程宽
- 作品数：3 被引量：2H指数：1
- 供职机构：复旦大学信息科学与工程学院专用集成电路与系统国家重点实验室更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术更多>>
- eDRAM的低功耗自适应动态刷新及写电压调整方案被引量：2
- 2012年
- 由两个PMOS晶体管组成的增益单元构成的eDRAM核心存储单元,与逻辑工艺完全兼容且面积仅为SRAM的40%.在不增加单元面积的前提下对传统增益单元的阈值电压及版图结构进行了改进,获得了平均2～3倍的数据保持时间的提升.引入了监测单元方案,使得芯片在温度变化和存取操作干扰变化的情况下能自适应地调整刷新频率及写操作电压,节约了25%～30%的刷新功耗.
- 董存霖孟超程宽林殷茵
- 关键词：嵌入式DRAM低功耗
- eDRAM高速读写和紧凑式电荷转移刷新方案
- 2012年
- 提出了一种采用逻辑工艺、访存速度优化、降低刷新功耗的动态随机存储器(DRAM),使其在嵌入式系统的设计与制造中易于与高性能逻辑电路融合.采用读写前置放大的高速读写方案,使DRAM读写速度得到了优化;采用紧凑式电荷转移刷新替代传统刷新方案,在降低了刷新功耗的同时,缩短了DRAM的刷新时间开销,提高了DRAM的数据可访问性.仿真结果表明:与传统方案相比,在3ns时钟周期下,存储器写操作时间为3ns,减少了23%;数据访问时间为1.8ns,减少了15%;在刷新模式下,灵敏放大器功耗降低了58%,同时刷新时间降低了43%.
- 程宽马亚楠孟超董存霖林殷茵
- 关键词：动态随机存储器
- 基于增益单元的高速低数据保持功耗eDRAM设计
- 本文首先介绍了动态随机存储器的发展历程,其次提出了嵌入式存储器的评价指标。针对嵌入式应用的目的,在分析比较了各种动态随机存储器单元后得出了一种采用逻辑工艺、单元读出速度优化、数据保持时间延长的改进型2T增益单元。针对这种...
- 程宽
- 关键词：动态随机存储器嵌入式
- 文献传递
