刘子洋
- 作品数：3 被引量：1H指数：1
- 供职机构：吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信更多>>
- 电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能改善的研究
- 本论文就如何通过源漏电极缓冲层提高与改善并五苯基薄膜晶体管的性能以及性能改善的机理进行了研究。当源漏电极与并五苯有源层接触时，由于界面偶极层与金属化半导体层的作用，会在界面处引入大约1eV的空穴注入势垒，该势垒的存在导致...
- 刘子洋
- 关键词：有机薄膜晶体管缓冲层氧化钼
- 文献传递
- Bphen作为电极缓冲层对有机薄膜晶体管性能的改善
- 2014年
- 研究了二苯基邻菲罗啉以及氟化锂作为电极缓冲层对底栅顶接触型有机薄膜晶体管性能的影响,结果表明二苯基邻菲罗啉是一种比氟化锂更好的缓冲层材料。通过对二苯基邻菲罗啉缓冲层厚度的优化,获得了迁移率为0.302 cm2·V-1·s-1、阈值电压为-31.2 V、开关比为6.2×102的器件。器件性能提升的原因是由于二苯基邻菲罗啉缓冲层的引入降低了金电极与并五苯界面的空穴注入势垒与接触电阻。
- 刘子洋刘东洋张世明王学会赵毅刘式墉
- 关键词：有机薄膜晶体管并五苯电性能
- 利用混合有机空穴传输材料提升有机薄膜晶体管场效应迁移率被引量：1
- 2014年
- 通过采用在并五苯薄膜与源漏电极之间插入10 nm并五苯掺杂的N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺薄膜的方法研究了基于并五苯有源层的底栅错面型有机薄膜晶体管的电学特性。研究发现:N,N'-二苯基-N,N'-二(3-甲基苯基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺的引入可以有效改善有源层和源漏电极接触界面的表面形貌,利于形成欧姆接触,从而改善器件性能,最终使优化器件的迁移率由(0.1±0.01)cm2/(V·s)提升至(0.31±0.02)cm2/(V·s),阈值电压由(-34.6±1.3)V降至(-30.1±1.2)V。
- 刘东洋刘子洋王学会张世明岳守振赵毅刘式墉
- 关键词：有机薄膜晶体管表面形貌迁移率TPD
