黄秀颀
- 作品数：10 被引量：59H指数：2
- 供职机构：中国科学院半导体研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国博士后科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法
- 一种多孔磷化铟阻挡层以及多孔磷化铟的腐蚀液及使用方法其中包括：氢溴酸和硝酸及水的混合溶液，该混合溶液的重量份为：氢溴酸：1－2；硝酸：1－2；水：10－20。使用上述腐蚀液的方法包括如下步骤：步骤1：取一多孔磷化铟材料；...
- 车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐路秀真
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- 电化学腐蚀制备多孔磷化铟半导体材料的方法
- 本发明一种电化学腐蚀制备多孔磷化铟半导体材料的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：将磷化铟基片(11)解理好后，采用超声或煮沸方法清洗；步骤2：然后去除磷化铟基片表面的氧化层；步骤3：再进行电化学池(2)的安装；步骤...
- 车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐王占国
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- 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
- 本发明涉及多孔半导体材料技术领域的一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法。电化学池的材料是聚四氟乙烯，主要包括箱体、侧盖、盲板、上盖四部分，其中箱体用来盛装电解液，侧盖与盲板用来固定工作电极，上盖用来导入铂辅助电...
- 车晓玲刘峰奇黄秀颀雷文刘俊岐王占国
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- InP基多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列的结构和光学性质
- 2005年
- 在InP(0 0 1)衬底上使用分子束外延技术自组织生长了多周期InAs/InAlGaAs量子点阵列结构 .根据对透射电镜和光致发光谱结果的分析 ,认为引入与InP衬底晶格匹配的InAlGaAs缓冲层可以获得较大的InAs量子点结构 ,而InAlGaAs层的表面特性对InAs量子点的结构及光学性质有很大影响 .对InP基InAlGaAs缓冲层上自组织量子点的形核和演化机制进行了探讨 ,提出量子点的演化过程表现为量子点的合并长大并伴随着自身的徙动 ,以获得能量最优的分布状态 .
- 黄秀颀刘峰奇车晓玲刘俊岐雷文王占国
- 关键词：量子点分子束外延
- InP基应变自组装纳米材料及其光电子器件研究进展
- 2004年
- 半导体低维结构材料,如量子线(点)材料,由于其特殊的电子结构,在新一代光电子、微电子器件中有着重要的应用价值。本文对应变自组装InP基量子线(点)材料的生长制备、光学和电学特性及其在半导体激光器、红外探测器及其他光电子和微电子器件中的应用进行了综述,指出了目前需要改进的一些方面,并提出了一些相应的解决途径。
- 雷文陈涌海程伟明车晓玲刘俊歧黄秀颀王占国
- 关键词：INP光电子器件纳米材料红外探测器
- 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
- 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟...
- 王元立吴巨金鹏叶小玲张春玲黄秀颀陈涌海王占国
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- 高品质四针状氧化锌晶须的结构及生长机理被引量：53
- 2002年
- 用锌粉氧化的方法，通过控制反应器内的气相过饱和度，合成出纯度高、晶体结构完 整、尺度可控的四针状氧化锌晶须（Ｔ－ＺｎＯ晶须）．制备的Ｔ－ＺｎＯ晶须为长尾晶须，针长为５～３０ μｍ，针体的根部尺寸为１～２μｍ，尾部约１００ｎｍ．晶须的生长机理为气－固（ＶＳ）机理．控制反应器 内的反应气相过饱和度是制备高品质Ｔ－ＺｎＯ晶须的关键因素．
- 戴英张跃方圆黄秀颀李杰
- 关键词：氧化锌半导体
- 以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法
- 一种以原位垂直超晶格为模板定位生长量子线或点的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1：选择一衬底；步骤2：在该衬底的邻位面上用分子束外延工艺生长铟铝砷或铟镓砷材料的缓冲层；步骤3：生长完缓冲层后在砷压保护下停顿2～5分钟...
- 王元立吴巨金鹏叶小玲张春玲黄秀颀陈涌海王占国
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- 磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法
- 一种磷化铟衬底上制备量子线阵列的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤A：将半绝缘磷化铟衬底进行脱氧处理；步骤B：在进行脱氧处理后的半绝缘磷化铟衬底上生长一层缓冲层，该缓冲层与磷化铟衬底晶格匹配；步骤C：在缓冲层上生长量子...
- 黄秀颀刘峰奇
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- GaAs基量子级联激光器材料结构设计的进展被引量：6
- 2004年
- GaAs基量子级联激光器的出现,在器件的设计制作和处理工艺上开辟了有意义的前景。本文概述了近年来GaAs基量子级联激光器在波导核心层、波导以及光学谐振腔方面设计的原理、进展,并介绍了一些新颖的结构。
- 刘俊岐刘峰奇车晓玲黄秀颀雷文王占国
- 关键词：量子级联激光器波导谐振腔
