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龙飞

作品数：1 被引量：0H指数：0
供职机构：江西师范大学更多>>
发文基金：江西省自然科学基金更多>>
相关领域：理学更多>>

合作作者

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇导体
  • 1篇砷化铟
  • 1篇锑化镓
  • 1篇赝势
  • 1篇晶格
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体超晶格
  • 1篇INAS/G...
  • 1篇超晶格

机构

  • 1篇江西师范大学

作者

  • 1篇龙飞
  • 1篇刘申之
  • 1篇梅飞

传媒

  • 1篇江西师范大学...

年份

  • 1篇1996
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
第二类InAs／GaSb（001）半导体超晶格能带边结构的赝势计算
1996年
采用一种新的赝势方法计算了第二类ＩｎＡｓ／ＧａＳｂ超晶格能带边结构随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚变化的规律．计算结果显示，随着ＩｎＡｓ和ＧａＳｂ层厚的变化，超晶格中杂质将经历不同的深—浅杂质转变过程．同时。
刘申之龙飞梅飞
关键词：超晶格赝势半导体砷化铟锑化镓
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共1页<1>
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