X射线图像传感器的研究
- X射线由于具有强透射性,是工业中无损探伤、安全检测理想的探测源,并被广泛应用于医疗探测、辐照成像等领域。由于X射线属于高能射线,对半导体器件会造成损伤,传统的X射线成像器件通常采用荧光物质作为中间媒介,将X射线转换为可见...
- 王庆祥
- 关键词：图像传感器电路设计X射线CMOS工艺
- 文献传递
- 一种高输出幅度的X射线图像传感器
- 本发明提供一种高输出幅度的X射线图像传感器，包括时序控制电路、像素单元电路、采样保持电路和输出缓冲电路，所述图像传感器中像元电路的电荷收集元与复位开关管合二为一。复位开关管采用PMOS晶体管结构，在P型衬底上制作的PMO...
- 孟丽娅王庆祥袁祥辉
- 文献传递
- 基于CMOS工艺的单光子雪崩二极管的盖革模式仿真
- 2014年
- 采用互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺和p阱保护环,使用SILVACO公司的ATLAS软件进行器件结构设计和仿真,得到了能正常工作在盖革模式下的单光子雪崩二极管(SPAD)。仿真结果表明:设计的器件结构中p+/n-阱结降低了结附近的电场强度,并且低于平面pn结的电场强度,从而起到了抑制二极管发生边缘击穿的保护作用;电场强度和碰撞产生率呈正相关,并得出了电子、空穴的雪崩产生率与纵向位置的关系曲线及器件中某一个点处的电子雪崩产生率和偏置电压的关系曲线。仿真结果对基于CMOS工艺的SAPD结构设计具有一定的指导意义。
- 王成孟丽娅王庆祥闫旭亮
- 关键词：盖革模式电场强度
- CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法
- 电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对...
- 孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥
- 关键词：APS移位寄存器施密特触发器
- 文献传递
- CMOS工艺X射线图像传感器设计被引量：1
- 2014年
- 本文设计了一种不需闪烁体或增感屏,直接对X射线进行探测成像的线阵图像传感器,对其电荷收集进行了理论分析,设计了辐射加固的光敏元结构。采用0.5μm DPTM CMOS工艺,针对单个像元内含不同个数光敏元的结构进行了流片和X射线实验测试。测试结果表明:该图像传感器暗信号电压约为1V,随像元内光敏元个数的增加暗信号电压增大;饱和输出电压为2.4V;随光敏元个数的增加,电荷收集总量增加,总寄生电容也同时增加,所设计的单个像元含3个光敏元的结构能得到相对更大的有效输出电压。
- 孟丽娅袁松王庆祥
- 关键词：X射线图像传感器
- CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法被引量：1
- 2012年
- 电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU),而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析,其对单粒子瞬态(SET)最敏感的节点存在于反相器的输入端,反相器的输入阈值电压和输入节点电容决定了其抗SEU的能力。提出了用施密特触发器代替反相器的加固方案,因施密特触发器的电压传输特性存在一滞回区间,所以有更高的翻转阈值,从而可获得更好的抗SEU能力。仿真结果表明,采用施密特触发器的移位寄存器结构较原电路结构的抗SEU能力提高了约10倍。
- 孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥
- 关键词：APS移位寄存器施密特触发器
- CMOS APS用移位寄存器抗SEU加固方法
- 电离辐射环境中使用的CMOS有源像素图像传感器(APS)的基于反相器的准静态移位寄存器容易发生单粒子翻转(SEU)，而致使CMOS APS不能正常工作。本文对基于反相器的准静态移位寄存器中的单粒子翻转效应进行了分析，其对...
- 孟丽娅刘泽东胡大江王庆祥
- 关键词：APS移位寄存器施密特触发器
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