鲁林峰
- 作品数：65 被引量：51H指数：5
- 供职机构：中国科学院上海高等研究院更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划国家自然科学基金中央级公益性科研院所基本科研业务费专项更多>>
- 相关领域：理学一般工业技术电子电信电气工程更多>>
- 具有氧化物薄膜的结构及其制备方法
- 本发明提供一种具有氧化物薄膜的结构及其制备方法，包括如下步骤：制备氧化物薄膜，氧化物薄膜的至少一表面形成有氧原子扩散阻挡层。本发明通过在氧化物薄膜的至少一表面形成氧原子扩散阻挡层，可以避免氧化物薄膜与衬底或金属电极直接接...
- 李东栋李敬业殷敏曹双迎鲁林峰方小红黄淳陈小源
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- 基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法
- 本发明提供一种基于纳米软压印的大面积高度有序多孔氧化膜的制备方法，所述制备方法至少包括：首先，将母模板的微纳米尺寸有序结构复制到硅胶软模板上，同时提供金属基底，并对所述金属基底进行预处理；然后在所述金属基底表面涂覆紫外固...
- 李东栋许贞李温超张驰陈小源鲁林峰殷敏
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- 塔式太阳能发电系统
- 本发明提出一种塔式太阳能发电系统，为反射镜镜场与运动的太阳能接收转换器相配合的太阳能跟踪技术。在所述太阳能跟踪技术中：把反射镜镜场内反射镜对太阳的跟踪分解为东西和南北两个方向，东西方向采用精确的一维跟踪；南北方向采用每隔...
- 陈小源付苓杨康李明鲁林峰王会利
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- 半导体材料制备设备
- 本发明公开了一种半导体材料制备设备。它包括具有密封炉门的炉体、感应线圈、感应器、感应电源、上压头、下压头、热电偶、液压系统；上压头、下压头具有位移速度可调功能；感应器为石墨或不锈钢，具备热压磨具和坩埚的功能；感应线圈位于...
- 陈海燕王春林鲁林峰汪昌州陈小源
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- Fe/Si多层膜快速热退火制备β-FeSi2光电薄膜的研究
- β-FeSi被认为是一种最有发展前景的半导体材料之一,其原材料丰富且无毒,在制备、使用和废弃的整个过程中都不对生态造成不利影响,因此它也是一种环境友好型材料。β-FeSi 在室温下的禁带宽度约为0.85eV,相应的光波长...
- 沈鸿烈郭艳鲁林峰
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- 一种纳米压印模板制备方法
- 本发明提供一种纳米压印模板制备方法，所述方法包括以下步骤：提供具有微纳米尺寸的三维图形结构的原始模板；在基底上涂覆溶胶作为衬底；利用所述原始模板通过压印技术在所述衬底上压印出所述微纳米尺寸的三维图形结构的互补图形并固化；...
- 李东栋许贞邓昌凯马朋莎王敏罗晓雷殷敏鲁林峰陈小源
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- 100μm大晶粒多晶硅薄膜的铝诱导法制备被引量：11
- 2010年
- 以Corning Eagle 2000玻璃为衬底,用磁控溅射法制备了glass/a-Si/Si O2/Al叠层结构,于Ar气保护下退火,制备了具有很强的(111)择优取向,最大晶粒尺寸达100μm的铝诱导晶化多晶硅薄膜。研究结果表明,非晶硅的氧化时间越长,所制备的多晶硅晶粒尺寸越大,当氧化时间达约47h后,再延长氧化时间对薄膜性能的影响不明显。还发现退火温度越高,晶粒越小,但是反应速率越快。
- 唐正霞沈鸿烈解尧鲁林峰江枫沈剑沧
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- 变温退火制备铝诱导大晶粒多晶硅薄膜的机理研究被引量：3
- 2010年
- 为了缩短铝诱导法制备大晶粒多晶硅薄膜的退火时间,用射频磁控溅射法在玻璃衬底上沉积了a-Si/SiO2/Al叠层膜,并用两种方法进行变温退火.分析了变温退火工艺对铝诱导晶化过程的影响,着重讨论了退火过程中温度由低温升到高温时不形成小晶粒的机理和条件.研究表明,当退火温度升高时,是否形成小晶粒取决于晶粒半径、耗尽层厚度和相邻晶粒间距三者之间的关系.
- 唐正霞沈鸿烈江丰方茹鲁林峰黄海宾蔡红
- 关键词：多晶硅铝诱导晶化
- 半导体二硅化铁薄膜材料的制备方法
- 一种半导体二硅化铁薄膜材料的制备方法，涉及晶态半导体相二硅化铁(β－FeSi<Sub>2</Sub>)光电薄膜的制备方法。包括以下过程：(1)非硅衬底清洗去污；(2)物理气相沉积法生长硅基过渡层；(3)物理气相沉积法沉积...
- 沈鸿烈鲁林峰尹玉刚
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- 基于图形化金属衬底的薄膜太阳电池及其制作方法
- 本发明提供一种基于图形化金属衬底的薄膜太阳电池及其制作方法，采用可大面积、低成本生产的阳极氧化法或纳米压印法制作第一金属材料的图形化金属衬底，并且增加位于所述图形化金属衬底与光吸收层之间的第二金属材料的图形化金属薄膜。本...
- 李东栋黄洪涛鲁林峰王会利徐璟方小红陈小源
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