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王思浩

作品数：14 被引量：12H指数：1
供职机构：北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 11篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 6篇电子电信
  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 11篇辐照
  • 7篇电路
  • 7篇集成电路
  • 6篇剂量辐照
  • 6篇沟道
  • 6篇MOS器件
  • 5篇总剂量
  • 5篇CMOS器件
  • 4篇氧化层
  • 4篇栅氧化
  • 4篇栅氧化层
  • 4篇抗辐照
  • 4篇隔离区
  • 4篇辐射环境
  • 3篇亚微米
  • 3篇深亚微米
  • 3篇总剂量辐照
  • 3篇微米
  • 2篇电流
  • 2篇电流变化

机构

  • 13篇北京大学
  • 2篇长春理工大学

作者

  • 14篇王思浩
  • 13篇黄如
  • 7篇刘文
  • 6篇黄德涛
  • 5篇薛守斌
  • 5篇张兴
  • 4篇安霞
  • 2篇王健
  • 1篇王文华
  • 1篇谭斐
  • 1篇鲁庆

传媒

  • 1篇物理学报
  • 1篇第十六届全国...

年份

  • 2篇2013
  • 3篇2012
  • 2篇2011
  • 6篇2010
  • 1篇2009
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种估算集成电路辐照效应的方法
本发明涉及一种集成电路辐照效应的估算方法，属于集成电路领域。该估算方法主要包括以下步骤：A.将受到辐照后的集成电路中的NMOS器件在源、漏之间形成的导电通路作为一个寄生晶体管；B.利用陷阱电荷数与辐照剂量的关系式：Q<S...
薛守斌王思浩谭斐安霞黄如张兴
文献传递
一种CMOS器件辐照位移损伤的估算方法
本发明提供了一种CMOS器件的辐照位移损伤的估算方法，属于涉及CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该方法包括：根据入射粒子打到器件源漏端、沟道区和隔离区三个不同位置，建立一计算公式：I<Sub>ds</Sub>＝prob...
薛守斌王思浩黄如张兴
文献传递
一种分析CMOS器件位移损伤效应的方法
本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块...
薛守斌王思浩安霞黄如张兴
文献传递
超陡倒掺杂分布对超深亚微米金属-氧化物-半导体器件总剂量辐照特性的改善被引量：12
2010年
分析了沟道中超陡倒掺杂和均匀掺杂两种情况下超深亚微米MOS器件的总剂量辐照特性,主要比较了两种掺杂分布的器件在辐照情况下的泄漏电流与阈值电压的退化特性.结果表明,在辐照剂量<500krad情况下,超陡倒掺杂器件的泄漏电流比均匀掺杂器件的泄漏电流低2—3个量级;而在辐照剂量>500krad情况下,由于器件俘获的空穴量饱和,超陡倒掺杂的改善没有那么明显.但超陡倒掺杂的阈值电压漂移量比均匀掺杂的情况小约40mV.超陡倒掺杂有利于改善器件的总剂量辐照特性.文中还给出了用于改善器件辐照特性的超陡倒掺杂分布的优化设计,为超深亚微米器件抗辐照加固提供了依据.
王思浩鲁庆王文华安霞黄如
关键词：总剂量效应
抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路
本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征在于...
刘文黄如王思浩黄德涛王健
文献传递
一种分析CMOS器件位移损伤效应的模型
本发明提供了一种分析CMOS器件辐照位移损伤的模型，属于CMOS器件的辐照位移损伤技术领域。该模型由六个子分析模块组成，包括：一漏、源端位移损伤分析模块、一沟道区位移损伤分析模块、一缺陷群分析模块、一复合增强迁移分析模块...
薛守斌王思浩安霞黄如张兴
一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件
本发明公开了一种抗辐照性能增强的超陡倒掺杂MOS器件，包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，在源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，沟道区和浅掺杂注入区的下方为重掺杂区，其特征在于，所述重掺杂区的掺杂浓度为3×1...
黄德涛刘文王思浩黄如
文献传递
抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路
本发明公开了一种抗NMOS器件总剂量辐照的新型集成电路，属于电子技术领域。本发明抗NMOS器件总剂量辐照的集成电路包括NMOS器件，也可包括PMOS器件，所述器件之间通过衬底上的沟槽隔离，沟槽中填充有沟槽填充材料，其特征...
刘文黄如王思浩黄德涛王健
深亚微米NMOS器件总剂量辐照引起的寄生管泄漏电流模型
本文提出了一个深亚微米尺度下总剂量辐照引起的NMOS器件寄生管泄漏电流模型，该模型将辐照对MOS器件的影响直接体现为寄生管阈值漂移与辐照剂量之间的依赖关系，避免了对STI区大量固定正电荷的空间分布做复杂计算。我们还首次分...
刘文王思浩黄如
关键词：总剂量辐照
文献传递
一种抗辐照的Halo结构MOS器件
本发明公开了一种抗辐照的Halo结构MOS器件及其制备方法，所述Halo结构MOS器件包括衬底、源区、漏区、栅氧化层、栅极和栅侧墙，源漏之间、沟道区的两侧为浅掺杂注入区，在浅掺杂注入区的近沟道端包围有重掺杂的Halo区，...
黄德涛刘文王思浩黄如
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共2页<12>
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