覃华芳
- 作品数：4 被引量：18H指数：3
- 供职机构：福州大学物理与信息工程学院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划福建省科技重大专项福建省教育厅资助项目更多>>
- 相关领域：一般工业技术电子电信理学化学工程更多>>
- 基于沉淀工艺制作四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极的研究被引量：4
- 2008年
- 采用沉淀法制备四脚氧化锌纳米材料场致发射阴极,将阴极和荧光屏封装起来抽真空并对屏施加电压,测试阴极的发射电流和荧光屏的发光亮度.利用沉淀法制备出面积为(13×15)cm2的阴极,测试结果表明,硅酸钾体积百分比在5·0×10-3—8·3×10-3范围,硝酸钡浓度在5·0×10-4—7·7×10-4M范围,四脚氧化锌的浓度在8·2×10-4—1·2×10-3M范围时,阴极发射电流最大,荧光屏的发光亮度峰值可达到60cd/cm2,平均亮度为48cd/cm2.
- 覃华芳郭太良
- 关键词：场致发射沉淀法
- 四脚状纳米氧化锌阴极的场致发射显示研究被引量：2
- 2006年
- 以高温气相氧化法制备的四脚状纳米氧化锌作为场致发射材料,采用简易的喷涂方法将其制备为场致发射阴极。将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极结构场致发射显示屏,并进行了场致发射特性实验,实现了稳定的场致电子发射及全屏点亮。该二极结构的场致发射开启场强为1.5V/μm,当场强为7.5V/μm时,发射电流密度可达3.44μA/cm2。实验结果表明了氧化锌半导体纳米材料是一种很好的场致发射阴极材料。
- 陈一仁胡利勤郭太良林志贤王晶晶姚亮陈锦覃华芳
- 关键词：场致发射平板显示器纳米材料
- ZnO纳米材料制备及其场发射性能的研究被引量：7
- 2010年
- 采用水热法制备形貌和尺寸各异的纳米ZnO材料。用X射线衍射分析仪(XRD)和扫描电子显微镜(SEM)测试产物结构和表面形貌,分析影响纳米ZnO材料生长的因素,探讨纳米ZnO的生长机理。研究了各种形貌ZnO阵列的场致发射特性。实验结果表明,在各种ZnO纳米结构中,纳米管的场致发射性能最好,其最大电流密度可达到0.2mA/cm2,开启场强2.5V/μm,为寻求良好场发射性能的ZnO纳米材料提供了一个可行的途径。
- 林志贤张永爱覃华芳郭太良
- 关键词：ZNO纳米材料水热法表面形貌场发射性能
- 基于图形化生长纳米氧化锌场致发射阴极阵列的研究被引量：5
- 2010年
- 采用光刻技术在覆盖有氧化锌(ZnO)薄膜的ITO玻璃片衬底上实现图形化生长,结合水热法在衬底上制备出结构完整、排列一致的ZnO矩形和圆环型单元阵列。在图形化的基础上二次生长ZnO纳米锥阵列,锥长度最大可达到10μm,远大于一次生长的长度,并且发现锥顶有很多精细的类似针状的纳米量级微细结构。分析了非图形化、图形化一次以及图形化二次生长的ZnO纳米锥阵列的场致发射性能。使用图形化二次生长的ZnO纳米锥阴极阵列制作了12.7cm(5inch)的场发射显示器(FED),能实现全屏发光。实验结果表明,图形化二次生长的ZnO纳米锥阵列发射电流密度为最大,可达0.6mA/cm2,其开启场强为2.5V/μm。图形化生长ZnO纳米锥的方法是一种能较好改善材料场发射性能的好方法,为寻求良好场发射性能材料的制备提供了一条有效的实验途径。
- 林志贤郭太良张永爱覃华芳
- 关键词：光电子学ZNO纳米材料场发射性能
