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黄英龙

作品数：22 被引量：0H指数：0
供职机构：北京大学更多>>
相关领域：自动化与计算机技术电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 21篇专利
  • 1篇学位论文

领域

  • 4篇自动化与计算...
  • 3篇电子电信

主题

  • 16篇存储器
  • 7篇电极
  • 6篇电路
  • 5篇淀积
  • 4篇电压
  • 4篇电阻
  • 4篇神经元
  • 4篇集成度
  • 4篇并联
  • 3篇氧化物
  • 3篇金属
  • 3篇金属氧化物
  • 3篇多值
  • 2篇单元电路
  • 2篇等差
  • 2篇电极结构
  • 2篇电流开关
  • 2篇电压控制
  • 2篇电子波
  • 2篇电子波函数

机构

  • 22篇北京大学

作者

  • 22篇黄英龙
  • 21篇黄如
  • 19篇蔡一茂
  • 13篇谭胜虎
  • 10篇潘越
  • 10篇杨庚雨
  • 9篇唐昱
  • 8篇毛俊
  • 7篇张耀凯
  • 6篇陈诚
  • 5篇张丽杰
  • 4篇白文亮
  • 4篇王阳元
  • 3篇潘岳
  • 2篇李志强
  • 2篇云全新
  • 2篇林増明
  • 2篇郭岳
  • 2篇罗长宝
  • 2篇安霞

年份

  • 2篇2015
  • 4篇2014
  • 4篇2013
  • 10篇2012
  • 2篇2011
共 22 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种阻变存储器及其制备方法
本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极...
黄如黄英龙蔡一茂王阳元余牧溪
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一种自路由单元电路及其控制方法
本发明公开了一种自路由单元电路及其控制方法。本发明的电路适用于大规模互联的神经网络系统中，前神经元与两个以上后神经元的突触连接采用自路由单元电路，具有两条以上并联的支路，每条并联支路由一个或者多个双极阻变忆阻器构成，每条...
黄如杨庚雨蔡一茂潘越谭胜虎张耀凯陈诚黄英龙唐昱
一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
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一种纳米尺寸阻变存储器小孔的制备方法
本发明公开了一种纳米尺寸阻变忆阻器小孔的制备方法。本发明的制备方法利用牺牲层腐蚀法来制备纳米尺寸阻变忆阻器的小孔，小孔的方向可以是垂直的，可以是水平的，也可以是任何其他方向。本发明所提供的制备方法可以用来制备任何形状的小...
黄如杨庚雨孙帅谭胜虎张丽杰黄英龙张耀凯唐昱潘越蔡一茂毛俊
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一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法。该阻变存储器包括衬底、上电极、下电极和位于上下电极之间的阻变材料，其中下电极中部向上凸起成尖峰状，而上电极为平板状，尖峰结构的下电极降低了器件功耗。其制备方法是通过腐蚀在衬底表面形...
黄英龙蔡一茂黄如王阳元
一种阻变存储器及其制备方法
本发明公开了一种阻变存储器及其制备方法，属于微电子技术领域。本发明通过在传统氧化物阻变材料层中引入N<Sup>+</Sup>离子，制备出氮氧化合物阻变材料层，利用N<Sup>+</Sup>的移动实现空位导电通道的形成和断...
黄如谭胜虎毛俊蔡一茂潘岳杨庚雨唐昱黄英龙林増明罗长宝
一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法
本发明公开了一种适用于神经元电路的阻变忆阻器的控制方法。本发明的控制方法在神经元电路里，阻变忆阻器的两个端口分别和MOS晶体管的漏端和源端相连，组成并联结构，并分别连接于前神经元和后神经元，在MOS晶体管的栅端加上栅电压...
黄如杨庚雨张耀凯张丽杰陈诚潘越蔡一茂黄英龙谭胜虎
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一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制办法
本发明公开了一种适用于神经电路的多值阻变存储器及其控制方法。本发明的多值阻变存储器包括：n个阻变存储器R1至Rn以及n+1个端口ln1至lnn+1，n个阻变存储器中的每一个为二值阻变存储器，n个阻变存储器通过n-1个端口...
黄如杨庚雨张耀凯陈诚潘越蔡一茂谭胜虎唐昱黄英龙毛俊白文亮
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一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法
本发明提供一种锗基肖特基N型场效应晶体管的制备方法，属于超大规模集成电路(ULSI)工艺制造技术领域。本发明在锗衬底和金属源、漏之间制作一high-k介质薄层。此薄层一方面可以阻挡金属中的电子波函数在半导体禁带当中引入M...
李志强郭岳安霞云全新黄英龙黄如张兴
一种阻变存储器及其制备方法
本发明提出一种具有抑制漏电特性的阻变存储器及其制备方法，可以抑制大规模RRAM十字交叉阵列中的Sneak电流。组成该阻变存储器的存储单元包括依次叠加的下电极、第一半导体型氧化物层、阻变材料层、第二半导体型氧化物层和上电极...
黄如黄英龙蔡一茂王阳元余牧溪
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