王晓晶
- 作品数：8 被引量：23H指数：3
- 供职机构：华中科技大学光学与电子信息学院电子科学与技术系更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金湖北省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学动力工程及工程热物理电子电信电气工程更多>>
- P/I界面处理对a-Si:H柔性太阳能电池性能的影响被引量：3
- 2008年
- 采用等离子体辅助化学汽相沉积(PECVD)技术制备本征非晶硅薄膜,对p/i界面进行处理。在此基础上,制备p型微晶硅(μc-Si∶H)薄膜与柔性太阳能电池。对p型硅薄膜及太阳能电池的性能进行研究。结果表明:对p/i界面采用H等离子体处理,再引入一定厚度的成核层,可以成功得到高电导率的p型微晶硅窗口层,提高柔性太阳能电池的光伏特性。其中的成核层,不仅促进微晶相p层的生长,还可以起到界面缓冲层的作用。
- 雷青松徐火希王晓晶季峰徐静平
- 关键词：柔性太阳能电池
- 基于嵌入式技术的太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪
- 2011年
- 设计了一款基于嵌入式技术的手持式太阳电池Ⅰ-Ⅴ性能测试仪。该测试仪以ARM920体系芯片S3C2440为核心,通过采集太阳电池电压、电流、光强和温度4路信号并通过对信号数据的处理,测得太阳能电池开路电压、短路电流、最佳工作点、串联电阻、并联电阻、电池效率等关键参数,并在触摸屏上实时显示Ⅰ-Ⅴ曲线。目前该项目已完成系统硬件设计与调试和测试界面程序的设计。调试结果表明系统工作稳定,系统功耗小。界面简洁、运行流畅、操作简单。
- 袁俊明周文利王晓晶甘天罡温丹于军
- 关键词：嵌入式技术太阳电池触摸屏
- 磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响被引量：2
- 2010年
- 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO∶Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明:溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为88.21%、电阻率为8.28×10-4Ω.cm)。
- 徐玮于军王晓晶袁俊明雷青松
- 关键词：磁控溅射陶瓷靶材
- 磁控溅射中工艺参数对ZnO:Al薄膜性能的影响被引量：1
- 2009年
- 利用射频磁控溅射法,采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al_2O_3)为靶材,在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了溅射功率及溅射气压对薄膜晶体结构、电学和光学性能的影响。采用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,采用分光光度计和电阻率测试仪对薄膜的光电学性能进行了测试。结果表明,当溅射功率为120W、衬底温度为300℃、工作气压为0.5Pa时制得的薄膜具有良好的光电学性能,可见光平均透过率为88.21%,电阻率为8.28×10^(-4)Ω·cm。
- 徐玮于军王晓晶袁俊明雷青松
- 关键词：磁控溅射陶瓷靶材透过率ZNO:AL薄膜
- 沉积压力对磁控溅射纳米硅薄膜结构和性能影响被引量：5
- 2009年
- 采用射频（RF）磁控溅射方法在玻璃衬底上制备了氢化纳米硅薄膜,研究了沉积压力（4-9 Pa）对薄膜结构和性能的影响。利用XRD、SEM、紫外-可见光分光光度计、傅立叶红外吸收光谱仪（FT-IR）及四探针电阻测试仪等对薄膜结构和性能进行了表征。结果表明：随着沉积压力的提高,薄膜结晶程度逐渐变差,晶粒尺寸降低;薄膜光学带隙在2.04-2.3 eV之间,且随着沉积压力的提高而增加;薄膜具有SiH、SiO、SiH2和SiH3振动吸收峰,随着沉积压力的增加,SiH、SiH2振动吸收峰向高波数移动,薄膜方块电阻在132-96Ω/□,且随着沉积压力的升高而降低。
- 于军王晓晶雷青松彭刚徐玮
- 关键词：磁控溅射光学带隙
- 衬底温度和溅射功率对AZO薄膜性能的影响被引量：4
- 2012年
- 采用RF磁控溅射法在载玻片上制备了可用于电极材料的掺Al氧化锌(AZO)透明导电薄膜,并对不同衬底温度和溅射功率下制备的AZO薄膜结构、光电性能进行了表征分析.结果表明:各种工艺条件下沉积的AZO薄膜均具有明显的(002)择优取向,没有改变ZnO六方纤锌矿结构;薄膜电阻率随衬底温度升高而减小,随溅射功率增加先减小后增大,衬底温度400℃、溅射功率200W时最小,为1.53×10-5Ω.m;可见光平均透射率均在80%以上,光学带隙与载流子浓度变化趋势一致,最大值为3.52eV.
- 于军王航王晓晶李钢贤
- 关键词：AZO薄膜磁控溅射衬底温度溅射功率电阻率
- 退火温度对ZnO：Al透明导电薄膜结构和性能的影响被引量：1
- 2008年
- 采用溶胶-凝胶法（sol—gel）在普通载玻片上制备了ZnO：Al薄膜，在200～600℃下退火。利用XRD、紫外-可见光-近红外分光光度计和电阻测试仪等分析方法研究了不同退火温度对薄膜结构和光电性能的影响。结果表明，退火温度在300℃以上，薄膜开始结晶，400℃以上，薄膜出现明显结晶，且沿（002）方向择优取向，随着退火温度升高，（002）峰的强度逐渐增强，晶粒尺寸逐渐增加；薄膜在可见光范围内的透过率均〉85％以上，退火温度高的薄膜在可见光范围内的透过率明显提高，光学带隙在3．32～3．54eV，且随着温度的升高而降低；薄膜的电阻率随退火温度的增高而有所降低，但是仍较高，在10^3Ω·cm量级。
- 于军王晓晶徐玮雷青松
- 关键词：退火温度溶胶-凝胶法结构性能透明导电薄膜ZNO:AL
- 衬底温度对ZnO：Al薄膜结构和性能的影响被引量：7
- 2009年
- 利用射频磁控溅射法采用氧化锌铝(98%ZnO+2%Al2O3)为靶材在普通载玻片上制备了ZAO(ZnO:Al)薄膜,研究了衬底温度对薄膜晶体结构,电学和光学性能的影响。利用X射线衍射仪、场扫描电镜对薄膜的结构及表面形貌进行了分析,利用分光光度计和电阻测试仪分别测试了薄膜的光电学性能。结果表明,衬底温度对薄膜结构及光电学性能影响最大。溅射功率120W、衬底温度300℃、工作气压0.6Pa制得的薄膜具有良好的光电学性能(可见光平均透过率为79.49%(考虑衬底的影响,电阻率为4.99×10-2Ω.cm)。
- 徐玮于军王晓晶袁俊明雷青松
- 关键词：磁控溅射陶瓷靶材透过率ZAO薄膜
