陈国云
- 作品数：33 被引量：84H指数：5
- 供职机构：南京航空航天大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金江苏省普通高校研究生科研创新计划项目江西省高等学校教学改革研究课题更多>>
- 相关领域：核科学技术理学航空宇航科学技术一般工业技术更多>>
- 涂硼电离室组合快中子探测器研制及其响应函数被引量：4
- 2014年
- 研制了涂硼电离室组合快中子探测器。用外径分别为55、80、130、220、285mm的5个高密度聚乙烯圆柱体作为快中子的慢化体包裹40mm×200mm的涂硼电离室,组合成一种可测量从热中子到十几MeV快中子的圆柱型Bonner探测器。借助Geant4蒙特卡罗方法模拟计算,给出了这种结构Bonner探测器探测系统的响应函数。将圆柱型Bonner探测器放置在标准中子源辐射场中进行了实验测量。在实际辐射场中,高密度聚乙烯圆柱体外径为220mm时,圆柱型Bonner探测器的灵敏度达8.702×10-15 A·cm2·s。同时对实验测量值与理论模拟结果进行了比较分析。结果表明,模拟结果与实验值在数据读取误差范围内吻合。
- 张紫霞魏志勇方美华朱立陈国云石苗
- 关键词：快中子响应函数GEANT4
- Zn掺杂对GdMnO体系的晶体结构影响被引量：1
- 2009年
- 系统研究了Gd（1-x）ZnxMnO3（x=0,0.2,0.4,0.6,0.8,1.0）体系的结构。结果表明,实验样品具有正交对称性结构。当Zn掺杂浓度x≤0.4时,随着Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c减小,而晶格常数a增大,晶胞体积逐渐减小;当掺杂浓度x≥0.6时,Zn掺杂浓度的增加,晶格常数b、c增大,而晶格常数a减小,晶胞体积逐渐增大。计算表明Gd（1-x）ZnxMnO3系列化合物的容忍因子在0.76~0.92范围,可以形成稳定的钙钛矿结构。
- 辛勇赵书毅罗广圣胡凌燕陈国云文小庆
- 关键词：晶体结构
- 产生于太阳风电流片附近的高能粒子
- 采用Hall MHD方程,通过计算机数值模拟技术,研究了太阳风扰动和电流片相互作用过程中在电流片附近产生的高能粒子.通过分析广义欧姆定律的Hall项所对应的电场分布结构,得到了由Hall效应所产生的高能粒子分布.研究结果...
- 黄福成冯学尚文小庆陈国云
- 关键词：太阳风高能粒子电流片空间等离子体数值模拟
- 文献传递
- CR-39固体核径迹探测器观测方法被引量：4
- 2011年
- 针对重离子辐射的CR-39固体核径迹探测器中的微观径迹结构特点和剂量特征研究的必要步骤———探测器观测,从CR-39中粒子潜径迹形成和发展出发,探讨了影响粒子径迹的因素,选取两种径迹观测方法———光学显微镜观测和电子显微镜观测进行对比分析。在此基础上进行了试验,用不同通量的100 MeV Si离子照射CR-39探测器,将实验样品用NaOH溶液(70℃6,.25 N)分别进行6h和5 min的刻蚀。刻蚀后,用光学显微镜和原子力显微镜进行观察,得到了放大的径迹和纳米尺度的微观径迹。此外,局部覆盖刻蚀后用台阶仪进行观测,得到了体刻蚀速率为Vb=1.53μm/h。
- 黄三玻魏志勇方美华杨永常张紫霞雷升杰陈国云黎光武郭刚
- 关键词：刻蚀速率光学显微镜原子力显微镜
- 一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法
- 本发明公开了一种中子探测器硼膜阴极及其制备方法。中子探测器硼膜阴极，是一种具有良好电学性能和中子灵敏性能的探测器阴极。阴极采用导电金属Al基体，阴极表面覆有中子灵敏薄膜，中子灵敏薄膜的原料组分包括：100份硼粉、15‑2...
- 魏志勇陈国云朱立方美华张紫霞雷胜杰
- 文献传递
- Gd_(1-x)Zn_xMnO_3系列化合物Rietveld结构分析
- 2009年
- 利用标准的固相反应法在1 350℃烧结了Gd(1-x)ZnxMnO3(x=0,0.2,0.4,0.6,0.8)样品。利用X射线衍射(XRD)对其晶体结构进行了研究。X射线衍射测量表明样品的单胞仍然具有正交结构。用Rielveld方法进行了结构精修,结果表明,随着Zn掺杂浓度的变化,导致A位原子半径的变化,样品的晶格常数、晶胞体积Mn-O键长、Mn-O-Mn键角随之变化。在Zn掺杂浓度x=0.4时,这种变化达最大。
- 辛勇胡凌燕罗广圣徐雪春文小庆陈国云刘笑兰
- 关键词：晶体结构RIETVELD方法
- 用于反应堆中子/γ射线混合场测量的涂硼电离室性能被引量：1
- 2012年
- 近年来,涂硼电离室已逐渐成为核反应堆周围大通量中子/γ射线混合场监测的辐射探测器之一.研制了一种高灵敏度涂硼电离室,并给出了其内部结构.用fA级弱电流放大器测得:当涂硼电离室的工作电压在700V以下时,漏电流小于1.0pA;用Am-Be中子源辐照时测得涂硼电离室的电流曲线坪长为500V,坪斜为3.72×10^(-4) V^(-1);当涂硼电离室的工作电压为400V时,对应漏电流为0.4 pA.测试表明涂硼电离室中子信号电流与辐照源的相对位置有关,将Am-Be中子源置于距石蜡慢化体底部8 cm时,测得中子信号电流最大值为2.0 pA.用^(137)Cs和^(90)Sr辐照时测得涂硼电离室γ射线信号电流为1.0-2.0 pA,但在γ射线场中坪特性不如中子场中坪特性明显.电离室中子探测灵敏度达1.0×10^(-15)Acm^2s量级,γ射线探测灵敏度达9.0×10^(-22)Acm^2s·eV^(-1)量级.这种涂硼电离室漏电流小、灵敏度高、坪特性好,可用于反应堆周围的中子/γ射线混合场测量.
- 陈国云辛勇黄福成魏志勇雷升杰黄三玻朱立赵经武马加一
- 关键词：漏电流灵敏度
- 涂硼电离室中子探测效率和灵敏度被引量：14
- 2011年
- 从电离室工作原理导出了平板型涂硼中子电离室探测效率及灵敏度的计算公式,并求得其热中子探测效率和灵敏度。电离室对热中子探测效率饱和值为1.35%,灵敏度饱和值为9.65×10-1 4A.cm-2.s-1,与已有公式所得结果8.43×10-14A.cm-2.s-1相近。α粒子和Li离子对探测效率的贡献相差不大,但α粒子对灵敏度的贡献占主导地位。适当的硼膜厚度、慢化快中子、选用浓缩硼均有利于提高涂硼电离室探测效率和灵敏度。
- 陈国云魏志勇辛勇方美华黄三玻黄国庆
- 关键词：灵敏度中子
- 100pA-1μA量程的微弱电流源
- 本发明公开一种100pA-1μA量程的微弱电流源，包括控制单元、显示单元、输入单元、D/A转换单元、基准电压源、差动放大单元、电压电流变换单元和负反馈单元，其中，控制单元的输入端连接输入单元，输出端分别连接显示单元和D/...
- 雷升杰魏志勇方美华陈国云张紫霞黄三玻
- 文献传递
- 正比计数器漏电流研究被引量：4
- 2010年
- 利用电介质物理、高电压绝缘以及电磁学相关知识分析了正比计数器填充气体和绝缘材料中的漏电流与击穿问题。选择适当的材料可使正比计数器填充气体中的漏电流达10-17A量级,其绝缘材料中的体漏电流达10-12～10-15A量级,考虑其极化效应后还将更小。正比计数器的漏电流与其输出信号电流(10-9A量级)相比小103倍以上,而绝缘材料表面的清洁、干燥程度直接决定其中的表面漏电流。正比计数器填充气体和绝缘材料中的漏电流对输出的影响可忽略且不至于击穿,可应用于强辐射场中的剂量测量。
- 陈国云魏志勇方美华杨永常辛勇张紫霞
- 关键词：正比计数器填充气体绝缘材料漏电流
