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陈盘训

作品数:21 被引量:41H指数:5
供职机构:中国工程物理研究院电子工程研究所更多>>
发文基金:国防科技技术预先研究基金更多>>
相关领域:电子电信理学机械工程核科学技术更多>>

文献类型

  • 14篇期刊文章
  • 6篇会议论文

领域

  • 14篇电子电信
  • 4篇机械工程
  • 4篇理学
  • 2篇核科学技术
  • 1篇金属学及工艺

主题

  • 11篇射线
  • 11篇X射线
  • 8篇电路
  • 4篇双极晶体管
  • 4篇晶体管
  • 4篇集成电路
  • 3篇低剂量
  • 3篇低剂量率
  • 3篇双极
  • 3篇重金
  • 3篇重金属
  • 3篇总剂量
  • 3篇总剂量辐射
  • 3篇剂量率
  • 3篇CMOS电路
  • 3篇X
  • 2篇电子器件
  • 2篇失效判据
  • 2篇探测器
  • 2篇线性集成电路

机构

  • 13篇中国工程物理...
  • 7篇中国工程物理...
  • 1篇中国工程物理...

作者

  • 20篇陈盘训
  • 5篇周开明
  • 4篇牟维兵
  • 3篇谢泽元
  • 2篇高文明
  • 1篇徐曦
  • 1篇杨有莉
  • 1篇邓建红
  • 1篇何武良

传媒

  • 6篇核电子学与探...
  • 3篇核技术
  • 2篇第11届全国...
  • 1篇物理学报
  • 1篇物理
  • 1篇辐射研究与辐...
  • 1篇强激光与粒子...
  • 1篇电子技术参考
  • 1篇第八届全国抗...
  • 1篇四川省电子学...
  • 1篇第8届全国核...
  • 1篇第六届全国抗...

年份

  • 1篇2006
  • 1篇2005
  • 2篇2003
  • 3篇2002
  • 3篇2001
  • 2篇1999
  • 5篇1997
  • 1篇1996
  • 1篇1993
  • 1篇1992
21 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
红外探测器辐射损伤
综述了美国NMD中红外探测器受中子、γ总剂量和γ瞬时剂量率辐射后产生的损伤,也给出了这些器件在目前的抗辐射水平,并指出红外探测器是核爆辐射环境中最薄弱的系统之一,也是最先受到攻击的目标.
陈盘训徐曦邓建红
关键词:红外探测器
文献传递
X射线剂量增强环境下电子系统辐射效应和加固被引量:6
1997年
本文研究在X射线剂量增强环境下电子系统的薄弱性及应采取的加固方法,给出组成电子系统各类器件和集成电路剂量增强系数(DEF)。从实验结果出发,指出最佳的屏蔽X射线的方法。
陈盘训
关键词:X射线电子系统
双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤
综合介绍了双极线性集成电路在低剂量辐射下产生的异常损伤,即在低剂量率下辐射时,这些器件在很低的总剂量水平即告失效,失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极-基极结上复盖了厚氧化物,低剂理率电离辐射...
陈盘训
关键词:线性集成电路低剂量率
双极晶体管X和γ射线辐射损伤的比较
本文介绍典型双极晶体管在X射线辐射环境下性能的退化及剂量增强效应。实验测量了双极晶体管X射线辐射剂量增强系数,研究了双极器件剂量增强效应机理。
陈盘训周开明杨有莉
关键词:双极晶体管X射线
文献传递
不同金属材料对不同能量X射线衰减系数的实验测量
本文简述三种厚度(0.2mm、0.5mm和1.0mm)四种金属材料(铝、铁、铜和钽)对不同能量X射线的屏蔽效果,也介绍了金属材料对X射线衰减系数的测量方法和测量结果.
陈盘训
关键词:金属材料X射线屏蔽效果
文献传递
电子器件不同材料界面对X射线的响应
介绍了X射线在原子序数相差较大的两种材料构成界面中的行为,分析了这种行为对电子器件性能产生的影响.采用Monte-Carlo方法定量计算了这种行为的影响,提出了进行修正的措施.
牟维兵陈盘训
关键词:X射线MONTE-CARLO方法电子器件
文献传递
双极线性集成电路低剂量率辐射的增强损伤被引量:10
1999年
综合介绍了双极线性集成电路在低剂量率辐射下产生的异常损伤,即在低剂量率下辐射时,这些器件在很低的总剂量水平下即告失效,失效阈较高剂量率辐射要低得多。它是因构成线性电路的双极器件发射极-基极结上覆盖了厚氧化物,低剂量率电离辐射在氧化物内产生电荷的传输时间有时要达到数百秒。
陈盘训
关键词:集成电路低剂量率
用蒙特卡罗法计算X射线在重金属界面的剂量增强系数被引量:16
2001年
当X射线射入不同材料组成的界面时 ,在低Z材料的一侧将产生剂量增强 .介绍了界面剂量增强效应的基本原理 ,并用蒙特 卡洛程序计算了钨 硅、钽 硅、钨 二氧化硅和钽 二氧化硅界面的剂量增强系数 .
牟维兵陈盘训
关键词:X射线重金属蒙特卡罗法
双极晶体管总剂量辐射失效概率
2002年
为了研究器件辐射回固性能的评估方法,对三种双极晶体管3DK9D、3DG6D和3DG4C(每种100只)做失效概率PF和γ总剂量D关系的研究。辐射实验表明,用Weibull分布可以较好地描述PF和D的关系。B以hFE(D)/hFE(0)=80%、70%、50%为器件失效判据,实验测得的失效分布曲线取决于失效判据。根据PF和D的关系曲线,就可得到三种双极晶体管任意总剂量下的失效概率。它可用于电子线路总剂量辐射下生存概率的评估。
陈盘训谢泽元
关键词:双极晶体管总剂量失效判据
系统低剂量率失效和加速模拟试验方法被引量:1
2003年
综述双极器件和双极线性电路在低剂量率辐射环境下的增强损伤,它可引起系统的早期失效。分析了引起低剂量率失效的物理机制,它与MOS器件电离辐射的损伤机制完全不同。为了缩短模拟试验时间和提高效/费比,研究了几种加速模拟试验方法,并对处于低剂量率下系统的加固保证也提出了一些看法。
陈盘训
关键词:低剂量率
共2页<12>
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