陆羽
- 作品数：13 被引量：8H指数：2
- 供职机构：北京大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- GaN/AlGaN超晶格透射电镜分析
- 2005年
- 用MOCVD法生长了120周期的GaN/Al0.14Ga0.86N超晶格,激光剥离技术被有效地用于GaN/AlGaN超晶格截面透射电镜样品的制作.用透射电子显微镜观察到了清晰的超晶格及晶胞周期结构,电子衍射也表明生长的超晶格样品质量较好.在透射电镜图中看到了Al,Ga原子的聚居点,这些聚居点达到应力临界时将可能成为新缺陷的起点.同时观察到GaN缓冲层中的线缺陷大多呈现弯曲的弧形,这是外延生长导致的.
- 陈伟华胡晓东章蓓黎子兰潘尧波胡成余王琦陆羽陆敏杨志坚张国义
- 关键词：透射电镜激光剥离
- 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法
- 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸...
- 于彤军秦志新胡晓东陈志忠杨志坚童玉珍康香宁陆羽张国义
- 文献传递
- HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
- 异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1 mm的标准...
- 赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义
- 关键词：氢化物气相外延厚膜X射线
- 文献传递
- HVPE法生长GaN厚膜弯曲的分析
- 2008年
- 异质外延生长和降温过程中的失配会引起HVPE厚膜样品的弯曲,较大的弯曲会导致薄膜开裂和剥落。利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析,HVPE生长的不同厚度GaN样品的弯曲。对于同一个样品,X射线出射狭缝分别用1mm的标准狭缝和50μm的小狭缝测量,发现(0002)面摇摆曲线的半宽有明显变化。通过计算和比较,采用标准狭缝测得的(0002)面摇摆曲线的展宽是由弯曲和位错共同引起的,而弯曲表现得更为显著,小狭缝的展宽主要反应样品位错的信息。通过不同狭缝半宽的测量,得到了不同厚度GaN厚膜样品的曲率和位错密度。
- 赵璐冰于彤军陆羽李俊杨志坚张国义
- 关键词：氢化物气相外延厚膜X射线
- 分立晶粒垂直结构的LED芯片制备方法
- 本发明提出了一种高出光效率的管芯形状设计，通过岛状区域LED外延生长，生长分立晶粒LED芯片，激光剥离后将分立的LED芯片封装成上下电极的垂直结构的、具有较高光功率的LED的制备方法。分立晶粒LED外延层，在岛状区域外延...
- 于彤军秦志新杨志坚胡晓东陈志忠祁山陆羽康香宁商淑萍童玉珍丁晓民张国义
- 文献传递
- GaN同质外延和垂直结构LED
- 对于大功率LED器件,存在发光效率随注入电流增加而降低；传统平面电极侧向电流结构的GaN基LED器件由于其较差的散热性能和电流拥挤等关键问题使其在大功率LED器件的发展中遇到了瓶颈.作为GaN基LED外延片外延生长所使用...
- 张国义孙永健贾传宇陆羽刘鹏杨志坚童玉珍
- 带有二维自然散射出光面的LED芯片的制备方法
- 本发明提出了一种基于激光剥离技术和倒封装技术，在外延生长时将具有良好光导出效果的二维散射出光面，在外延生长阶段自然地形成于LED结构之上，而获得具有较高的光功率的发光二极管的制备方法。通过控制这种二维散射出光面的微观尺寸...
- 于彤军秦志新胡晓东陈志忠杨志坚童玉珍康香宁陆羽张国义
- 文献传递
- MOCVD侧向外延GaN的结构特性被引量：2
- 2005年
- 侧向外延(ELO)GaN的原子力显微镜(AFM)表面形貌图像表明,ELO-GaN相当平整,而掩膜区中央有线状分布的小丘群,这是由ELO-GaN在掩膜区中央接合时晶向不一致而产生的缺陷造成的。观察ELO-GaN扫描电子显微镜(SEM)截面图,侧向接合处存在着三角空洞,并且侧向接合导致上述小丘群。X射线衍射(XRD)曲线表明,掩膜边界处的GaN晶面有倾斜。拉曼散射谱表明,掩膜区GaN质量相对于窗口区大为提高。ELO-GaN和普通外延GaN的拉曼散射谱比较表明,ELO-GaN中的应力较小,晶体质量较高。
- 方慧智陆敏陈志忠陆羽胡晓东杨志坚张国义
- 关键词：金属有机化学气相沉积氮化镓原子力显微镜拉曼散射
- 一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法
- 本发明公开了一种制备自支撑单晶氮化镓衬底的方法，首先在GaN的异质外延衬底上生长一层掩膜，然后在掩膜上开出一系列生长窗口，再依次生长GaN成核层、GaN模板层和GaN厚膜，最后激光剥离异质外延衬底。该方法是一种两步应力释...
- 张国义杨志坚方浩李丁桑立雯陶岳彬康香宁孙永健陆羽赵璐冰
- 文献传递
- 量子阱结构对GaN基紫光二极管性能的影响被引量：5
- 2007年
- 采用不同MQW结构在MOCVD系统上生长UV-LED外延片。对样品进行了X射线衍射、电注入发光(EL)和光致发光谱(PL)测试,通过优化LED器件材料的生长条件,获得了光发光特性一般而电发光特性优良的高质量多量子阱紫光LED外延片。
- 陆敏杨志坚潘尧波陆羽陈志忠张国义
- 关键词：MOCVDGAN量子阱结构
