陈飞鸿
- 作品数：3 被引量：3H指数：1
- 供职机构：燕山大学信息科学与工程学院河北省特种光纤与光纤传感重点实验室更多>>
- 发文基金：河北省应用基础研究计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信更多>>
- 室温核辐射探测材料碘化铟多晶合成及结构分析
- 2015年
- 以高纯I2(5N)和In(7N)为原料,采用两温区气相输运法制备了In I多晶料,研究了高纯In I多晶合成工艺。用X射线粉末衍射(XRD)方法对合成的In I多晶进行结构测定,用扫描电子显微镜-X射线能量色散谱仪(SEMEDS)对其成分进行分析,用等离子体原子发射光谱仪(ICP-AES)对其组成的元素进行痕量测定。研究结果表明:合成的In I多晶料晶格结构完整,纯度高,晶格参数为a=0.476 nm,b=1.278 nm,c=0.491 nm,且碘和铟比例接近1∶1。
- 徐朝鹏王倩张磊陈飞鸿王永贞纪亮亮
- 关键词：多晶合成
- 碘化铟晶体本征缺陷的第一性原理研究被引量：3
- 2013年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理方法,对正交碘化铟(InI)晶体可能存在的6种本征点缺陷(碘空位、铟空位、碘占铟位、铟占碘位、碘间隙、铟间隙)结构进行优化.通过缺陷形成能的计算,得出各缺陷在生长过程中形成的难易程度;通过态密度的计算,分析出各种缺陷能级位置及其对载流子传输的影响.结果表明:最主要的低能缺陷铟间隙会引入复合中心和深空穴陷阱,前者降低少数载流子的寿命,后者俘获价带的空穴而降低空穴的迁移率-寿命积.计算结果为实验中提高InI晶体载流子的迁移率-寿命积提供理论指导,对获得性能优异的InI核辐射探测材料有重要帮助.
- 张伟徐朝鹏王海燕陈飞鸿何畅
- 关键词：形成能
- 碘化铟化合物单晶的半导体性能计算及多晶合成
- 随着核技术的发展，核辐射探测半导体材料在国防建设、医疗卫生等领域都具有着广阔的发展前景。碘化铟晶体有较大的禁带宽度，较高的平均原子序数，较高的电阻率和较大的载流子迁移率-寿命积，以其做探测芯片的探测器具有较高的探测效率和...
- 陈飞鸿
- 关键词：半导体
- 文献传递
