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马贤峰

作品数：14 被引量：31H指数：2
供职机构：中国科学院长春应用化学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：化学工程理学一般工业技术更多>>

合作作者

文献类型

  • 10篇专利
  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 2篇化学工程
  • 1篇一般工业技术
  • 1篇理学

主题

  • 6篇球磨
  • 5篇氮化
  • 5篇氮化硼
  • 5篇立方氮化硼
  • 5篇合金
  • 4篇纳米
  • 3篇石墨坩埚
  • 3篇坩埚
  • 3篇二元合金
  • 3篇反应炉
  • 3篇高能球磨
  • 3篇高温
  • 3篇保温时间
  • 2篇单晶
  • 2篇氧化硼
  • 2篇预压
  • 2篇烧结体
  • 2篇烧结温度
  • 2篇石墨
  • 2篇石墨模具

机构

  • 13篇中国科学院
  • 1篇中国科学院金...

作者

  • 14篇马贤峰
  • 11篇赵伟
  • 8篇汤华国
  • 5篇鄢俊敏
  • 5篇阎学伟
  • 5篇祝昌军
  • 3篇崔硕景
  • 1篇孟健
  • 1篇李芹
  • 1篇梁勇
  • 1篇李亚利
  • 1篇佟百运
  • 1篇周艳平
  • 1篇夏天
  • 1篇刘向东
  • 1篇曹学强
  • 1篇郑丰
  • 1篇闫学伟

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇材料研究学报
  • 1篇科技开发动态

年份

  • 4篇2005
  • 4篇2004
  • 3篇2003
  • 1篇2002
  • 1篇1997
  • 1篇1995
共 14 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米非晶Si_3N_4粉的超高压低温烧结被引量：22
1997年
用六面顶超高压在1.0－5.0GPa，25～1500℃条件下烧结激光法制备的纳米非晶Si3N4粉，有“冷烧结”特代表现为：在5GPa，室温下压制的块体密度达理论值的93％，这是高压下纳米粒子产生流变的结果当烧结温度较低（800～950℃）时，高压烧结体为棕色透明的致密（98％）纳米非晶块体；烧结温度较高（1300～1500℃）时，形成纯白色致密纳米晶Si3N4块体，硬度为15.53～1605GPa研究表明，超高压烧结纳米陶瓷粉可显著降低烧结温度，控制晶粒生长。
李亚利梁勇佟百运郑丰马贤峰崔硕景赵伟
关键词：纳米材料陶瓷材料非晶
钨铝合金烧结体的制备方法
本发明属于一种钨铝合金烧结体的制备方法。选择颗粒小于100纳米的钨铝合金粉末，结构式为W<Sub>1-x</Sub>Al<Sub>x</Sub>，x＝0.1-0.86，将其装入石墨模具中，在真空压强小于10<Sup>-2...
马贤峰祝昌军汤华国赵伟鄢俊敏
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碳化钨铝固溶体粉末的高温固相反应制备方法
一种碳化钨铝固溶体粉末的高温固相反应制备方法，将经机械合金化法制备的W<Sub>1－X</Sub>Al<Sub>X</Sub>二元合金作为反应前驱体，与粒度小于300目，纯度大于95％的碳粉，按合金组分W<Sub>1－X...
马贤峰鄢俊敏汤华国赵伟祝昌军
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纳米立方氮化硼的制备方法
本发明属于以立方氮化硼(以下称cBN)单晶粉末为原料，通过机械合金化技术制备纳米cBN的方法。采用粒度小于50目的cBN单晶为原料，将其加入碳素钢材质的高能球磨罐中，球料重量比为30－150∶1，通过球的撞击、剪切、摩擦...
汤华国马贤峰赵伟阎学伟
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超细高纯无定形硼粉
2004年
马贤峰
关键词：氧化硼镁粉纯度
碳化硼粉末的制备方法
本发明属于碳化硼粉末的制备方法，选择粒度小于50目，纯度大于98％的氧化硼、粒度小于100目，纯度大于99％的镁粉以及粒度小于300目，纯度大于99％的碳粉，按原子比2∶6∶1称量，将其加入高能球磨罐中，球料比为15∶1...
汤华国马贤峰赵伟阎学伟
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立方氮化硼的合成方法
本发明属于立方氮化硼的方法。选择LiNH<Sub>2</Sub>和LiH的混合物作触媒，粗制六方氮化硼为原料，预压成型后经高温高压合成，合成温度为1350℃～800℃，合成压力为4.0～5.5GPa，合成时间为3～8分钟...
马贤峰阎学伟赵伟崔硕景
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碳缺位型碳化钨铝固溶体粉末的制备方法
本发明属于碳缺位型碳化钨铝固溶体粉末的制备方法。制备过程是将W<Sub>0.50</Sub>Al<Sub>0.50</Sub>二元合金作为反应前驱体，与粒度小于300目，纯度大于95%的碳粉，按合金组分(W<Sub>0....
马贤峰鄢俊敏汤华国赵伟祝昌军
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纳米立方氮化硼的制备方法
本发明属于以立方氮化硼(以下称cBN)单晶粉末为原料，通过机械合金化技术制备纳米cBN的方法。采用粒度小于50目的cBN单晶为原料，将其加入碳素钢材质的高能球磨罐中，球料重量比为30-150∶1，通过球的撞击、剪切、摩擦...
汤华国马贤峰赵伟阎学伟
文献传递
立方氮化硼的合成方法
本发明属于立方氮化硼的方法。选择LiNH<Sub>2</Sub>和LiH的混合物作触媒,粗制六方氮化硼为原料,预压成型后经高温高压合成,合成温度为1350～1800℃,合成压力为4.0～5.5GPa,合成时间为3～8分钟...
马贤峰阎学伟赵伟崔硕景
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共2页<12>
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