赵妍
- 作品数：49 被引量：6H指数：1
- 供职机构：中国工程物理研究院激光聚变研究中心更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金中国工程物理研究院发展基金国防科技技术预先研究基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学医药卫生文化科学更多>>
- Cu@Cu2O球壳结构纳米颗粒的制备、表征及其光学性质
- 氧化亚铜(Cu2O)是一种直接带隙的半导体材料，其禁带宽度在2.0-2.2eV 之间.因其廉价、无毒、对可见光区有较高的吸收而被认为是一种比较具有希望的太阳能电池材料.而在金属@半导体球壳结构纳米颗粒中，由于金属核及半导...
- 尹泓卜赵妍王雪敏吴卫东
- 关键词：PLD氧化亚铜球壳结构表面等离激元
- 嵌埋Ni颗粒的BaTiO_3/SrTiO_3薄膜的相变特性
- 2014年
- 采用高温X射线原位衍射和变温介电谱对SrTiO3基底上外延生长的BaTiO3(嵌埋Ni颗粒)薄膜进行了相变特性分析。从X射线衍射和介电谱的分析结果得出,BaTiO3的相变温度点转变为弥散的温度区间。在这个弥散的相变温度区间内,由于基底和薄膜之间的失配,以及嵌埋Ni颗粒的应力作用,薄膜的介电响应弥散剧烈,并偏离德拜弛豫。分析Cole-Cole图获知,BaTiO3薄膜在四方相转变为立方相的相变过程中同时存在几种极化机制,在高温状态下介电损耗随温度增大而增大。降温过程中,薄膜没有立即恢复四方相,可能是基底和Ni颗粒的共同作用影响了相变弛豫。
- 李佳赵妍葛芳芳张继成曾勇房奇吴卫东
- 关键词：介电特性弥散相变
- 太赫兹QCL技术研究进展
- 2013年
- 综述了太赫兹QCL(THz QCL)有源区结构设计与制备、波导结构设计和频率控制3方面的基本原理及研究进展。THz QCL有源区薄膜厚度、组分和掺杂浓度的精确控制是材料制备过程的关键。通过提高注入电流和器件温度的稳定性可以有效减小THz QCL线宽和提高频率稳定性。随着器件功率和频率特性的提升,THz QCL将在通讯、成像和谱分析等技术领域获得广泛的应用。
- 沈昌乐王雪敏黎维华阎大伟赵妍罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
- 关键词：太赫兹波导频率稳定性
- 高电子迁移率晶体管材料结构的制备及分析被引量：1
- 2013年
- 针对高电子迁移率晶体管(HEMT)器件,分析了双δ掺杂GaAs HEMT的结构组成,基于固源分子束外延方法制备了双δ掺杂GaAs HEMT的缓冲层、沟道层、平面掺杂层和隔离层等多层材料结构。采用X-ray射线衍射、透射电镜研究了多层材料的结构。范德堡霍尔测试结果表明,HEMT的2DEG测试浓度为1.82×1012cm-3,电子迁移率大于6 520 cm2·V-1·s-1。
- 王雪敏阎大伟沈昌乐赵妍黎维华周民杰罗跃川彭丽萍吴卫东唐永建
- 关键词：高电子迁移率晶体管多层结构
- GaAs肖特基二极管中不连续性电路仿真分析
- 2013年
- 在太赫兹技术应用系统中,太赫兹混频器是太赫兹接收前端的关键部件,而太赫兹肖特基二极管是太赫兹混频器的核心器件。本文采用信号完整性的方法对肖特基二极管在无源区的特性进行建模分析,并对不连续性、寄生电容等参数进行分析。根据肖特基二极管设计的物理参数,如尺寸、材料的介电常数等,在高频结构仿真器(HFSS)中对肖特基二极管进行建模。通过多次建模仿真,最终给出肖特基二极管的等效电路模型。通过对比HFSS中提取二极管欧姆焊盘的S参数和Ansoft-designer中对二极管欧姆焊盘的等效电路进行仿真得到的S参数,证明了等效电路的合理性。该模型可以应用在对太赫兹混频器的电路级仿真中。
- 赵妍马毅超王雪敏阎大伟吴卫东
- 关键词：太赫兹肖特基二极管信号完整性
- 基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法
- 本发明提供一种基于表面温度精确测定的GaAs衬底氧化膜脱附方法及其表面平整化方法，属于半导体材料技术领域。使GaAs衬底表面在As分子束保护下从约400℃匀速升温至620℃～640℃，期间红外测温仪所得温度曲线拐点对应温...
- 沈昌乐蒋涛王雪敏吴卫东湛治强彭丽萍黎维华王新明樊龙邓青华赵妍张颖娟阎大伟肖婷婷孙亮
- 文献传递
- 基于X射线荧光光谱的温稠密物质电子结构密度效应研究
- 2023年
- 受密度及温度等环境效应影响,温稠密物质的电子结构显著变化,其理论描述非常复杂,精密实验数据亦非常缺乏.本文通过发展主动探测的X射线荧光光谱方法,从实验上定量研究了密度效应对温稠密物质电子结构的影响,有助于深入理解温稠密物质的电子结构变化,并为相关理论模型提供实验验证.在万焦耳激光装置上,设计特殊构型黑腔加载约2倍固体密度、2 eV的Ti样品.利用激光辐照V产生的热发射线泵浦Ti的荧光,并采用高效高分辨的晶体谱仪诊断样品的X射线荧光光谱.实验结果显示,2倍固体密度Ti样品荧光谱线K_(β)与K_(α)的能量差(△EK_(β)-K_(α))相对于冷样品红移约2 eV.理论上采用两种方法进行计算并与实验结果比较,其中有限温度相对论密度泛函方法高估了密度效应对谱线移动的影响,而“two-step Hartree-Fock-Slater”方法低估了密度效应的影响.
- 张志宇赵阳青波张继彦马建毅林成亮杨国洪韦敏习熊刚吕敏黄成武朱托宋天明赵妍张玉雪张璐李丽灵杜华冰车兴森黎宇坤詹夏宇杨家敏
- 关键词：电子结构密度效应X射线荧光光谱
- THz波段InP基HEMT的研究现状及应用
- InP材料具有较大的击穿电压和电子迁移率，而且与其晶格匹配的In0.52A10.48As/In0.53GaO.47As异质结的导带具有较大的不连续性，可更好对二维电子气进行限制。其次，InP基HEMT器件沟道层采用具有高...
- 阎大伟吴卫东王雪敏赵妍
- 关键词：晶体管电子迁移率太赫兹波异质结
- Cu2O薄膜的生长制备及光学特性研究
- Cu2O 是一种性能优异的p 型半导体材料,并具有无毒、成本低、化学稳定性好等优点;禁带宽度约为2.17eV,理论上可以吸收可见光进行光催化和光电转换,其理论最高光电转换效率可达18％,在光催化和光电转换等领域有潜在的应...
- 赵妍尹泓卜陈杰王雪敏吴卫东
- 关键词：CU2OPLD
- 超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法
- 本发明公开了一种超薄自支撑聚合物薄膜的制备方法，利用激光诱导化学气相沉积方式，实现聚合物薄膜单分子层生长，并通过脱膜技术获得超薄自支撑薄膜。该方法通过脉冲进气和气体流量、压力的精确控制，实现了聚合物单体的分子流方式进入真...
- 彭丽萍吴卫东王雪敏樊笼蒋涛王新明湛治强沈昌乐阎大伟赵妍黎维华邓青华
- 文献传递
