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马蕾

作品数:55 被引量:86H指数:5
供职机构:河北大学电子信息工程学院更多>>
发文基金:河北省自然科学基金国家自然科学基金河北省高等学校科学技术研究指导项目更多>>
相关领域:理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 46篇期刊文章
  • 5篇科技成果
  • 3篇学位论文
  • 1篇会议论文

领域

  • 26篇理学
  • 13篇电气工程
  • 11篇电子电信
  • 10篇一般工业技术
  • 3篇金属学及工艺
  • 2篇机械工程
  • 2篇文化科学
  • 1篇环境科学与工...

主题

  • 15篇纳米
  • 11篇电池
  • 10篇太阳电池
  • 10篇纳米线
  • 10篇SI纳米线
  • 8篇发光
  • 7篇光致
  • 7篇光致发光
  • 6篇退火
  • 6篇光电
  • 5篇电特性
  • 5篇发光特性
  • 5篇掺杂
  • 4篇量子
  • 4篇纳米晶
  • 4篇纳米晶粒
  • 4篇光电特性
  • 4篇光学
  • 4篇半导体
  • 4篇NC-SI

机构

  • 55篇河北大学
  • 6篇北京大学
  • 3篇中国科学院
  • 2篇承德石油高等...
  • 1篇清华大学
  • 1篇中国科学院微...

作者

  • 55篇马蕾
  • 34篇彭英才
  • 11篇娄建忠
  • 10篇范志东
  • 9篇张雷
  • 7篇陈乙豪
  • 7篇蒋冰
  • 6篇刘磊
  • 6篇江子荣
  • 5篇康建波
  • 5篇沈波
  • 5篇王侠
  • 4篇师建英
  • 4篇王峰
  • 4篇简红彬
  • 4篇刘素平
  • 4篇郭延岭
  • 3篇陈俊英
  • 3篇张志刚
  • 3篇白振华

传媒

  • 10篇微纳电子技术
  • 9篇河北大学学报...
  • 8篇人工晶体学报
  • 4篇物理学报
  • 4篇光谱学与光谱...
  • 2篇功能材料
  • 2篇材料工程
  • 2篇中国粉体技术
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇实验技术与管...
  • 1篇教育教学论坛
  • 1篇科教导刊(电...
  • 1篇第十七届全国...

年份

  • 1篇2021
  • 3篇2020
  • 2篇2019
  • 1篇2018
  • 5篇2017
  • 4篇2016
  • 3篇2015
  • 6篇2014
  • 3篇2013
  • 5篇2012
  • 4篇2011
  • 3篇2010
  • 2篇2009
  • 7篇2008
  • 3篇2006
  • 2篇2005
  • 1篇2004
55 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
多晶Si薄膜表面金催化Si纳米线生长被引量:1
2012年
以Au膜作为催化剂和大晶粒多晶Si薄膜为衬底,利用固-液-固生长机制,制备出直径在30~100 nm和长度为几百微米的高密度Si纳米线。实验研究了退火温度、生长时间和N2流量对Si纳米线生长的影响。结果表明,随着退火温度的升高,生长时间的延长和N2流量的增加,Si纳米线的长度和密度都显著增加。对不同生长时间下获得的Si纳米线样品进行了X射线衍射测量,结果显示随着生长时间的延长,多晶Si薄膜和表面的Au膜成分都在减少。光致发光谱则显示出弱的蓝光发射和强的红光发射特性,前者应是由非晶SiOx壳层中的氧空位发光中心引起,后者则应归因于Si纳米线芯部与非晶SiOx壳层之间界面区域附近中的Si=O双键态或非桥键氧缺陷中心。
马蕾郭延岭娄建忠彭英才
关键词:SI纳米线退火温度光致发光
蓝宝石基BST薄膜的制备技术的研究
娄建忠陈俊英马蕾刘素平宫娜徐卓
采用激光脉冲沉积制备缓冲层、阻挡层和钛酸锶钡薄膜,X射线衍射仪进行结构分析,铁电测试仪、C-V测试仪进行电学性能测量。研究温度、气压,脉冲频率与薄膜结构和物理性能的关系。制备MgO、CeO<,2>等缓冲层,研究沉积工艺对...
关键词:
Eu掺杂Si纳米线的光致发光特性被引量:3
2015年
利用Si(111)衬底,以Au-Al为金属催化剂,基于固-液-固生长机理,在温度为1100°C,N2气流量为1.5 L/min、生长时间为30—90 min等工艺条件下,制备了直径约为100 nm、长度为数微米的高密度、均匀分布、大面积的Si纳米线(~1010cm 2).对Si纳米线进行了Eu掺杂,实验研究了不同长度的Si纳米线以及不同掺杂温度、掺杂时间等工艺参数对Eu离子红光发射的影响,利用扫描电子显微镜和X射线衍射仪对Si纳米线表面形貌和Eu掺杂后Si纳米线的结晶取向进行了测量和表征;室温下利用Hitachi F-4600型荧光分光光度计对样品的激发光谱和发射光谱进行了测试和分析.结果表明:在Si纳米线生长时间为30 min、掺杂温度为1000°C、最佳激发波长为395 nm时,样品最强荧光波长为619 nm(5D0→7F2);同时,还出现了576 nm(5D0→7F0),596 nm(5D0→7F1),658 nm(5D0→7F3)和708 nm(5D0→7F4)四条谱带.
范志东周子淳刘绰马蕾彭英才
关键词:SI纳米线EU掺杂光致发光
Si纳米线光伏器件的研究进展
2016年
Si纳米线具有良好的光吸收和减反射特性,能够和现有Si工艺较好地兼容以及降低电池成本等优势,在太阳电池方面具有潜在的应用.介绍了Si纳米线径向p-n结、轴向p-n结、聚合物混合异质结和肖特基结等太阳电池的结构、制备、光伏特性等研究进展,同时指出Si纳米线结构太阳电池研究中需要解决的一些问题,并对今后的发展方向进行了展望.
范志东刘绰张津豪马蕾彭英才
关键词:SI纳米线光学特性太阳电池
纳米Li2MnSiO4正极材料的高压水热法制备及其电化学特性
2019年
采用高压水热法制备锂离子电池正极材料Li 2MnSiO 4,研究压强、反应温度和前驱体浓度对合成Li 2MnSiO 4的影响,并进一步研究碳包覆前后Li 2MnSiO 4的电化学性能。通过X射线衍射、扫描电镜、透射电镜、充放电测试和交流阻抗等方法对样品的结构、形貌和电化学性能进行表征分析。结果表明:采用水热法在高压高温条件下可以合成高纯度的Li 2MnSiO 4材料,提高前驱体浓度有助于形成粒径较小的Li 2MnSiO 4纳米颗粒。电化学性能测试显示碳包覆后的 Li 2MnSiO 4/C比Li 2MnSiO 4具有更高的比容量,在0.1C (电流密度为33.3mA·g -1 )下首次放电比容量可达178.6mAh·g -1 ,循环50次后放电比容量为97.1mAh·g -1 ,容量保持率为54.4%。同时,Li 2MnSiO 4/C还具有比Li 2MnSiO 4更小的电荷转移阻抗和更高的锂离子扩散系数。
李嘉俊刘磊卢玉晓孙之剑马蕾
关键词:锂离子电池正极材料LI
提高Si量子点发光强度的途径被引量:1
2006年
探讨了提高Si量子点发光强度的可能途径。这些方法主要包括:采用高密度和小尺寸的有序Si量子点、光学微腔结构、表面钝化处理技术和稀土发光中心掺杂。
康建波彭英才简红彬马蕾张雷
关键词:发光强度光致发光电致发光
Cl掺杂Cu_2O的第一性原理计算被引量:1
2017年
为了探究Cl杂质对Cu_2O体系的影响机理,采用基于密度泛函理论的第一性原理,通过Cl原子代替O原子建立同等条件下不同浓度的Cu_2O1-xClx模型,并对Cu_2O的晶体结构进行优化,计算并分析体系的几何结构、能带结构、态密度和光学特性。计算结果表明:Cl掺杂导致Cu_2O的晶格常数变大,并在Cu_2O禁带中形成了一条主要由Cl 3p轨道组成的浅施主杂质能级。该能级跨越费米面,使电子可以经过杂质能级跃迁至导带,减少了电子跃迁所需要的能量,使Cu_2O呈现半金属性;随着掺杂浓度的增大,禁带宽度依次减小为0.444,0.424,0.221 eV,从而出现吸收带边的红移;不同浓度Cl掺杂下,Cu_2O对可见光的吸收能力得到极大改善。
彭健任荣康李健宁张明举牛猛马蕾闫小兵郑树凯
关键词:第一性原理态密度
热光伏太阳电池及其研究进展被引量:1
2014年
热光伏技术是将太阳光辐射出的能量,通过热光伏电池直接转换成电能的技术.由于它可广泛使用热源和具有较高能量输出密度等优点,因此在未来的光伏领域具有很大的发展潜力.本文首先介绍了热光伏系统的工作原理,然后重点评述了Si热光伏电池、Ge热光伏电池、Ⅲ-Ⅴ族化合物热光伏电池、量子阱热光伏电池和中间带热光伏电池的研究进展,并指出了目前热光伏电池发展所面临的一些问题.
彭英才刘宝元周子淳沈波马蕾
关键词:光学滤波器
基于Al2O3衬底的BST薄膜的制备技术的研究
娄建忠陈俊英马蕾刘素平师建英尹文斌
以铁电器件与半导体材料的集成作为研究对象,采用低的射频功率,制备了具有强抗扩散金属间化合物非晶阻挡层Ni -Al阻挡层,构建了Pt/Ni-Al/BST/Ni-Al/Pt电容器。应用脉冲激光沉积法制备了外延CeO2缓冲层及...
关键词:
关键词:铁电器件半导体材料
纳米晶粒多晶Si薄膜的低压化学气相沉积被引量:7
2006年
利用低压化学气相沉积(LPCVD)方法,以充Ar的S iH4作为反应气体源,在覆盖有热生长S iO2层的p-(100)S i衬底上制备了具有均匀分布的纳米晶粒多晶S i膜(nc-poly-S i)。采用扫描电子显微镜(SEM)、原子力显微镜(AFM)和拉曼谱等检测手段,测量和分析了沉积膜层的表面形貌、晶粒尺寸与密度分布等结构特征。结果表明,nc-poly-S i膜中S i晶粒的尺寸大小和密度分布强烈依赖于衬底温度、S iH4浓度与反应气压等工艺参数。典型实验条件下生长的S i纳米晶粒形状为半球状,晶粒尺寸约为40nm,密度分布约为4.0×1010cm-2和膜层厚度约为200nm。膜层的沉积机理分析指出,衬底表面上S i原子基团的吸附、迁移、成核与融合等热力学过程支配着nc-poly-S i膜的生长。
彭英才马蕾康建波范志东简红彬
关键词:LPCVD纳米晶粒
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