邢艳辉
- 作品数：101 被引量：131H指数：6
- 供职机构：北京工业大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学金属学及工艺更多>>
- 基于SnS_(2)/InSe异质结的高性能宽带光电探测器
- 2023年
- 我们报道了一种基于SnS_(2)/InSe垂直异质结的宽带光电探测器,其光谱范围为365-965 nm。其中,InSe作为光吸收层,有效扩展了光谱范围,SnS_(2)作为传输层,与InSe形成异质结,促进了电子-空穴对的分离,增强了光响应。该光电探测器在365 nm下具有813 A/W的响应度。并且,在965nm光照下它仍然具有371 A/W的高响应度,1.3×10^(5)%的外量子效率,3.17×10^(12)Jones的比探测率,以及27 ms的响应时间。该研究为高响应宽带光电探测器提供了一种新的方法。
- 王冰辉邢艳辉贺雯馨关宝璐韩军董晟园李嘉豪方佩景韩梓硕张宝顺曾中明
- 关键词：异质结
- 一种汽车清洗装置
- 本实用新型公开了一种汽车清洗装置，包括机架、壁板、握柄、蓄水组件、抽水管、输水泵、排水管、清洗组件、安装底架和移动滚轮,所述机架的顶部一侧端面边缘位置处通过螺钉固定安装有壁板，所述壁板的一侧端面通过螺钉固定安装有握柄，所...
- 邢艳辉
- 文献传递
- 表面粗化高空穴浓度InGaN:Mg性能及其发光二极管应用被引量：4
- 2011年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN:Mg薄膜,对不同源流量In-GaN:Mg材料特性进行了研究。光学和电学特性观测表明,当外延生长温度在760℃,三甲基铟(TMIn)摩尔流量不变时,随CP2Mg和Ⅲ族源摩尔比([CP2Mg]/[Ⅲ])增加,当In摩尔成分增加,空穴浓度也线性增加;当[CP2Mg]/[Ⅲ]比为1.12×10-3时获得4.78×1019cm-3高空穴浓度。通过原子力显微镜(AFM)观察到粗化的表面,采用InGaN:Mg薄膜作为接触层制备的发光二极管(LED)比常规LED的电荧光强度提高28%。
- 邢艳辉韩军邓军李建军徐晨沈光地
- 关键词：发光二极管(LED)
- 谈做好大学生班主任工作体会
- 2010年
- 当前90年后出生的孩子已经成长为大学生,要想做好这一代大学生合格的班主任,班主任工作不能是简单地开个班会、发个通知等,而是要有专业背景,要加强教育、心理学的学习,要有责任心且有智慧的学生工作管理方法,还要有平易近人的工作态度,充满关爱的微笑。
- 邢艳辉那景芳
- 关键词：大学生班主任
- 一种基于AHB总线的单线数字通讯接口
- 本发明公开了一种基于AHB总线的单线数字通讯接口，采用半双工模式，实现主机与多个从机之间的组网通信。单线数字通讯接口由AHB的接口模块和数据收发模块构成。在数据传输过程中以字节为单位，具有独特的起始、结束方式以及本身特有...
- 邢艳辉徐建皓万培元杨江李珍陈志杰
- 量子阱红外探测器掺杂阱中能级的计算被引量：2
- 2004年
- 量子阱中能级位置的确定是获得量子阱红外探测器其它设计参数的基础。为了提供足够的载流子跃迁,阱层一般为重掺杂层。重掺杂使半导体材料禁带宽度变窄,从而改变量子阱中能级的位置。通过对不同温度、量子阱区不同掺杂浓度条件下的量子阱材料PL谱进行测量,得出PL谱峰值波长对应的电子跃迁峰值能量,它与阱中基态能级的位置有关。分别计算了考虑和不考虑禁带变窄效应时的电子跃迁峰值能量,并与实验结果相比较,可以看出考虑禁带变窄效应时与实验结果相吻合,因此掺杂量子阱区能级的计算需要考虑禁带变窄效应,这样可以较为精确的得出阱中能级的位置。
- 王斌邓军邢艳辉李建军李兰沈光地
- 关键词：量子阱红外探测器重掺杂能级计算
- 引入n型InGaN/GaN超晶格层提高量子阱特性研究被引量：2
- 2009年
- 利用金属有机物化学气相淀积技术在蓝宝石衬底上生长了InGaN/GaN量子阱结构.研究了引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层的量子阱特性,结果表明通过引入n型InGaN薄层或InGaN/GaN超晶格层缓解了量子阱有源区中的应力,改善了多量子阱表面形貌,减少了V型缺陷密度,而且提高了多量子阱的光致发光强度,从而也改进了LED的发光效率.
- 邢艳辉邓军韩军李建军沈光地
- 关键词：INGAN/GAN多量子阱原子力显微镜X射线双晶衍射
- 一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法
- 一种插入InGaN层改善非极性GaN材料质量的外延生长方法属于GaN材料外延技术领域，利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)技术，生长的低位错密度非极性GaN材料，外延结构从下向上依次为:r面蓝宝石衬底，低温GaN成核...
- 韩军崔博垚邢艳辉赵佳豪
- 文献传递
- MOCVD生长双有源区AlGaInP发光二极管被引量：2
- 2008年
- 设计并用金属有机物化学气相沉积方法生长了双有源区AlGaInP发光二极管,该发光二极管的两个Al-GaInP有源区用高掺杂的反偏隧道结连接。双有源区发光二极管在20 mA注入电流下,主波长为623 nm,峰值波长为633 nm,电压为4.16 V,光强为163 mcd。
- 韩军邢艳辉李建军邓军于晓东林委之刘莹沈光地
- 关键词：隧道结金属有机物化学气相沉积
- 淀积在不同小倾角蓝宝石衬底的n型GaN的研究
- 2009年
- 采用金属有机物化学淀积技术在不同倾角(0°—0.3°)的蓝宝石衬底上外延n型GaN.通过原子力显微镜观察到n型GaN均呈台阶流生长模式,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN表面台阶朝向相同、分布均匀,明显地看到在0°倾角衬底的n型GaN表面由台阶重构直接导致的台阶朝向随机分布、疏密不匀的形貌.电子背散射分析表明,在0°倾角衬底的n型GaN外延层的应力随外延厚度增加而增加,而0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN外延层的应力没有明显的变化.电学和光学特性研究表明,0.2°和0.3°倾角衬底的n型GaN有较高的电子浓度和较低的黄光带与近带边强度之比.
- 邢艳辉韩军邓军李建军沈光地
- 关键词：氮化物原子力显微镜光致发光
