丁萍
- 作品数：10 被引量：10H指数：1
- 供职机构：浙江大学更多>>
- 发文基金：国家教育部博士点基金更多>>
- 相关领域：电子电信一般工业技术理学更多>>
- PA-MBE法制备高质量ZnO、ZnMgO单晶薄膜及ZnO/Zn0.9Mg0.1O多量子阱结构
- ZnO是直接带隙半导体材料,其室温禁带宽度为3.37 eV,室温激子束缚能为60 meV,在制备蓝光-紫外光发光二极管和激光器等光电器件方面有巨大优势。ZnO薄膜的制备方法有很多,如:磁控溅射、化学气相沉积、脉冲激光沉积...
- 陈巍丁萍张宏海潘新花陈姗姗黄靖云叶志镇
- 文献传递
- Sb掺杂ZnO薄膜电学、光学性能研究被引量：10
- 2010年
- 采用氧等离子体辅助脉冲激光沉积(PLD)法,在n-Si(001)衬底上制备出性能良好的Sb掺杂p型ZnO薄膜,其电阻率为44.18Ω.cm,空穴浓度为3.78×1016cm-3,霍尔迁移率为3.74 cm2V-1s-1,ZnO薄膜在室温下放置9个月,其p型性能基本保持不变。Ⅰ-V曲线显示良好的整流特性,进一步证明了Sb掺杂ZnO薄膜的p型导电性。进行低温光致发光(PL)谱测试,确认Sb掺杂p型ZnO薄膜存在2种受主态,其受主能级分别为161和336 meV,分析认为336 meV深受主为Zn空位;161 meV浅受主为由于Sb掺杂产生的SbZn-2VZn缺陷复合体。
- 丁萍潘新花叶志镇
- 关键词：P型ZNO脉冲激光沉积
- 一种自支撑GaN基发光器件及其制备方法
- 本发明公开的自支撑GaN基发光器件，自下而上依次有GaN保护层、GaN缓冲层、n型GaN层、GaN基发光层和p型GaN层。其制备方法如下：先采用分子束外延技术在SiC衬底上依次生长ZnO层和GaN保护层；然后采用金属有机...
- 潘新花黄靖云叶志镇丁萍张宏海
- 文献传递
- ZnO基发光器件的制备方法
- 本发明公开了ZnO基发光器件的制备方法，该发光器件自下而上依次有衬底、n型ZnO层、ZnO基发光层和p型ZnO层，其中n型ZnO层和ZnO基发光层采用等离子增强分子束外延方法制备，p型ZnO层采用激光增强分子束外延方法制...
- 丁萍潘新花黄靖云叶志镇吕斌
- 文献传递
- P-MBE法生长ZnO单晶薄膜及Na掺杂研究
- ZnO是直接带隙的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带氧化物半导体材料。室温禁带宽度3.37eV，对应近紫外波段，且激子束缚能高达60meV，易实现室温或更高温度下低阈值高效率的激光发射，非常适合制作短波长发光二极管(LED)和激光二极管(L...
- 丁萍
- 关键词：电学性能
- Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法，采用的是等离子体辅助分子束外延方法。将清洗处理后的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～600℃，将纯O<Sub>2</Sub>经过射频活化形成的氧等离子体作为...
- 潘新花丁萍黄靖云叶志镇
- ZnO基发光器件的制备方法
- 本发明公开了ZnO基发光器件的制备方法，该发光器件自下而上依次有衬底、n型ZnO层、ZnO基发光层和p型ZnO层，其中n型ZnO层和ZnO基发光层采用等离子增强分子束外延方法制备，p型ZnO层采用激光增强分子束外延方法制...
- 丁萍潘新花黄靖云叶志镇吕斌
- 一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法
- 本发明公开的非极性ZnO基发光器件自下而上依次有衬底、ZnO低温缓冲层、n型ZnO层、ZnO/ZnMgO多量子阱层和p型ZnO层。其制备方法如下：将清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，以纯O<Sub>2</Sub>为O源...
- 潘新花黄靖云叶志镇丁萍吕斌
- Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法
- 本发明公开的Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法，采用的是等离子体辅助分子束外延方法。将清洗处理后的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～600℃，将纯O<Sub>2</Sub>经过射频活化形成的氧等离子体作为...
- 潘新花丁萍黄靖云叶志镇
- 文献传递
- 一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法
- 本发明公开的非极性ZnO基发光器件自下而上依次有衬底、ZnO低温缓冲层、n型ZnO层、ZnO/ZnMgO多量子阱层和p型ZnO层。其制备方法如下：将清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，以纯O<Sub>2</Sub>为O源...
- 潘新花黄靖云叶志镇丁萍吕斌
- 文献传递
