高尚
- 作品数：26 被引量：21H指数：2
- 供职机构：长春理工大学更多>>
- 发文基金：吉林省科技发展计划基金国家自然科学基金长春市科技支撑计划项目更多>>
- 相关领域：电子电信理学文化科学自动化与计算机技术更多>>
- 风琴状Mxene原位生成TiO<Sub>2</Sub>纳米片复合ZnO纳米材料与高灵敏室温气体传感器制备方法
- 本发明提供了上述Ti<Sub>3</Sub>C<Sub>2</Sub>T<Sub>x</Sub> Mxene原位生成TiO<Sub>2</Sub>与ZnO复合气敏材料的制备方法，具体步骤如下：1.Ti<Sub>3</Su...
- 梁庆成代钰涛王淞蒋大勇赵曼高尚赵建勋邵鑫
- 电子束蒸发法制备MgZnO薄膜
- 本项专利技术旨在提供一种利用电子束蒸发法制备的高组分氧锌镁薄膜的方法，所需要解决的问题是高组分氧锌镁薄膜在生长时出现的相分离现象。本专利技术是由MgZnO薄膜和SiO<Sub>2</Sub>衬底构成的。本专利技术具有如下...
- 蒋大勇赵曼梁庆成邓蕊高尚李昊达费晓淼李明阳张海馨彭研焱张晓兰赵悦
- 解析大学生素质教育被引量：1
- 2011年
- 大学生素质教育不只是传授科学文化知识,而是要培养德智体美等全面发展的社会主义事业建设者和接班人,高校应采取相应的措施加强大学生素质教育:加强思想政治教育;改革课程教学体制;增加实践教学环节;完善科学的评价体系。
- 蒋大勇赵曼赵建勋秦杰明高尚梁庆成
- 关键词：素质教育思想政治素质
- 包埋Pt纳米粒子对金属-半导体-金属结构ZnO紫外光电探测器性能的影响被引量：7
- 2015年
- 利用射频磁控溅射设备制备ZnO薄膜,最终制备ZnO/Pt纳米粒子/ZnO结构的金属-半导体-金属型紫外光电探测器.研究了Pt纳米粒子处在ZnO薄膜层中的不同深度对金属-半导体-金属型紫外光电探测器响应性能的影响.结果表明,探测器的响应度随着Pt纳米粒子在ZnO薄膜层中所处深度的增大而升高.在60 V偏压下,包埋Pt最深的探测器在波长365 nm处取得响应度最大值1.4 A·W-1,包埋有Pt探测器的响应度最大值为无Pt纳米粒子探测器响应度最大值的7倍.结合对ZnO薄膜表面的表征及探测器各项性能的测试,得出包埋Pt纳米粒子增强器件的响应性能可归因于表面等离子体增强散射.
- 裴佳楠蒋大勇田春光郭泽萱刘如胜孙龙秦杰明侯建华赵建勋梁庆成高尚
- 关键词：ZNO薄膜紫外光电探测器表面等离子体PT纳米粒子
- 采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器
- 采用氧化锌基半导体薄膜的紫外火焰探测器属于消防设备技术领域。现有紫外火焰探测器采用的紫外光敏管制备工艺复杂，制作成本较高；尤其管内气体容易溢出，导致紫外光敏管功能下降，使用寿命缩短，紫外火焰探测器的维护周期缩短，使得火焰...
- 蒋大勇刘如胜田春光孙龙侯建华赵建勋高尚梁庆成秦杰明
- 文献传递
- 高压下Li掺杂p型ZnO固溶体的表征
- 2012年
- 报道了利用ZnO和Li_2O混合物在5GPa,1200℃—1500℃条件下,制备Li掺杂P型ZnO(记作ZnO:Li)固溶体的过程.研究发现,高压下温度对于ZnO:Li固溶体的导电类型以及结构具有较大的影响.其中在1500℃条件下烧结的ZnO:Li(Li的掺杂量4.5%)表现出良好的p型电学性能,其电阻率为3.1×10^(-1)Ω·cm,载流子浓度为3.3×10^(19)cm^(-3),迁移率为27.7cm^2·V^(-1)·s^(-1).通过实验及理论计算确定了其受主能级为110meV,讨论了压力对p型ZnO的形成和电学性能的影响.
- 秦杰明田立飞蒋大勇高尚赵建勋梁建成
- 关键词：固溶体
- 高功率半导体激光器模拟
- 2013年
- 本文用MATLAB软件对高功率半导体激光器单管进行了模拟,通过对等效电路中关键的几个输入参数进行不同数值的模拟,给出了不同模拟器件的电导数模拟结果,研究了电导数测试参数与器件质量的关系,为导数技术评价高功率半导体激光器的质量给出了有意义的指导。
- 梁庆成安春爱赵建勋高尚蒋大勇秦杰明候建华
- 关键词：高功率半导体激光器MATLAB软件电导数等效电路
- 一种糖尿病患者呼出气体丙酮监测装置
- 一种糖尿病患者呼出气体丙酮监测装置，其特征在于，由亲肤层、呼吸气体吸附层、最外层以及呼吸频率监测仪组成；气体通过亲肤层进入呼吸气体吸附层，气体吸附层吸附呼吸气体；呼吸气体具有一定的湿度，湿度与呼气频率之间存在一定的关系；...
- 梁庆成邓蕊王艳平赵曼蒋大勇高尚
- 文献传递
- 高功率线阵列激光器的模拟
- 2012年
- 本文通过高功率阵列半导体激光器的等效电路对线阵列进行了模拟计算,研究了各单元器件的不同参数的均匀性与其组成的阵列器件的参数的关系,从而从理论上给出了单元器件不同参数差异对阵列器件电导数参数的影响。为导数测试技术评价阵列半导体激光器的质量给出了理论指导。
- 梁庆成高尚赵建勋蒋大勇秦杰明侯建华
- 关键词：阵列半导体激光器
- 射频磁控溅射法制备MgZnO日盲紫外光电探测器
- 本项专利技术旨在提供一种利用射频磁控溅射法制备的三明治结构MgZnO紫外光电探测器的方法，所需要解决的问题是制备三明治结构的MgZnO光电探测器，并尽量的简化制备方法使其适用于工业化生产。本项专利技术的三明治结构的MgZ...
- 蒋大勇赵曼梁庆成邓蕊高尚李昊达孙佳梅王美娇翁思远邢美焦赵洪平韩吉超
