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赵艳黎

作品数：33 被引量：0H指数：0
供职机构：株洲南车时代电气股份有限公司更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 31篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 7篇电子电信

主题

  • 14篇外延层
  • 11篇碳化硅
  • 6篇场限环
  • 5篇离子注入
  • 5篇刻蚀
  • 5篇功率器件
  • 4篇电荷
  • 4篇电荷补偿
  • 4篇载流子
  • 4篇载流子迁移率
  • 4篇迁移率
  • 4篇沟道
  • 4篇SBD
  • 3篇电场
  • 3篇氧化层
  • 3篇栅电极
  • 3篇栅氧化
  • 3篇栅氧化层
  • 3篇势垒
  • 3篇碳化硅器件

机构

  • 33篇株洲南车时代...
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 33篇赵艳黎
  • 32篇李诚瞻
  • 19篇吴佳
  • 18篇刘可安
  • 16篇史晶晶
  • 16篇蒋华平
  • 13篇丁荣军
  • 13篇高云斌
  • 10篇刘国友
  • 9篇周正东
  • 9篇唐龙谷
  • 9篇陈喜明
  • 2篇何多昌
  • 2篇颜骥
  • 1篇邵云

传媒

  • 1篇大功率变流技...
  • 1篇2014`全...

年份

  • 1篇2020
  • 1篇2019
  • 3篇2018
  • 7篇2017
  • 2篇2016
  • 14篇2015
  • 5篇2014
共 33 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法
本发明涉及一种碳化硅功率器件结终端结构及其制造方法。该碳化硅功率器件结终端结构包括多个场限环，其通过掺杂间隔设置于外延层上；掺杂区，其设置于所述外延层的上方；其中，所述掺杂区是在所述外延层上通过再次外延得到。本发明的结终...
杨勇雄吴煜东何多昌蒋华平李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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一种碳化硅MOSFET器件及其制备方法
本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道和部分N<Sup>+</Sup>源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。优...
高云斌李诚瞻刘国友吴煜东史晶晶赵艳黎
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一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法及应用
本发明涉及一种用于SiC功率器件的碳保护膜的制备方法，包括将碳纳米管置于酸液中加热，将得到的具有亲水性的碳纳米管置于水中进行超声分散，然后在SiC晶圆表面旋涂成膜，最后通过烘焙使溶剂完全挥发。本发明还提供了所述碳保护膜在...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
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一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法
本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO<Sub>2</Sub>栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含Cl...
李诚瞻刘可安赵艳黎周正东吴佳杨勇雄丁荣军
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一种复合栅结构电容及其制造方法
本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层...
陈喜明李诚瞻赵艳黎刘国友丁荣军
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一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法
本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化...
史晶晶李诚瞻刘国友赵艳黎周正东高云斌吴佳杨勇雄刘可安
一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法
本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法...
史晶晶李诚瞻吴煜东周正东赵艳黎高云斌吴佳杨勇雄丁荣军
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一种功率器件结终端结构与制造方法
本发明涉及一种功率器件结终端结构与制造方法。所述功率器件结终端结构包括：场限环，其间隔设置于最外侧主结的外侧；电荷补偿区，其通过掺杂间隔形成于外延层，所述电荷补偿区贯穿所述最外侧主结的靠外侧的冶金结面和所述场限环的靠外侧...
蒋华平刘可安吴煜东李诚瞻赵艳黎吴佳唐龙谷
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一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法
本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P<Sup>－</Sup>外延层，载流子输运在P<Sup>－</Sup>外延层反型沟...
赵艳黎刘国友李诚瞻高云斌蒋华平周正东丁荣军
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一种碳化硅MOS器件及其制造方法
本发明提供了一种碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面完全外延一层P<Sup>－</Sup>外延层，由于外延层之后的P<Sup>－</Sup>外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载...
赵艳黎刘可安李诚瞻高云斌蒋华平吴佳丁荣军
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