侯智昊
- 作品数：10 被引量：25H指数：3
- 供职机构：南京电子器件研究所更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金北京市科委项目北京市科委基金更多>>
- 相关领域：电子电信机械工程电气工程更多>>
- 具有斜拉梁的串联接触式射频微机电系统开关被引量：1
- 2009年
- 为解决悬臂梁结构的射频微机电系统开关在残余应力的作用下会发生翘曲的问题,提出在悬臂梁的顶端引入斜拉梁的方法。使用Al/Au复合桥膜作为射频微机电系统开关的上电极,实现了Au-Au接触,利用BorofloatTM玻璃作为衬底,使用电阻对导通状态下的射频信号与驱动电极旁路进行隔离,使它的射频性能不受驱动电压的影响。测试表明:隔离度在12 GHz的频率下,插入损耗和隔离度分别为-0.29 dB和-20 dB。该射频微机电系统开关适合于DC-X波段的应用。
- 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 关键词：射频微机电系统开关残余应力
- 一种低驱动电压的SP4T RF MEMS开关被引量：6
- 2008年
- 设计并制备了一种低电压的静电驱动接触式单刀四掷(SP4T)RFMEMS开关。单元开关采用以低应力氮氧化硅(SiON)作为桥膜的双端固定桥式结构,并利用附着的金层形成接触结构。整个SP4T开关包括与50Ω特征阻抗相匹配的共面波导,1个输入端,4个输出端,4个静电驱动的侧拉桥,以及4个驱动引出区(pad)。测试数据表明,开关驱动电压18.8V;插入损耗S21<0.26dB@DC-3GHz,S31<0.46dB@DC-3GHz;隔离度S21>69.5dB@DC-3GHz,S31>69.2dB@DC-3GHz。结果显示,此开关的隔离度在所有输出端有很好的一致性,插损在DC-3GHz的频段内均较小,非常适合低频使用。
- 胡光伟刘泽文侯智昊李志坚
- 关键词：MEMS开关
- 串联电容式RF MEMS开关设计与制造研究被引量：3
- 2008年
- 介绍了一种串联电容式RF MEMS开关的设计与制造。所设计的串联电容式RF MEMS开关利用薄膜淀积中产生的内应力使MEMS桥膜向上发生翘曲,从而提高所设计的开关的隔离度,克服了串联电容式RF MEMS开关通常只有在1GHz以下才能获得较高隔离度的缺点。其工艺与并联电容式RF MEMS开关完全相同,解决了并联电容式RF MEMS开关不能应用于低频段（〈10GHz）的问题。其插入损耗为-0.88dB@3GHz,在6GHz以上,插入损耗为-0.5dB;隔离度为-33.5dB@900MHz、-24dB@3GH和-20dB@5GHz,适合于3-5GHz频段的应用。
- 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 关键词：射频微电子机械系统MEMS开关内应力
- Design and Simulation of a DC-Contact Series RF MEMS Switch
- The design and simulation of a DC-contact series RF MEMS switch with slanting beams is reported. By introducin...
- 侯智昊刘泽文胡光伟刘理天李志坚
- 关键词：MEMS
- 用于制备高机械可靠性RF MEMS开关的新型工艺被引量：3
- 2008年
- 对介质桥串联接触式RF MEMS开关的制备工艺进行了研究。介绍了开关的结构,说明了采用常规制备工艺容易在桥膜上形成应力集中,严重影响开关的机械可靠性。通过改进工艺,提出了一种侧向钻蚀刻蚀介质桥膜下金属的方法,获得了平坦的介质桥膜。最后,给出了完整的开关制备流程。与常规工艺相比,新工艺避免了应力集中问题,提高了开关的机械可靠性,成品率从10%提高到了95%,工作寿命从1000次提高到了2.5×107次。此外,在23.3 V的驱动电压下,开关插入损耗<0.55 dB@DC-10 GHz,隔离度>53.2 dB@DC-10 GHz。结果表明该工艺可满足无线通讯对MEMS开关成品率、寿命和微波性能的要求。
- 胡光伟刘泽文侯智昊李志坚
- 关键词：MEMS开关接触式开关机械可靠性
- 毫米波串联接触式MEMS开关的设计(英文)被引量：1
- 2012年
- 设计并制造了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关.为了在毫米波波段获得较高的隔离度,在RF MEMS开关的输入、输出端口使用细长型的接触端,以降低输入、输出端口的耦合电容.为了获得较高的接触可靠性并降低开关的开启电压,RF MEMS开关上电极结构使用蟹形梁结构.该RF MEMS开关利用南京电子器件研究所微纳米研发部的金表面工艺制备.所获得的RF MEMS开关,在30 GHz频率下,其插入损耗为-0.3 dB,隔离度为-20 dB.在20~40 GHz的频率范围内,其插入损耗均优于-0.5 dB,隔离度均优于-20 dB.
- 侯智昊朱锋郁元卫朱健
- 关键词：毫米波
- DC～30GHz并联接触式RF MEMS开关的设计与制造被引量：6
- 2009年
- 对适用于DC～30GHz频率的并联接触式RF MEMS开关的设计与制造进行了研究。利用低应力电镀Au桥膜作为上电极,实现了接触电极之间的Au-Au接触。使用BorofloatTM玻璃作为衬底,并用隔离电阻对内置射频信号与驱动电极旁路进行隔离;通过对上电极桥膜与CPW间距的优化设计,使开关具有较低的插入损耗。所设计制造的并联接触式RF MEMS开关的下拉电压为60V,上下电极的接触电阻为0.1Ω。插入损耗为-0.03dB@1GH,-0.13dB@10GHz和-0.19dB@20GHz,在DC～30GHz的插入损耗都<-0.5dB;隔离度为-47dB@1GHz,-30dB@10GHz和-25dB@20GHz,在DC～30GHz的隔高度都>-23dB。测试结果表明,所设计的并联接触式RF MEMS开关适用频率为DC～30GHz,是一种应用频率范围较宽的RF MEMS开关。
- 侯智昊刘泽文李志坚
- 关键词：微机电系统MEMS开关
- 毫米波串联接触式RF MEMS开关的设计与制造被引量：6
- 2012年
- 设计了一种应用于毫米波波段的串联接触式RF MEMS开关。为了在毫米波波段获得较高的隔离度,通过使用短截线结构,以降低输入输出端口的耦合电容。为了获得可靠的金属接触,设计了一种改进型的"蟹形"桥结构。测试结果显示,在30GHz,插入损耗为-0.3dB,隔离度为-20dB。在DC～40GHz的频率范围内,插入损耗优于-0.5dB,隔离度优于-20dB。所设计的串联接触式RF MEMS开关,可应用于20～40GHz的频率范围内。
- 侯智昊朱锋郁元卫朱健
- 关键词：射频微机电系统开关毫米波
- 用于MEMS开关的低应力氮氧化硅桥膜
- 2007年
- 给出了用于微机电(MEMS)开关悬浮桥的低应力氮氧化硅(SiOxNy)薄膜的制备工艺研究结果,分析了等离子增强化学气相淀积(PECVD)制备低应力薄膜的影响因素,通过改变反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比,用PECVD方法生成系列SiOxNy薄膜样品。利用形貌仪测量样品的曲率半径,计算相应的应力。研究表明,当反应气体(SiH4,NH3和N2O)的流量比为32∶12∶8(N2标定)时,可以得到张应力值为76.8 MPa的SiOxNy薄膜,其折射率为1.688,Si,N和O三种元素的成分比为56.3∶23.7∶20.0。将此薄膜生长工艺应用于开关制备,得到了适用于DC^10 GHz频段的MEMS接触式开关,其驱动电压为23.3 V。
- 胡光伟刘泽文张忠惠侯智昊李志坚
- 关键词：氮氧化硅低应力PECVDMEMS开关接触式开关
- 横向接触式RF MEMS开关被引量：1
- 2010年
- 提出了一种横向接触式RF MEMS开关,采用金属叉指结构进行驱动。通过结构建模和性能仿真,对叉指结构进行了优化,提高了机械性能,减小开关的尺寸。通过加大横向接触面积,降低接触电阻,减小开关导通态的插损,提高了开关的射频性能。利用低温表面牺牲层工艺在砷化镓衬底上进行了开关的流片,通过工艺的改进最终得到满意的流片结果。测试结果表明:在DC-20GHz频率范围内,开关的插入损耗小于0.3dB,隔离度大于20dB。
- 杜国平朱健郁元卫侯智昊
- 关键词：射频微机电系统开关
