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刘泓

作品数:36 被引量:136H指数:7
供职机构:中南大学更多>>
发文基金:国家高技术研究发展计划湖南省重大科技专项更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术电气工程化学工程更多>>

文献类型

  • 19篇期刊文章
  • 16篇专利
  • 1篇科技成果

领域

  • 8篇金属学及工艺
  • 6篇一般工业技术
  • 5篇电气工程
  • 4篇化学工程
  • 3篇冶金工程
  • 2篇机械工程
  • 2篇交通运输工程
  • 2篇理学
  • 1篇轻工技术与工...

主题

  • 20篇电容
  • 20篇电容器
  • 14篇超级电容
  • 14篇超级电容器
  • 13篇电极
  • 13篇合金
  • 11篇铝合金
  • 10篇硅铝合金
  • 10篇高硅铝合金
  • 9篇电极材料
  • 8篇SUB
  • 8篇
  • 6篇电沉积
  • 6篇电子封装材料
  • 6篇工业纯
  • 6篇工业纯铝
  • 6篇高纯
  • 6篇高纯硅
  • 6篇高硅
  • 6篇纯铝

机构

  • 36篇中南大学
  • 2篇中国振华(集...
  • 1篇经阁铝业科技...

作者

  • 36篇刘泓
  • 33篇甘卫平
  • 14篇马贺然
  • 14篇杨伏良
  • 14篇刘继宇
  • 13篇师响
  • 8篇易丹青
  • 8篇李祥
  • 8篇李祥
  • 7篇张伟
  • 5篇郑峰
  • 3篇王义仁
  • 3篇覃政辉
  • 3篇黎小辉
  • 2篇张伟
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  • 1篇孙友贝
  • 1篇叶肖鑫
  • 1篇罗贱

传媒

  • 5篇材料导报
  • 4篇中南大学学报...
  • 3篇中国有色金属...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电源技术
  • 1篇复合材料学报
  • 1篇材料热处理学...
  • 1篇新材料产业
  • 1篇粉末冶金材料...

年份

  • 8篇2011
  • 5篇2010
  • 7篇2009
  • 4篇2008
  • 3篇2007
  • 8篇2006
  • 1篇2004
36 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
胶体法制备60%RuO_2-AC复合电极材料及其性能被引量:2
2011年
通过改进后的胶体法制备了60%(质量分数)RuO2-活性碳(AC)复合电极材料,然后在不同的温度下烧结6 h。采用电化学工作站对该复合电极进行了循环伏安、恒流充放电及交流阻抗测试,用SEM、EDS及XRD对不同温度烧结后复合材料的形貌结构进行表征。结果表明:240℃烧结后复合电极的比电容最大,其值为445 F/g,且充放电性能良好;复合电极的阻抗值在240℃以下时随烧结温度的升高呈递减趋势,高于此温度后略有增大;复合电极材料在240℃烧结后呈细小均匀的水合RuO2粒子,分布在碳基体上;复合电极材料中的RuO2保持非晶结构,高于270℃后有较多的晶体相生成;改进后的胶体法制备的复合电极在240℃烧结后电化学性能较优良。
李祥甘卫平马贺然刘泓
关键词:超级电容器烧结温度比电容复合电极
高硅铝合金材料高温充氧氧化工艺被引量:2
2007年
针对应用广泛的高硅铝合金电子封装材料,采用高温充氧氧化工艺,对已挤压成形的Al-30Si及Al-40Si高硅铝合金材料进行后续处理,通过扫描电镜、金相显微镜、热物性测试仪及电子万能拉伸试验机等,对材料显微组织、密度、气密性、热膨胀系数、热导率及抗压强度进行了分析比较。研究结果表明:高温充氧氧化后材料晶粒长大,Si含量高的材料长大更为明显,并存在Si颗粒偏聚现象;高温氧化后材料致密度增加,气密性提高;氧化后Al-30Si材料热膨胀系数略有增加,而充氧氧化对Al-40Si材料的热膨胀系数的影响不明显,但可提高材料热导率,Al-30Si与Al-40Si材料热导率分别提高16.4%和23.5%;高温氧化工艺显著降低材料抗压强度,Al-30Si与Al-40Si材料经氧化后抗压强度分别下降26.8%和20.5%。
杨伏良易丹青刘泓陈智虎
关键词:高硅铝合金电子封装快速凝固
快速凝固/粉末冶金制备高硅铝合金材料的组织与力学性能被引量:30
2004年
采用空气雾化水冷与真空包套热挤压工艺相结合的方法,制备了Al 30Si和Al 40Si过共晶高硅铝合金材料,采用扫描电镜与金相显微镜进行了显微组织分析,检测了其力学性能。研究表明:所制备的高硅铝合金粉末颗粒尺寸在2~10μm之间;挤压后的材料具有组织十分细小且均匀弥散分布的Si相;在370℃热挤压条件下,其抗拉强度高达239MPa,比相同成分的铸轧态试样提高了77%,随着挤压温度的升高以及Si含量的增加,硅相颗粒增大,抗拉强度下降。
杨伏良甘卫平陈招科刘泓
关键词:快速凝固热挤压AL-SI合金
高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)粉末的球磨处理工艺:将Al-Si合金粉末进行球磨,球料质量比为5~15∶1...
杨伏良易丹青甘卫平张伟刘泓
文献传递
一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺
本发明公开了一种制备高硅铝合金电子封装材料的工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量比6~8.8∶4~1.2制备成硅铝合金粉末;B)热挤压工艺:将硅铝合金粉末初装、振实装入纯铝包套内,在300~500吨液压机上进行挤...
杨伏良张伟甘卫平易丹青刘泓
文献传递
一种用于制备超级电容器RuO<Sub>2</Sub>电极材料的电沉积工艺
一种用于制备超级电容器RuO<Sub>2</Sub>电极材料的直流-示差脉冲组合电沉积技术,采用纯度大于99.95%的金属钽箔作为基片,配置RuCl<Sub>3</Sub>·3H<Sub>2</Sub>O、SnCl<Su...
甘卫平刘泓师响刘继宇李祥马贺然
文献传递
一种钽电容器用钽壳内壁RuO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法
本发明提供了一种钽电容器用钽壳内壁RuO<Sub>2</Sub>薄膜的制备方法,包括以下步骤:1)钽壳预处理:将钽壳打磨、抛光和清洗;备用;2)可旋转悬挂电极的制备:采用中空石墨电极作为阳极,中空石墨电极的壁上设有多个通...
甘卫平刘继宇刘泓师响李祥马贺然
文献传递
一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺
本发明公开了一种高硅铝合金电子封装材料的制备工艺,A)粉末制取:将工业纯铝及高纯硅按质量百分比6~8.8∶4~1.2制备成Al-Si合金粉末;B)粉末的空气氧化处理工艺:将Al-Si合金粉末置于电阻炉内,升温至250~4...
杨伏良甘卫平易丹青张伟刘泓
文献传递
不同制备工艺对高硅铝合金组织及力学性能的影响被引量:12
2006年
针对航空航天电子封装用轻质高硅铝合金材料,采用铸轧工艺、喷射沉积工艺和粉末包套热挤压工艺制备了硅含量高达3SYo的高硅铝合金,利用金相显微镜、万能电子拉伸机、SEM对3种不同工艺所制备材料的微观组织、力学性能及断口进行了检测分析。结果表明:在含硅量相差不大时,粉末包套热挤压工艺成型材料的硅相细小,可达到2~10μm,且分布弥散均匀,抗拉强度达到174MPa,比铸轧工艺成型材料的强度提高了86.1%,比喷射沉积工艺成材料的强度提高了57.2%。
甘卫平刘泓杨伏良
关键词:电子封装粉末冶金熔铸
6013铝合金热变形行为研究被引量:22
2006年
以6013铝合金为试验材料,采用热压缩镦粗法,在Gleeble-1500热模拟试验机上进行等温热压缩试验。结果表明:随变形速率增加和变形温度降低,合金的流变应力增加。随变形程度增加,流变应力先迅速增加到一峰值, 然后缓慢下降到渐趋平稳,呈现明显动态再结晶特征。该合金的流变应力行为可用包含Arrhenius项的Zener-Hol- lomon参数来描述,其变形激活能Q为145.75kJ/mol。
甘卫平王义仁陈铁平杨伏良刘泓
关键词:热压缩变形流变应力动态再结晶
共4页<1234>
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