苏永波
- 作品数：57 被引量：23H指数：3
- 供职机构：中国科学院微电子研究所更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- InP基双异质结双极晶体管和超高速电路
- 针对超高速数字和数模混合电路的应用，设计了InP基DHBT结构。其中发射极采用n型掺杂的InP材料，基极采用与InP衬底匹配的重掺杂的InGaAs材料，集电极采用InGaAs/InGaAsP/InP材料实现，其中InGa...
- 金智苏永波丁芃姚鸿飞张毕禅宁晓曦
- 关键词：混合电路双极晶体管
- W波段固态电子器件与电路
- <正>W波段(75-110GHz)具有波长短、频带宽等特点在高精度成像、大容量通信等领域具有重要的应用。基于半导体的固态电子器件具有体积小、可批量生产、易于集成等优点,
- 金智苏永波姚鸿飞宁晓曦钟英辉
- 一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法
- 本发明公开了一种制作磷化铟单片微波集成电路的方法，包括：在InP衬底正面的外延层上制作MMIC电路；涂敷光刻胶层保护该MMIC电路，形成InP基片；将该InP基片、蓝宝石双面抛光片和磨花玻璃基板采用石蜡黏合，形成5层叠层...
- 汪宁王显泰苏永波郭建楠金智
- 一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法
- 本发明提供了一种氧化镓基场效应管的工艺改进方法，通过设置缓冲层堆叠结构，修正了氧化镓衬底在减薄抛光工艺过程中发生的尺寸形变，该缓冲层堆叠结构可以使得氧化镓衬底减薄抛光过程中累计的应力得到有效释放，避免了氧化镓衬底由于单斜...
- 汪宁苏永波丁芃王大海金智
- 一种InP双异质结双极晶体管小信号物理模型及其提取方法被引量：2
- 2009年
- 研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题.考虑了基极-发射极和集电极-发射极引线间的交叠电容,并从物理上区分了InPDHBT的本征电阻、外部电阻与寄生电阻,建立了一个基于物理的InP基DHBT小信号模型.同时提出了一套直接提取模型参数的方法,该方法无需引入数学优化,具有清晰的物理意义.提取的结果在很宽的偏置范围内准确地拟合了器件特性,验证了模型的准确性与提取方法的有效性.
- 葛霁金智苏永波程伟刘新宇吴德馨
- 关键词：小信号模型
- 有效跨导为1052mS/mm的高性能InP基In_(0.52)Al_(0.48)As/In_(0.53)Ga_(0.47)As HEMTs(英文)被引量：5
- 2013年
- 成功研制了栅长为0.15μm、栅宽为2×50μm、源漏间距为2μm的InP基In0.52Al0.48As/In0.53Ga0.47As高电子迁移率器件.室温下,当器件VDS为1.7 V、VGS为0.1 V时,其有效跨导达到了1 052 mS/mm.传输线方法(TLM)测试显示器件的接触电阻为0.032Ω.mm,器件欧姆接触电阻率为1.03×10-7Ω.cm-2.正是良好的欧姆接触及其短的源漏间距减小了源电阻,进而使得有效跨导比较大.器件有比较好的射频特性.从100 MHz到40 GHz,S参数外推出来的fT和fmax分别为151 GHz和303 GHz.所报道的HEMT器件非常适合毫米波段集成电路的研制.
- 钟英辉王显泰苏永波曹玉雄张玉明刘新宇金智
- 关键词：INPINALASINGAAS
- 一种半导体器件及其制作方法
- 本申请提供一种半导体器件及其制作方法，所述制作方法包括：采用GaSb晶圆作为衬底，在正面电路结构已经完成的情况下，对GaSb晶圆背面进行减薄时，采用第一磨盘和研磨液进行减薄，其中，第一磨盘上设置有碳化钨涂层，通过碳化钨涂...
- 汪宁苏永波丁芃王大海金智
- 晶圆异构对准方法及装置
- 本申请提供一种晶圆异构对准方法及装置，通过在硅基CMOS晶圆上的预设位置刻蚀第一对准标记背孔，在化合物半导体晶圆衬底背面刻蚀第二对准标记背孔，所述第二对准标记与所述第一对准标记的形状相同且相互嵌套，然后将所述化合物半导体...
- 常虎东孙兵翟明龙苏永波丁芃刘洪刚金智刘新宇
- W波段InP DHBT宽带高功率压控振荡器（英文）被引量：2
- 2019年
- 成功实现了一款具有高输出功率和宽频率调谐范围的基波压控振荡器.其制作工艺为0. 8μm InP DH-BT工艺,晶体管的最大fT和fmax分别为170和250 GHz.电路核心部分采用了为高频应用改进的平衡式考毕兹拓扑,在后面添加一级缓冲放大器来抑制负载牵引效应,并提升了输出功率. DHBT的反偏CB结作为变容二极管来实现频率调谐.芯片测试结果表明,压控振荡器的频率调谐范围为81～97. 3 GHz,相对带宽为18. 3%.在调谐频率范围内最大输出功率为10. 2 dBm,输出功率起伏在3. 5 dB以内.在该压控振荡器的最大调谐频率97. 3 GHz处相位噪声为-88 dBc/Hz@1MHz.
- 王溪姚鸿飞姚鸿飞苏永波丁武昌丁芃丁芃金智
- 关键词：压控振荡器宽调谐范围高输出功率
- 一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法
- 本发明公开了一种对InP衬底进行化学机械抛光的方法，该方法包括：将InP衬底与UV粘膜键合，形成UV键合InP衬底；使用真空吸盘吸附该UV键合InP衬底，将该UV键合InP衬底需要CMP的表面垂直向下侵入CMP抛光浆液中...
- 汪宁苏永波金智
