肖金
- 作品数：4 被引量：34H指数：4
- 供职机构：中南大学物理与电子学院更多>>
- 发文基金：湖南省自然科学基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 扶手椅型石墨纳米带的双空位缺陷效应研究被引量：9
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了扶手椅型石墨纳米带(具有锯齿边缘)的双空位缺陷效应.研究发现:双空位缺陷的存在并没有改变石墨纳米带的金属特性,但改变了费米面附近的能带结构.同时,双空位缺陷的取向对石墨纳米带的输运性质有很重要的影响.对于奇数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷使得石墨带导电性能减弱,而垂直双空位能基本保留原有的线性伏安特性,导电性能降低较少;对于偶数宽度的纳米带,斜向双空位缺陷会使石墨带导电性能明显增强,而垂直双空位缺陷则具有完整石墨带的输运性质.
- 欧阳方平王晓军张华肖金陈灵娜徐慧
- 关键词：石墨纳米带电子结构输运性质
- 单空位缺陷对石墨纳米带电子结构和输运性质的影响被引量：13
- 2008年
- 基于第一性原理电子结构和输运性质计算,研究了单空位缺陷对单层石墨纳米带(包括zigzag型和armchair型带)电子性质的影响.研究发现,单空位缺陷使石墨纳米带在费米面上出现一平直的缺陷态能带;单空位缺陷的引入使zigzag型半导体性的石墨纳米带变为金属性,这在能带工程中有重要的应用价值;奇数宽度的armchair型石墨纳米带表现出金属特性,有着很好的导电性能,同时,偶数宽度的armchair型石墨带虽有金属性的能带结构,但却有类似半导体的伏安特性;单空位缺陷使得奇数宽度的armchair石墨纳米带导电性能减弱,使得偶数宽度的armchair石墨纳米带导电性能明显增强.
- 欧阳方平王焕友李明君肖金徐慧
- 关键词：石墨纳米带电子结构输运性质
- 扶手椅型单壁碳纳米管中的B/N对共掺杂被引量：5
- 2010年
- 利用第一性原理电子结构计算方法,研究了扶手椅型单壁碳纳米管(SWCNT)的B/N对掺杂效应.研究发现,对于扶手椅型SWCNT两个不同的掺杂位点,B/N对更容易发生在与管轴线成30°角的P1位点上.B/N对的掺杂使得金属性SWCNT能隙打开,且能隙随着B/N对轴向掺杂浓度的升高而逐渐增大.同时,还发现两B/N对掺杂后SWCNT的电子结构敏感地依赖于B/N对在圆周上的相对位置,能隙随着B/N对相对距离的增大而增大.这归结于B/N对的掺入影响了原有的电荷分布,这种影响是局域的,B/N对相对距离的增大使得B/N对总的影响区域也增大.这些研究结果有助于获得纯净的半导体,并能对其电子结构进行有效的控制.
- 徐慧肖金欧阳方平
- 关键词：单壁碳纳米管电子结构第一性原理
- Armchair型石墨纳米带的电子结构和输运性质被引量：20
- 2008年
- 利用第一性原理的电子结构和输运性质计算方法,研究了扶手椅(armchair)型单层石墨纳米带(具有锯齿边缘)的电子结构和输运性质及其边缘空位缺陷效应.研究发现,完整边缘的扶手椅型石墨纳米带是典型的金属性纳米带,边缘空位缺陷的存在对扶手椅型纳米带能带结构有一定的影响,但并不彻底改变其金属性特征.
- 欧阳方平徐慧李明君肖金
- 关键词：石墨纳米带空位缺陷电子结构输运性质
