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关旭

作品数：10 被引量：0H指数：0
供职机构：电子科技大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

合作作者

文献类型

  • 7篇专利
  • 1篇期刊文章
  • 1篇学位论文
  • 1篇科技成果

领域

  • 5篇电子电信

主题

  • 4篇电源
  • 3篇电源电路
  • 3篇阳极
  • 3篇氧化层
  • 3篇双模
  • 3篇双模式
  • 3篇误差放大器
  • 3篇逻辑单元
  • 3篇基准源
  • 3篇过压
  • 2篇漂移
  • 2篇齐纳二极管
  • 2篇刻蚀
  • 2篇高压二极管
  • 2篇二极管
  • 2篇PNP
  • 2篇SOI
  • 2篇氧
  • 2篇BCD工艺
  • 2篇场板

机构

  • 10篇电子科技大学

作者

  • 10篇关旭
  • 8篇方健
  • 5篇张波
  • 4篇王泽华
  • 4篇管超
  • 4篇吴琼乐
  • 4篇陈吕赟
  • 4篇柏文斌
  • 3篇王亮亮
  • 3篇张弦
  • 3篇王凯
  • 3篇刘哲
  • 3篇罗波
  • 2篇薛方俊
  • 2篇尹德阳
  • 2篇陈文锁
  • 1篇杨舰
  • 1篇乔明
  • 1篇李泽宏
  • 1篇毛琨

传媒

  • 1篇信息与电子工...

年份

  • 1篇2013
  • 2篇2012
  • 3篇2011
  • 2篇2010
  • 2篇2009
共 10 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺
一种两次刻蚀单层多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和P...
方健毛焜刘哲张弦王凯尹德阳王亮亮薛方俊罗波关旭张波
文献传递
一种双模式片内电源电路
本实用新型公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本实用新型的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使...
方健管超柏文斌王泽华关旭陈吕赟吴琼乐
文献传递
一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管
本发明涉及一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管。包括埋氧层、N基区、分别位于N基区两端的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区，所述阳极区被隔离槽分割为至少一组第一阳极区和第二阳极区，所述隔离槽使第一阳极的P<Sup>...
方健关旭陈文锁张波
一种双模式片内电源电路
本发明公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本发明的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电...
方健管超柏文斌王泽华关旭陈吕赟吴琼乐
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800V级高压驱动集成电路
方健张波乔明李肇基李泽宏王卓杨舰毛琨刘哲张弦王凯尹德扬王亮亮罗波关旭
该成果自主开发了高压集成工艺及技术，立足于国内加工线，在8～10μm和25μm的不同外延层厚度条件下，分别实现了800V级具有欠压保护的高压驱动集成电路。其主要技术性能指标为：最高工作电压大于800V，频率达240kHz...
关键词：
关键词：集成电路LDMOS器件
一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管
本发明涉及一种高速横向SOI绝缘栅双极性晶体管。包括埋氧层、N基区、分别位于N基区两端的阴极区和阳极区以及位于阴极区之上的栅极区，所述阳极区被隔离槽分割为至少一组第一阳极区和第二阳极区，所述隔离槽使第一阳极的P<Sup>...
方健关旭陈文锁张波
文献传递
一种双模式片内电源电路
本发明公开了一种双模式片内电源电路。针对现有的线性片内电源电路的纹波小，但输出电压调节范围有限；开关片内电源电路的输出电压调整范围大，但纹波也大，本发明的电源电路结合了线性片内电源电路和开关片内电源电路的优点，使得输出电...
方健管超柏文斌王泽华关旭陈吕赟吴琼乐
一种AC/DC开关电源芯片控制电路的设计
本文课题源于国家重大科技专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”中的“新型节能驱动与汽车电子芯片工艺研发与产业化”子项目。该项目是设计一款单片式AC/DC开关电源芯片。将功率管和控制电路集成在同一个晶片上,并且具有过温...
关旭
关键词：开关电源芯片电流控制模式
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一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺
一种两次刻蚀单多晶硅的高功率BCD工艺，属于半导体器件及集成电路，具体涉及BCD器件的制造方法。包括衬底预氧、NBL、PBL；外延生长；ISO；Nsink；PCH和NCH注入；栅氧化层生长；PBASE、PBODY1和PB...
方健毛焜刘哲张弦王凯尹德阳王亮亮薛方俊罗波关旭张波
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一种新型SOI衬底上带有阳极辅助栅结构的SJ-LIGBT
2012年
提出了一种新型的SOI衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(LIGBT)。该LIGBT在漂移区采用了超结(SJ)结构,并且在阳极采用了新颖的阳极辅助栅结构。这种器件由于采用了上述2种结构,相比于普通的LIGBT,它的正向压降更低,开关速度更快。文章对器件的一些关键参数(如P-drift区掺杂浓度、阳极栅宽度和载流子寿命)对器件关断时间的影响进行了仿真。仿真结果表明,提出的新型结构器件与常规LIGBT器件相比,关断速度可以提高30%。
关旭吴琼乐王泽华柏文斌管超陈吕赟
关键词：关断时间
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